1.一种mems器件晶圆级封装方法，其特征在于，包括：
在盖板基板(101)的第一端沿第一预设位置的外周开设开槽(1012)；
在所述盖板基板(101)的所述第一端安装载板(105)，所述第一预设位置的所述盖板基板(101)连接在所述载板(105)上；
去除所述盖板基板(101)的与所述第一端相对的第二端的材料，使所述开槽(1012)为通槽(1011)；
在所述盖板基板(101)的所述第二端的第二预设位置设置第一胶层(201)；
mems晶圆(301)包括器件结构和设置在所述器件结构四周的金属垫(302)，所述第一预设位置对应的所述盖板基板(101)和所述第一胶层(201)封装所述器件结构，所述金属垫(302)与所述通槽(1011)相对设置；
去除所述载板(105)，形成mems器件晶圆级封装结构。
2.根据权利要求1所述的mems器件晶圆级封装方法，其特征在于，去除所述载板(105)之后还包括，在所述金属垫(302)上焊锡。
3.根据权利要求2所述的mems器件晶圆级封装方法，其特征在于，
在所述盖板基板(101)的所述第一端沿所述第一预设位置开设所述开槽(1012)之前还包括，在所述盖板基板(101)上设置第二胶层(102)，并在所述第一预设位置去除所述第二胶层(102)；
在所述盖板基板(101)的所述第一端沿所述第一预设位置开设所述开槽(1012)之后还包括，去除剩余的所述第二胶层(102)。
4.根据权利要求2所述的mems器件晶圆级封装方法，其特征在于，
在所述盖板基板(101)的所述第一端安装所述载板(105)之前还包括，在所述盖板基板(101)的所述第一端设置第三胶层，所述盖板基板(101)与所述载板(105)通过所述第三胶层粘接；
去除所述载板(105)之后还包括，去除所述第三胶层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的mems器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述mems器件晶圆级封装方法还包括：
在所述盖板基板(101)的第二端压接干膜，去除所述第二预设位置以外的所述干膜，以在所述第二预设位置形成所述第一胶层(201)。
6.根据权利要求1-4任一项所述的mems器件晶圆级封装方法，其特征在于，所述盖板基板(101)与所述mems晶圆(301)通过红外线进行对位，以使所述第一预设位置对应的所述盖板基板(101)和所述器件结构、以及所述通槽(1011)与所述金属垫(302)分别相对设置。
7.一种mems器件晶圆级封装结构，其特征在于，通过权利要求1-6任一项所述的mems器件晶圆级封装方法制成，包括：
mems晶圆(301)，包括器件结构和设置在所述器件结构四周的金属垫(302)；
盖板基板(101)，包括至少两个分板，各个所述分板分别与所述器件结构对应设置，所述金属垫(302)设置在各个所述分板四周，所述盖板基板(101)连接在所述mems晶圆(301)上；
干膜，连接在所述盖板基板(101)和所述mems晶圆(301)之间，所述盖板基板(101)和所述干膜封装所述器件结构。
8.根据权利要求7所述的mems器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述金属垫(302)上焊接锡球(304)。
9.根据权利要求8所述的mems器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述金属垫(302)和所述锡球(304)之间设置有保护层(303)。
10.根据权利要求8或9所述的mems器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述锡球(304)的高度不小于100um。