超电容电极材料的方法
【专利摘要】本发明公开了一种控电位电沉积制备(Ni)Co(OH)x超电容电极材料的方法，在泡沫镍基体上采用控电位法电沉积(Ni)Co(OH)x超电容电极材料，工艺简单、易实施，制备的超电容电极材料纯度高，沉积厚度均匀无脱落，电化学性能优异，采用循环伏安法测得泡沫镍基(Ni)Co(OH)x超电容电极材料的比电容值均在1675F/g以上，最高可达1883F/g。
【专利说明】一种控电位电沉积制备（N i) Co (OH) x超电容电极材料的方 法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及超电容电极材料的制备领域，特别涉及采用控电位电沉积的方法制备 (Ni) Co (OH) x超电容电极材料。
【背景技术】
[0002] 超级电容器作为一种新型的储能装置，与锂电池相比，其具有可用数百甚至上万 安的大电流进行快速充放电、不会爆炸燃烧、循环寿命可达数十万次的突出优势，在新能源 发电、电动汽车、消费电子、军工等领域有着极为广阔的应用前景。
[0003] Ni (OH)2、C〇(OH)2等氢氧化物因具有较大的理论比电容值、低廉的成本且对环境污 染小而备受关注。目前，Ni(0H)2、&)(011)2的制备方法主要有化学沉淀法和电沉积法，Yun 等人[Electrochimica Acta, 56(6) :2627 - 2632(2011).]用化学浴沉积法在泡沫镍表面上 得到20nm厚的多孔Ni (0H) 2或NiOOH复合物膜，其比电容值为1420F/g，但该方法制备过程 不易控制，制得产物不稳定，而且会产生大量碱性废液，造成环境污染。
[0004]
【发明者】戴玉明, 赵静涛, 王超, 巴志新, 谈玲华, 黄伟, 朱帅帅, 陶学伟 申请人:南京工程学院