锰钛共掺杂砷酸盐发光材料、制备方法及其应用的制作方法

锰钛共掺杂砷酸盐发光材料、制备方法及其应用的制作方法
【专利摘要】一种锰钛共掺杂砷酸盐发光材料，其化学式为Me6As2O11：xMn4+,yTi4+，Me6As2O11是基质，Mn4+和Ti4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，y为0.005～0.03，Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。该锰钛共掺杂砷酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在650nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该锰钛共掺杂砷酸盐发光材料的制备方法及其应用。
【专利说明】锰钛共掺杂砷酸盐发光材料、制备方法及其应用 【【技术领域】】
[0001] 本发明涉及一种锰钛共掺杂砷酸盐发光材料、其制备方法、锰钛共掺杂砷酸盐发 光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。 【【背景技术】】
[0002] 薄膜电致发光显示器（TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角 大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至 全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显 不器的猛钛共掺杂砷酸盐发光材料，仍未见报道。 【
【发明内容】
】
[0003] 基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的锰钛共掺杂砷酸盐发光材 料、其制备方法、锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该锰钛共掺杂砷酸盐发光 材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。
[0004] 一种锰钛共掺杂砷酸盐发光材料，其化学式为MeAhOn :xMn4+，yTi4+，Me6As20 n是 基质，Mn4+和Ti4+离子是激活元素，其中，x为0. 01?0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元 素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。
[0005] 所述 X 为 0· 03, y 为 0· 01。
[0006] 一种锰钛共掺杂砷酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤：
[0007] 根据Me6As20n :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和Ti02粉体 并混合均匀，其中，x为0. 01?0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡 元素和锌元素中的一种；及
[0008] 将混合均匀的粉体在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时即得到化学式为 MeAsWn :xMn4+，yTi4+的锰钛共掺杂砷酸盐发光材料。
[0009] 一种锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜，该锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的材料的化学通 式为Me 6As20n :xMn4+，yTi4+，Me6AS20 n是基质，Mn4+和Ti4+离子是激活元素，其中，X为0. 01? 0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素和锌元素中的一种。
[0010] 一种锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0011] 根据Me6As20n :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和Ti02粉体 并混合均匀，其中，x为0. 01?0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡 元素和锌元素中的一种；
[0012] 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度 设置为 1. ο X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa ;及
[0013] 调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强 0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C，接着进行制 膜，得到化学式为MeAsWn :xMn4+，yTi4+的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜。
[0014] 还包括步骤：将所述锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火处 理lh?3h。
[0015] 一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光 层以及阴极层，所述发光层的材料为锰钛共掺杂砷酸盐发光材料，该锰钛共掺杂砷酸盐发 光材料的化学式为MeeAsWn :xMn4+，yTi4+，MeAsWn是基质，Mn4+和Ti 4+离子是激活元素，其 中，X为0. 01?0. 05,y为0. 005?0. 03,Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素和锌元素中 的一种。
[0016] 一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0017] 提供具有阳极的衬底；
[0018] 在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为锰钛共掺杂砷酸盐发光材料，该 锰钛共掺杂砷酸盐发光材料的化学式为MeAsWn :xMn4+，yTi4+，Me6AS20 n是基质，Mn4+和Ti4+ 离子是激活元素，其中，X为〇. 01?〇. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、I丐元素、银元 素、钡元素和锌元素中的一种；
[0019] 在所述发光层上形成阴极。
[0020] 所述发光层的制备包括以下步骤：
[0021] 根据Me6As20n :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和Ti02粉体 并混合均匀在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时制成靶材，其中，x为0. 01?0. 05， y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素和锌元素中的一种；
[0022] 将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真 空度设置为 1. 〇 X l〇_3Pa ?1. 0 X 10_5Pa ;
[0023] 调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强 0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C，接着进行制 膜，在所述阳极上形成发光层。
[0024] 还包括步骤：将所述锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火处 理lh?3h。
