1.一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：
a)在衬底表面蒸镀硅层；
b)在硅层表面旋涂光刻胶层，进行预烘固化；
c)以紫外光透过图案化掩模板的镂空部分至光刻胶，曝光后将掩模板图案转移至光刻胶上；
d)置于显影液中，曝光的光刻胶被溶解，形成光刻胶的微柱阵列；
e)以光刻胶微柱阵列为刻蚀掩模，利用深硅刻蚀工艺将结构传递至硅层，获得周期性的沟槽结构，最终获得t型多层沟槽复合微米结构；
f)在t型多层沟槽复合微米结构外部包裹sio2层，对t型多层沟槽复合微米结构表面进行防粘处理，获得具备超双疏性能的表面。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述衬底为玻璃或金属；其中金属为铁、镍或铜；所述硅层厚度为3-5微米。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述光刻胶为az5214光刻胶或s1813光刻胶；光刻掩模版为方形阵列图案。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述光刻胶层厚度为0.5-1.5微米；旋涂的转速为3000-6000转/分钟，旋涂时间为40-60s；预烘固化的温度为90-120℃，预烘固化的时间为1-3min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述紫外光的光强为20-50mj/cm2，曝光时间为2-10s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤d)中所述显影液为az300mif显影液，显影时间为20-50s。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤e)中所述深硅刻蚀工艺的参数为：每个循环的钝化时间为1-2s，刻蚀时间为2-4s；每个循环刻蚀高度为0.5-1微米；刻蚀循环周期为3-15圈。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤e)中所述t型多层凹槽复合微米结构的t型顶部“帽子”厚度为0.5-1.5微米；顶部“帽子”直径为3-50微米；顶部直径与下层柱子直径差为0.5-1.5微米；下层柱子高度为3-30微米。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤f)中包裹sio2层的方法为等离子体增强化学气相沉积技术；包裹的sio2层厚度为20-40nm。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤f)中所述的防粘处理为：在真空系统中，以全氟烷基氯硅烷蒸汽处理，在85-100℃氛围中静置2-4小时使其挥发至样品表面从而完成表面改性。