技术特征：
1.一种mems器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜；执行第一退火步骤；在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜；在所述牺牲材料层上形成背板；执行第二退火步骤；去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述振膜和所述背板的材料相同；和/或所述振膜和所述背板的形成工艺相同。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二退火步骤的温度小于所述第一退火步骤的温度。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述振膜和所述背板的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一退火步骤的温度为1015℃-1030℃，时间为95min～115min；所述第二退火步骤的温度为970℃-980℃，时间为95min～115min。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述振膜的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor；和/或所述背板的生长温度为540℃～560℃，压力为200mtor～300mtor。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还进一步包括：图案化所述半导体衬底，以形成露出所述振膜的背腔。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成所述振膜之前，所述制备方法还包括在所述半导体衬底上形成绝缘层的步骤。9.一种mems器件，其特征在于，所述mems器件通过权利要求1至8之一所述制备方法制备得到。10.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求9所述的mems器件。
技术总结
本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜；执行第一退火步骤；在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜；在所述牺牲材料层上形成背板；执行第二退火步骤；去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔。所述方法通过多道退火步骤结合分开调整各层的应力，达到目前淀积条件调整方法无法达到的各层应力要求同时提高工艺的稳定性和窗口，所述方法还可以将膜层的形成条件一致化，提高炉管的产能利用率。提高炉管的产能利用率。提高炉管的产能利用率。
技术研发人员：徐海宁 陈腾飞 李召峰
受保护的技术使用者：无锡华润上华科技有限公司
技术研发日：2020.12.23
技术公布日：2022/6/24