[0025] 上述锰钛共掺杂砷酸盐发光材料（MeAsWn :xMn4+，yTi4+)制成的发光薄膜的电致 发光光谱（EL)中，在650nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。 【【专利附图】

【附图说明】】
[0026] 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；
[0027] 图2为实施例1制备的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的电致发光谱图；
[0028] 图3为实施例1制备的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的拉曼光谱；
[0029] 图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与亮度之间的 关系曲线图。 【【具体实施方式】】
[0030] 下面结合附图和具体实施例对锰钛共掺杂砷酸盐发光材料、其制备方法、锰钛共 掺杂砷酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0031] -实施方式的猛钛共掺杂砷酸盐发光材料，其化学式为Me6As20 n :xMn4+, yTi4+， MeAsWn是基质，Mn4+和Ti4+离子是激活元素，其中，x为0. 01?0. 05，y为0. 005?0. 03， Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。
[0032] 优选的，X 为 0· 03, y 为 0· 01。
[0033] 该猛钛共掺杂砷酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL)中，在650nm 波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。
[0034] 上述锰钛共掺杂砷酸盐发光材料的制备方法，包括以下步骤：
[0035] 步骤S11、根据Me6As20n :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和 Ti〇2粉体并混合均匀，其中，x为0. 01?0. 05,y为0. 005?0. 03,Me为镁元素、钙元素、锶 元素、钡元素和锌元素中的一种；及
[0036] 将混合均匀的粉体在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时即得到化学式为 MeAsWn :xMn4+，yTi4+的锰钛共掺杂砷酸盐发光材料。
[0037] 该步骤中，优选的，X为0· 03, y为0· 01。
[0038] 步骤S12、将混合均的粉体在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时即可得到锰 钛共掺杂砷酸盐发光材料，其化学式为MeAsWn :xMn4+，yTi4+。
[0039] 该步骤中，优选的在1250°C下烧结3小时。
[0040] 一实施方式的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜，该锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的材料 的化学通式为MeAsWn :xMn4+，yTi4+，MeAsWn是基质，Mn4+和Ti 4+离子是激活元素，其中，X 为0. 01?0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素和锌元素中的一 种。
[0041] 优选的，X 为 0· 03, y 为 0· 01。
[0042] 上述锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0043] 步骤S21、按Me6As20n :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和 Ti〇2粉体并混合均匀，其中，x为0. 01?0. 05,y为0. 005?0. 03,Me为镁元素、钙元素、锶 元素、钡元素和锌元素中的一种。
[0044] 该步骤中，优选的，X为0. 03, y为0. 01，在1250°C下烧结3小时成直径为50mm，厚 度为2mm的陶瓷靶材。
[0045] 步骤S22、将步骤S21中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体， 并将真空腔体的真空度设置为1. ox l(T3Pa?1. OX 10_5Pa。
[0046] 该步骤中，优选的，真空度为5X10_4Pa。
[0047] 步骤S23、调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作 压强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C ;接着 进行制膜，得到化学式为MeAsWn :xMn4+，yTi4+的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜。
[0048] 还包括步骤：将所述锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火处 理lh?3h。
[0049] 该步骤中，优选的基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氧气，工 作气体的流量为25 SCCm，衬底温度为500°C。
[0050] 请参阅图1，一实施方式的薄膜电致发光器件100,该薄膜电致发光器件100包括 依次层叠的衬底1、阳极2、发光层3以及阴极4。
[0051] 衬底1为玻璃衬底。阳极2为形成于玻璃衬底上的氧化铟锡（ΙΤ0)。发光层3的 材料为猛钛共掺杂砷酸盐发光材料，该猛钛共掺杂砷酸盐发光材料的化学式为Me6As2O n : xMn4+，yTi4+，11^82011是基质，Mn 4+和Ti4+离子是激活元素，其中，X为0.01?0.05, y为 0. 005?0. 03, Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。阴极4的材质为 银(Ag)。
[0052] 上述薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0053] 步骤S31、提供具有阳极2的衬底1。
[0054] 本实施方式中，衬底1为玻璃衬底，阳极2为形成于玻璃衬底上的氧化铟锡（ΙΤ0)。 具有阳极2的衬底1先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗并用对其进行氧等离子处 理。
[0055] 步骤S32、在阳极2上形成发光层3,发光层3的材料为锰钛共掺杂砷酸盐发光材 料，该锰钛共掺杂砷酸盐发光材料的化学式为Me 6As20n :xMn4+，yTi4+，Me6As20 n是基质，Mn4+ 和Ti4+离子是激活元素，其中，x为0. 01?0. 05,y为0. 005?0. 03，Me为镁元素、钙元素、 锶元素、钡元素和锌元素中的一种。
[0056] 本实施方式中，发光层3由以下步骤制得：
[0057] 首先，将Me6As20n :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和Ti02 粉体并混合均匀在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时制成靶材，其中，x为0. 01? 0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素和锌元素中的一种。
[0058] 其次，将靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空 度设置为 1. 〇 X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa。
[0059] 该步骤中，优选的，真空度为5X10_4Pa。
