复杂型面环形件复合电镀埋砂装置的制作方法

文档序号:16225844发布日期:2018-12-11 20:32阅读:245来源:国知局
复杂型面环形件复合电镀埋砂装置的制作方法

本实用新型涉及一种埋砂法复合电镀装置,尤其涉及一种复杂型面环形件复合电镀埋砂装置。



背景技术:

埋砂法复合电镀是一种常见的复合电镀技术,该技术主要用于复合电镀耐磨涂层制备过程初期硬质相颗粒在工件表面特定位置粘接,该过程完成后,将多余的硬质相颗粒去除,并将工件继续在镀液中进行电沉积,使得镀层粘结相沉积至指定厚度,确保硬质相颗粒在摩擦磨损过程中不易发生脱落。这项技术被广泛应用于磨削刀具、砂轮等耐磨切削工件的表面涂层制备,近年来,在航空航天、船舶工业等耐磨部件表面涂层制造上亦有应用,典型的有Ni-cBN、Ni-SiC复合镀层等。

现有技术中,埋砂电镀工艺通常将工件埋覆在硬质颗粒中,这种方法适用于平面工件表面镀层制备;对于环形工件,尤其是表面带有复杂结构的环形工件,若简单将工件埋在硬质颗粒中,会导致工件下端埋砂过深,镀液难以渗透,造成工件表面上砂不均匀、镀层粗糙等质量问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的是提供一种复杂型面环形件复合电镀埋砂装置。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:

本实用新型的复杂型面环形件复合电镀埋砂装置,包括塑料框架,所述塑料框架包裹有细网孔尼龙滤布,所述塑料框架底部与环形工件或工装接触的部位涂有EVA热熔限位密封胶。

由上述本实用新型提供的技术方案可以看出,本实用新型实施例提供的复杂型面环形件复合电镀埋砂装置,可实现对复杂型面环形件的一次性埋砂电镀,上砂均匀、完整,相比其他上砂工艺有效率高、镀层厚度均匀、上砂效果好等优点,埋砂工艺完成后装置易去除且能重复利用。

附图说明

图1a、图1b分别为本实用新型实施例提供的复杂型面环形件复合电镀埋砂装置立面和平面结构示意图;

图2为本实用新型实施例提供的复杂型面环形件复合电镀埋砂装置在复杂型面环形件上安装后立面结构示意图;

图中:

1、环形塑料框架上边框,2、环形塑料框架下边框,3、环形塑料框架轴向塑料竖条,4、细网孔尼龙滤布,5、示例复杂型面环形工件,6、EVA热熔限位密封胶。

具体实施方式

下面将对本实用新型实施例作进一步地详细描述。本实用新型实施例中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

本实用新型的复杂型面环形件复合电镀埋砂装置,其较佳的具体实施方式是:

包括塑料框架,所述塑料框架包裹有细网孔尼龙滤布,所述塑料框架底部与环形工件或工装接触的部位涂有EVA热熔限位密封胶。

所述塑料框架为环形,包括上边框、下边框,所述上边框与下边框环之间通过轴向塑料竖条连接。

每隔120°圆心角布置一根所述轴向塑料竖条。

所述塑料框架单面涂有AB胶,所述细网孔尼龙滤布大小与塑料框架一致,并通过所述AB胶粘贴在塑料框架上,

所述细网孔尼龙滤布的网孔孔径为30目-1000目。

所述塑料框架材质为PVC或PTFE。

本实用新型的复杂型面环形件复合电镀埋砂装置,可实现对复杂型面环形件的一次性埋砂电镀,上砂均匀、完整,相比其他上砂工艺有效率高、镀层厚度均匀、上砂效果好等优点,埋砂工艺完成后装置易去除且能重复利用。能在复杂型面环形件表面高效制备均匀完整的Ni-cBN、Ni-SiC等复合镀层。

具体实施例:

如图1a、图1b、图2所示:

在图1中,环形塑料框架上下边宽一般约2-3mm,每隔120°圆心角留一轴向塑料竖条以保持框架形状稳定,宽度一般约1-2mm,框架其余部位为镂空结构,塑料框架单侧表面涂有AB胶,用于粘接尼龙滤布。

在图1a、图1b中,尼龙滤布裁剪成宽与塑料框架高度相同,长度等于塑料框架涂有AB胶一侧周长,并将尼龙滤布完整地粘贴于塑料框架上。

在图2中,将带有滤网的塑料框架套入复杂型面环形工件,塑料框架轴心于环形工件重合,在塑料框架下边沿涂覆EVA热熔胶限位密封胶。

在图2中,埋砂电镀时,将硬质砂颗粒置入滤网内表面与环形工件外表面之间的空隙中,并在镀液中超声振动均匀,随后通电实施埋砂电镀过程。

与现有技术相比,本实用新型的优势在于:

本实用新型可通过调节塑料框架的直径,精确调节埋砂量,可极大程度降低埋砂厚度,极大地降低硬质砂用量,确保埋砂电镀过程中镀液及时传质至阴极工件表面,降低硬质砂颗粒回收成本。所制备的镀层平整性好,表面硬质砂颗粒分布均匀、致密。

本实用新型极大地降低了埋砂装置对电场、镀液的遮挡,镀液在工件表面具有更好的流动性,工件表面沉积的镀层厚度更加均匀。

本实用新型在埋砂电镀工艺过程完成后,埋砂装置易去除,不仅可以有效避免装置去除过程中工件表面预镀砂的脱落,还提高了工序转换的效率。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型披露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

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