1.一种光辅助热电耦合氧析出电极，其特征在于：所述氧析出电极由基底层、光热层和催化层构成。所述基底层为ito、fto透明导电玻璃，或tio2、si/siox、fe2o3等光阳极，使用前需进行预处理；所述光热层为具有等离子共振效应的金属纳米颗粒，比如au或au合金、纳米结构ag或ag合金，采用滴涂法或电沉积法制备，颗粒粒径为50～400nm；所述催化层为金属碱式氧化物，金属为fe、co、ni、mn中一种或多种，采用电沉积法制备。
2.如权利要求1所述氧析出电极，其特征在于：所述基底层优选fto导电玻璃和n型si/siox光阳极；fto导电玻璃厚度为1～3mm，电阻为5～15ωcm-2；n型si/siox光阳极厚度为300～500μm，电阻率为1～10ωcm-2。
3.如权利要求1所述氧析出电极，其特征在于：所述光热层优选au纳米颗粒，其粒径为50～400nm，进一步优选为100～300nm。
4.如权利要求1所述氧析出电极，其特征在于：所述催化层优选碱式氧化镍niooh。
5.如权利要求1-4之一所述氧析出电极的制备方法，其特征在于：
步骤一：基底层预处理；
fto导电玻璃：将fto导电玻璃分别用溶剂(包括丙酮、乙醇)、去离子水超声依次清洗20分钟，以去除表面杂质，置于乙醇中备用；
n型si/siox光阳极：(1)将裁剪好的n型单抛硅片依次置于溶剂(包括丙酮、乙醇)、去离子水中超声清洗，取出后用去离子水冲洗并用高纯氮气吹干，之后采用rcasc-1或sc-1清洗方式，将硅片浸入浓硫酸-双氧水混合溶液中超声以去除表面存在的金属元素；(2)将步骤(1)清洗后的硅片取出用去离子水冲洗，然后放入稀氢氟酸中以溶解表面自然形成的氧化硅层；(3)将步骤(2)中的硅片取出再采取rcasc-2清洗方式，将硅片浸入水-浓盐酸-双氧水混合溶液中，70～90℃处理，在硅片表面原位生成一层致密氧化硅层；(4)将步骤(3)中的硅片取出，用去离子水冲洗并用高纯氮气吹干，置于乙醇中备用；
步骤二：所述具有表面等离子体共振效应的物质采用滴涂法或电沉积法制备；
步骤三：所述金属碱式氧化物采用电沉积法制备。
6.如权利要求5所述氧析出电极的制备方法，其特征在于：
步骤二：au纳米颗粒光热层制备；
采用两种方法之一进行光热层制备：
滴涂法：将50～200mlhaucl4溶液煮沸，加入0.5～5ml柠檬酸钠水溶液，保持5～20min得到au纳米颗粒悬浊液；自然冷却后，按100～500μlcm-2的密度将悬浊液滴涂至步骤一进行预处理的fto基底上，60～80℃烘干，在200～400℃条件下，热处理15～30min，au纳米颗粒光热层制备完毕，得到含光热层电极；
电沉积法：将步骤一进行预处理的fto基底置于haucl4溶液，在0～1.0vvs.ag/agcl的电压下进行电沉积，沉积电荷量为5～20mc，au纳米颗粒光热层制备完毕，得到含光热层电极。
7.如权利要求5所述氧析出电极的制备方法，其特征在于：
步骤三：niooh催化层制备：
用ni(no3)2配制成金属离子浓度为0.05～0.25moll-1的水溶液；将含光热层的电极置于上述金属离子溶液中，在-1.5～-0.5vvs.ag/agcl的电压下进行电沉积，沉积电荷量为10～40mc；niooh催化层制备完成，得到光辅助热电耦合氧析出电极。
8.如权利要求5所述氧析出电极的制备方法，其特征在于：
步骤二所述滴涂法中，haucl4溶液质量分数为0.005～0.05wt.％。柠檬酸钠溶液质量分数为0.5～5wt.％；步骤二所述电沉积法中，haucl4溶液浓度为0.001～0.01moll-1，haucl4溶液温度为20～50℃；步骤三所述电沉积用金属离子溶液温度为20～50℃。
9.如权利要求1-8所述氧析出电极的应用，其特征在于：所述光辅助热电耦合氧析出电极可作为质子发生电极，应用于电解水、电催化二氧化碳还原、电催化氮还原等需要消耗质子的反应体系；尤其使用碱性电解液，电解液温度为40～90℃，光照强度为0～1000mwcm-2。
10.如权利要求1-8所述氧析出电极的应用，其特征在于：使用的氧析出活性测试条件为：以1.0moll-1koh作为氧析出的电解液，测试为三电极体系，铂片作为对电极，纯度高于99.99％，饱和ag/agcl作为参比电极。