[0060] 然后，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压 强0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C，接着进 行制膜，在阳极2上形成发光层3。
[0061] 该步骤中，优选的基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氧气，工 作气体的流量为25 SCCm，衬底温度为500°C，激光能量为300W。
[0062] 还包括步骤：将所述锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火处 理lh?3h。
[0063] 步骤S33、在发光层3上形成阴极4。
[0064] 本实施方式中，阴极4的材料为银(Ag)，由蒸镀形成。
[0065] 下面为具体实施例。
[0066] 实施例1
[0067] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 MgO, lmmol 的 As205, 0· 03mmol 的 Μη02 和0· Olmmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5. OX l(T4Pa，氧气的工作气体 流量为25SCCm，压强调节为2.0Pa，衬底温度为500°C。得到的样品化学式为Mg 6As20n : 0. 03Mn4+，0. 01Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为600°C，退火处理2h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0068] 本实施例中得到的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的化学通式为Mg6As20 n : 0. 03Μη4+, 0. 01Ti4+〇
[0069] 请参阅图2,图2所示为得到的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的电致发光谱（EL)。由 图2可以看出，电致发光谱中，在650nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发 光显不器中。
[0070] 请参阅图3,图3为实施例1制备的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的拉曼光谱，图中 的拉曼峰所示为砷酸盐特征峰，没有出现掺杂元素以及其它杂质的峰，说明掺杂元素与基 质材料形成了良好的键合。
[0071] 请参阅图4,图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与 亮度之间的关系曲线图，曲线1是电压与电流密度关系曲线，可看出该器件从电压5. 5V开 始发光，曲线2是电压与亮度关系曲线，可以看出该器件的最大亮度为148cd/m2,表明器件 具有良好的发光特性。
[0072] 实施例2
[0073] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 MgO, lmmol 的 As205, 0· Olmmol 的 Μη02 和0· 005mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在900°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 3Pa，氧气的工作气体 流量为lOsccm，压强调节为0. 5Pa，衬底温度为250°C，得到的样品的化学式为Mg6As20n : 0. 01Mn4+，0. 005Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为500°C，退火处理lh，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0074] 实施例3
[0075] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 MgO, lmmol 的 As205, 0· 05mmol 的 Μη02 和0· 03mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 5Pa，氧气的工作气体 流量为35SCCm，压强调节为4. OPa，衬底温度为750°C，得到的样品的化学式为Mg6As20n : 0. 05Mn4+，0. 03Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为800°C，退火处理3h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0076] 实施例4
[0077] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 CaO, lmmol 的 As205, 0· 03mmol 的 Μη02 和0· Olmmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5. OX l(T4Pa，氧气的工作气体 流量为25SCCm，压强调节为2. OPa，衬底温度为500°C，得到的样品的化学式为Ca6As20n : 0. 03Mn4+，0. 01Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为600°C，退火处理2h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0078] 实施例5
[0079] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 CaO, lmmol 的 As205, 0· Olmmol 的 Μη02 和 0· 005mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在900°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的 陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗 带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设 定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 3Pa，氧气的工作气体流量 为lOsccm，压强调节为0. 2Pa，衬底温度为250°C，激光能量500W。得到的样品的化学式 为CaAsWn :0. 01Mn4+，0. 005Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为 0. 01Pa，退火温度为500°C，退火处理lh，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0080] 实施例6
[0081] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 CaO, lmmol 的 As205, 0· 05mmol 的 Μη02 和0· 03mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 5Pa，氧气的工作气体 流量为35SCCm，压强调节为4. OPa，衬底温度为750°C，得到的样品的化学式为Ca6As20n : 0. 05Mn4+，0. 03Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为800°C，退火处理3h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0082] 实施例7
