技术特征：
1.一种基于fib的微纳结构制备方法，其特征在于，包括：选择尺寸为1
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1cm2的基底，将厚度为20～100nm的金膜镀至基底表面，通过fib加工方法，采用平行模式在含有金膜的基底表面上，进行阵列结构加工：加工数量为20
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20～40
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40的圆孔阵列；圆孔的直径为100～500nm；深度为30～100nm；相邻圆孔的间距为-30～200nm；得到具有微纳结构的金膜基底。2.根据权利要求1所述的基于fib的微纳结构制备方法，其特征在于，所述基底为sio2基底。3.根据权利要求2所述的基于fib的微纳结构制备方法，其特征在于，所述金膜的厚度为100nm。4.根据权利要求3所述的基于fib的微纳结构制备方法，其特征在于，所述圆孔的深度为60nm。5.根据权利要求4所述的基于fib的微纳结构制备方法，其特征在于，所述圆孔的直径为350nm。6.根据权利要求4所述的基于fib的微纳结构制备方法，其特征在于，相邻所述圆孔间的间距为150nm。
技术总结
本发明公开了一种基于FIB制备的微纳结构制备方法，包括：选择尺寸为1
技术研发人员：张景然 张坤朋 贾天棋 石广丰 李晶 张心明
受保护的技术使用者：长春理工大学
技术研发日：2021.10.09
技术公布日：2022/1/11