技术特征：
1.一种半导体结构，包括：第一基底，第一基底具有第一限定面以及与第一限定面在基底的厚度方向上相对的第一非限定面；第二基底，第二基底具有第二限定面以及与第二限定面在基底的厚度方向上相对的第二非限定面，第一限定面与第二限定面彼此对置；金属密封圈结构，设置在第一限定面与第二限定面之间，密封圈结构、第一限定面和第二限定面限定容纳空间；mems器件，所述容纳空间适于容纳mems器件，所述mems器件包括输入端、输出端和至少一个接地端，其中：接地端、输入端和输出端中的一个端为与所述密封圈结构电连接的电连接端。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：所述第一基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第一导电盘，所述多个第一导电盘中的一个第一导电盘在第一基底处与所述密封圈结构直接电连接，所述一个第一导电盘与所述电连接端对应。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：所述第二基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第二导电盘，所述多个第二导电盘中的一个第二导电盘与所述密封圈电连接，所述第二导电盘与所述第一导电盘均与所述电连接端对应。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：所述第一基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第一导电盘，所述多个第一导电盘中的一个第一导电盘在第一基底处与所述密封圈结构间隔开，所述一个第一导电盘与所述电连接端对应；且所述第二基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第二导电盘，所述多个第二导电盘中的一个第二导电盘与所述密封圈电连接，所述一个第二导电盘与所述电连接端对应。5.根据权利要求3或4所述的谐振器，其中：所述半导体结构还包括沿密封圈结构的周向方向彼此间隔开的多个导通部，所述导通部在第二基底的厚度方向上延伸；所述导通部的一端与所述密封圈结构电连接、另一端处于第二基底的非限定面而与对应的第二导电盘电连接。6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：至少两个导通部的另一端同时与所述电连接端电连接。7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：所述密封圈结构内包括金属密封环；所述多个导通部沿密封环的周向方向彼此间隔开布置。8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中：所述电连接端为输入或者输出端。9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中：
所述电连接端为接地端。10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中：所述多个接地端包括与输入端在电学上邻近的一个接地端，所述一个接地端为所述电连接端。11.根据权利要求5所述的半导体结构，其中：所述接地端、输入端和输出端中的至少一端附近的导通部的数量少于所述接地端、输入端和输出端中的其他端附近的导通部的数量。12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中：所述接地端包括多个接地端；所述输入端和/或所述输出端附近的导通部的数量少于所述多个接地端中的一个接地端附近的导通部的数量。13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中：所述多个接地端包括与输入端在电学上邻近的一个接地端，所述一个接地端为所述电连接端；所述输入端、所述输出端以及所述多个接地端中除所述电连接端之外的接地端附近的导通部的数量均少于所述电连接端附近的导通部的数量。14.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：所述导通部与所述密封环由相同材料形成，密封环的内环面与所述容纳空间在水平方向上间隔开。15.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：所述密封圈结构包括设置在第一限定面的第一金属密封层以及设置在第二限定面的第二金属密封层，第一金属密封层与第二金属密封层彼此对置而在接合面处彼此接合，所述密封环包括自所述接合面朝向第一金属密封层内延伸的第一延伸部和/或自所述接合面朝向第二金属密封层内延伸的第二延伸部。16.根据权利要求1-15中任一项所述的半导体结构，其中：所述第一基底为功能基底，mems器件设置在所述功能基底上；且所述第二基底为封装基底。17.根据权利要求1-15中任一项所述的半导体结构，其中：所述mems器件包括滤波器，所述滤波器包括输入端、输出端和多个接地端。18.一种半导体结构的制造方法，包括步骤：提供第二基底，第二基底具有第一限定面以及与第一限定面在基底的厚度方向上相对的第一非限定面，在第一限定面设置第一金属密封层；提供第二基底，第二基底具有第二限定面以及与第二限定面在基底的厚度方向上相对的第二非限定面，在第二限定面设置第二金属密封层；将第一金属密封层与第二金属密封层彼此对置接合以形成密封圈结构，密封圈结构、第一限定面和第二限定面限定容纳空间，所述容纳空间适于容纳mems器件，所述mems器件包括输入端、输出端和至少一个接地端，所述方法还包括步骤：使得接地端、输入端和输出端中的一个端与所述密封圈结构电连接，所述一个端为电