[0083] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 SrO, lmmol 的 As205, 0· 03mmol 的 Μη02 和0· Olmmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5. OX l(T4Pa，氧气的工作气体 流量为25SCCm，压强调节为2. OPa，衬底温度为500°C，得到的样品的化学式为Sr6As20n : 0. 03Mn4+，0. 01Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为600°C，退火处理2h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0084] 实施例8
[0085] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 SrO, lmmol 的 As205, 0. Olmmol 的 Μη02 和 0· 005mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在900°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的 陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗 带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设 定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 3Pa，氧气的工作气体流量 为lOsccm，压强调节为0. 2Pa，衬底温度为250°C，激光能量500W。得到的样品的化学式 为Sr6As20 n :0. 01Mn4+，0. 005Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为 0. 01Pa，退火温度为500°C，退火处理lh，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0086] 实施例9
[0087] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 SrO, lmmol 的 As205, 0· 05mmol 的 Μη02 和0· 03mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 5Pa，氧气的工作气体 流量为35SCCm，压强调节为4. OPa，衬底温度为750°C，得到的样品的化学式为Sr6As2On : 0. 05Mn4+，0. 03Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. OlPa，退火 温度为800°C，退火处理3h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0088] 实施例10
[0089] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 BaO, lmmol 的 As205, 0· 03mmol 的 Μη02 和0· Olmmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5. OX l(T4Pa，氧气的工作气体 流量为25SCCm，压强调节为2. OPa，衬底温度为500°C，得到的样品的化学式为Ba6As20n : 0. 03Mn4+，0. 01Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为600°C，退火处理2h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0090] 实施例11
[0091] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 BaO, lmmol 的 As205, 0. Olmmol 的 Μη02 和 0· 005mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在900°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的 陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗 带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设 定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 3Pa，氧气的工作气体流量 为lOsccm，压强调节为0. 2Pa，衬底温度为250°C，激光能量500W。得到的样品的化学式 为Ba6As20 n :0. 01Mn4+，0. 005Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为 0. 01Pa，退火温度为500°C，退火处理lh，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0092] 实施例12
[0093] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 BaO, lmmol 的 As205, 0· 05mmol 的 Μη02 和0· 03mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 5Pa，氧气的工作气体 流量为35SCCm，压强调节为4. OPa，衬底温度为750°C，得到的样品的化学式为Ba6As20n : 0. 05Mn4+，0. 03Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为800°C，退火处理3h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0094] 实施例13
[0095] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 ZnO, lmmol 的 As205, 0· 03mmol 的 Μη02 和0· Olmmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5. OX l(T4Pa，氧气的工作气体 流量为25sCCm，压强调节为2. OPa，衬底温度为500°C，得到的样品的化学式为Zn6As2On : 0. 03Mn4+，0. 01Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. OlPa，退火 温度为600°C，退火处理2h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0096] 实施例14
[0097] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 ZnO, lmmol 的 As205,0. 01 mmol 的 Μη02 和 0· 005mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在900°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的 陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗 带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设 定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 3Pa，氧气的工作气体流量 为lOsccm，压强调节为0. 2Pa，衬底温度为250°C，激光能量500W。得到的样品的化学式 为Zr^AsWn :0. 01Mn4+，0. 005Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为 0. 01Pa，退火温度为500°C，退火处理lh，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0098] 实施例15
