技术特征：
技术总结
本发明公开了一种Si掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极的制备方法。通过阳极氧化Si质量分数为1％～10％的Ti‑Si合金制得0.5wt.％～2.0wt.％Si掺杂二氧化钛纳米管，所得纳米管阵列在500～625℃下热处理退火2小时得到锐钛矿晶型结构或锐钛矿/金红石混合晶型结构的Si掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极。本发明的Si掺杂二氧化钛纳米管阵列在可见光区域表现出较强的吸收，电极稳定性好，光解水制氢效率可高达0.57％,光解水制氢效率明显优于未掺杂二氧化钛纳米管阵列光阳极。
技术研发人员：董振标;丁冬雁;李婷;宁聪琴
受保护的技术使用者：上海交通大学
技术研发日：2017.12.19
技术公布日：2018.07.13