连接端。19.根据权利要求18所述的方法，其中：所述第一基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第一导电盘；“使得接地端、输入端和输出端中的一个端与所述密封圈结构电连接”的步骤包括：使得所述多个第一导电盘中的一个第一导电盘在第一基底处与所述密封圈结构直接电连接，所述一个第一导电盘与所述电连接端对应。20.根据权利要求18所述的方法，其中：所述第二基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第二导电盘，所述多个第二导电盘中的一个第二导电盘与所述密封圈电连接，所述第二导电盘与所述第一导电盘均与所述电连接端对应。21.根据权利要求18所述的方法，其中：所述第一基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第一导电盘，所述多个第一导电盘中的一个第一导电盘在第一基底处与所述密封圈结构间隔开，所述一个第一导电盘与所述电连接端对应；所述第二基底设置有与所述输入端、输出端和接地端对应的多个第二导电盘；“使得接地端、输入端和输出端中的一个端与所述密封圈结构电连接”的步骤包括：使得所述多个第二导电盘中的一个第二导电盘与所述密封圈电连接，所述一个第二导电盘与所述电连接端对应。22.根据权利要求18所述的方法，其中：形成密封圈结构的步骤包括：在所述接合面处形成环状空间，所述环状空间的内侧界面与所述容纳空间在水平方向上间隔开；形成沿基底的厚度方向贯穿通过对应基底以及穿过对应的金属密封层的至少一部分的多个延伸通道，所述延伸通道的一端开口于所述对应基底的非限定面，所述延伸通道的另一端与所述筒形环状空间相通，所述多个延伸通道沿环状空间在周向方向上间隔开布置；利用所述延伸通道在环状空间内填充金属，填充在环状空间内的金属形成密封环，填充在延伸通道内的金属形成导通部，所述密封环与所述第一金属密封层和第二金属密封层密封接合，且使得至少一个所述导通部与所述电连接端电连接。23.根据权利要求22所述的方法，其中：使得至少一个所述导通部的处于所述非限定面的一端与接地端、输入端或者输出端中的一个彼此电连接。24.根据权利要求22所述的方法，其中：使得至少一个所述导通部与输入端或者输出端彼此电连接。25.根据权利要求22所述的方法，其中：所述多个接地端包括与输入端在电学上邻近的一个接地端，所述与输入端在电学上邻近的一个接地端为第一接地端；所述方法包括步骤：使得至少一个所述导通部与所述第一接地端彼此电连接，所述第一接地端构成所述电连接端。
26.根据权利要求22所述的方法，其中：在形成延伸通道的步骤中，使得所述接地端、输入端和输出端中的至少一端附近的延伸通道的数量少于所述接地端、输入端和输出端中的其他端附近的延伸通道的数量。27.根据权利要求26所述的方法，其中：所述多个接地端包括与输入端在电学上邻近的一个接地端，所述与输入端在电学上邻近的一个接地端为第一接地端；在形成延伸通道的步骤中，使得所述输入端、所述输出端以及所述多个接地端中除第一接地端之外的接地端附近的延伸通道的数量均少于所述第一接地端附近的延伸通道的数量；且在环状空间内填充金属的步骤中，使得至少一个所述导通部的处于所述非限定面的一端与所述第一接地端彼此电连接。28.一种mems装置，包括根据权利要求1-17中任一项所述的半导体结构。29.一种电子设备，包括根据权利要求28所述的mems装置，或者根据权利要求1-17中任一项所述的半导体结构。
技术总结
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，一种MEMS装置和一种电子设备。半导体结构包括：第一基底，具有第一限定面；第二基底，具有第二限定面，第一限定面与第二限定面彼此对置；金属密封圈结构，设置在第一限定面与第二限定面之间，密封圈结构、第一和第二限定面限定容纳空间；MEMS器件，容纳空间适于容纳MEMS器件，MEMS器件包括输入端、输出端和至少一个接地端，其中：接地端、输入端和输出端中的一个端为与所述密封圈结构电连接的电连接端。端为与所述密封圈结构电连接的电连接端。端为与所述密封圈结构电连接的电连接端。
技术研发人员：蔡华林 庞慰 张巍 季艳丽
受保护的技术使用者：诺思（天津）微系统有限责任公司
技术研发日：2020.12.24
技术公布日：2022/6/28