[0099] 选用纯度为 99. 99% 的粉体，将 6mmol 的 ZnO, lmmol 的 As205, 0· 05mmol 的 Μη02 和0· 03mmol的Ti02粉体，经过均勻混合后，在1300°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm 的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清 洗带ΙΤ0的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距 离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0Xl(T 5Pa，氧气的工作气体 流量为35SCCm，压强调节为4. OPa，衬底温度为750°C，得到的样品的化学式为Zn6As20n : 0. 05Mn4+，0. 03Ti4+的发光薄膜，然后将得到的发光薄膜在真空度中真空度为0. 01Pa，退火 温度为800°C，退火处理3h，然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
[0100] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1. 一种锰钛共掺杂砷酸盐发光材料，其特征在于：其化学式为Me6As2O n :XMn4+，yTi4+， MeAsWn是基质，Mn4+和Ti4+离子是激活元素，其中，x为0. 01?0. 05，y为0. 005?0. 03， Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。
2. 根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于：所述X为0. 03, y为0. 01。
3. -种锰钛共掺杂砷酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 根据Me6As2On :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和Ti02粉体并混 合均匀，其中，X为〇. 〇1?〇. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素 和锌元素中的一种；及 将混合均匀的粉体在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时即得到化学式为 MeAsWn :xMn4+，yTi4+的锰钛共掺杂砷酸盐发光材料。
4. 一种锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜，其特征在于，该锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的材 料的化学通式为Me 6As20n :xMn4+，yTi4+，Me6AS20 n是基质，Mn4+和Ti4+离子是激活元素，其中， X为0. 01?0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素和锌元素中的 一种。
5. -种锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 根据Me6As20n :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和Ti02粉体并混 合均匀，其中，X为〇. 〇1?〇. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素 和锌元素中的一种； 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置 为 1. 0 X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa ;及 调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强0. 2Pa? 4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35SCCm，衬底温度为250°C?750°C，接着进行制膜，得到 化学式为Me 6AS20n :xMn4+，yTi4+的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜。
6. 根据权利要求5所述的锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，还包 括步骤：将所述锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜于500°C?800°C下真空退火处理lh?3h。
7. -种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层 以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为锰钛共掺杂砷酸盐发光材料，该锰钛共掺杂 砷酸盐发光材料的化学式为Me 6As20n :xMn4+，yTi4+，Me6As20 n是基质，Mn4+和Ti4+离子是激 活元素，其中，X为0. 01?0. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素 和锌元素中的一种。
8. -种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供具有阳极的衬底； 在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为锰钛共掺杂砷酸盐发光材料，该锰钛 共掺杂砷酸盐发光材料的化学式为:xMn4+，yTi4+，Me6As 20n是基质，Mn4+和Ti4+离 子是激活元素，其中，X为〇. 01?〇. 05, y为0. 005?0. 03, Me为镁元素、I丐元素、银元素、 钡元素和锌元素中的一种； 在所述发光层上形成阴极。
9. 根据权利要求8所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的 制备包括以下步骤： 根据Me6As2On :xMn4+，yTi4+各元素的化学计量比称取MeO, As205, Μη02和Ti02粉体并混 合均匀在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时制成靶材，其中，x为0. 01?0. 05，y为 0. 005?0. 03, Me为镁元素、|丐元素、银元素、钡元素和锌元素中的一种； 将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度 设置为 1. 〇 X l(T3Pa ?L 0 X l(T5Pa ; 调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强0. 2Pa? 4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35SCCm，衬底温度为250°C?750°C，接着进行制膜，在所 述阳极上形成发光层。
10.根据权利要求8所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，还包括步骤： 将所述锰钛共掺杂砷酸盐发光薄膜于500°C?800°C下真空退火处理lh?3h。
【文档编号】C25D9/04GK104119896SQ201310150216
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月26日 优先权日:2013年4月26日
【发明者】周明杰, 陈吉星, 王平, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司