芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，包括供水管道，设置在供水管道中的压力传感器，与该压力传感器相连接的控制器，以及与该控制器相连接的增压水泵，所述控制器与增压水泵之间还设置有水压自调驱动电路，该水压自调驱动电路由输入调控电路、芯片调节电路以及输出驱动电路组成，在水压自调驱动电路中还设置有驱动补偿电路和外置芯片保护电路。本发明提供芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，大大提高了水压调节的相应速度，提升了高层用户用水的便捷性。
【专利说明】
芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统
技术领域
[0001]本发明属于水压调节系统领域，具体是指芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统。
【背景技术】
[0002]水是生命之源，在人们的日常生活中也是一种不可或缺的资源，无论是饮用、烹饪、浇灌或者拖地抹灰都离不开水。而随着建筑高度的日益提升，供水公司则需要通过高强度的水栗来确保建筑的高层能够正常的使用水源。
[0003]在日常使用时，无论水压过高或者过低都会给人带来巨大的麻烦。当水压过低时，高层的住户的正常用水会变得困难，甚至在用水高峰期时高层用户还将面临无水可用的窘境。而现有的调节水压的系统其相应速度较慢，且调节能力较差，不利于提高高层住户的用水体验。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服上述问题，提供芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，大大提高了水压调节的相应速度，提升了高层用户用水的便捷性。
[0005]本发明的目的通过下述技术方案实现:
[0006]芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，包括供水管道，设置在供水管道中的压力传感器，与该压力传感器相连接的控制器，以及与该控制器相连接的增压水栗，所述控制器与增压水栗之间还设置有水压自调驱动电路，该水压自调驱动电路由输入调控电路、芯片调节电路以及输出驱动电路组成，在水压自调驱动电路中还设置有驱动补偿电路和外置芯片保护电路。
[0007]作为优选，所述输入调节电路由三极管VTl，串接在三极管VTl的基极与集电极之间的电阻Rl，一端经电阻R2后与三极管VTl的集电极相连接、另一端顺次经电容Cl、电阻R3和二极管Dl后与三极管VTl的基极相连接的滑动变阻器RPl，以及正极与电容Cl的正极相连接、负极与电容Cl的负极相连接的电容C2组成;其中，三极管VTl的基极接12V电源，滑动变阻器RPl和电阻R2的连接点接地，二极管Dl的P极与三极管VTl的基极相连接，电容Cl的负极与滑动变阻器RPl相连接。
[0008]作为优选，所述芯片调节电路由MOS管Ql，一端接12V电源、另一端经电阻R6后与MOS管Ql的受旱季相连接的电阻R4，负极与电阻R4和电阻R6的连接点相连接、正极经电阻R5后与MOS管Ql的漏极相连接的电容C3，一端与电容C3的正极相连接、另一端与MOS管Ql的源极相连接的电阻R7，以及一端接地、另一端与MOS管Ql的源极相连接的电阻R8组成;其中，电容C3的正极接地。
[0009]作为优选，所述输出驱动电路由芯片Ul，正极与芯片Ul的OUTl管脚相连接、负极与芯片Ul的BootSl管脚相连接的电容C4，正极与芯片Ul的BootS2管脚相连接、负极与芯片Ul的0UT2管脚相连接的电容C5，以及负极与电容C5的负极相连接、正极经电阻R9后与电容C4的正极相连接的电容C6组成;其中，芯片Ul的型号为LMD18200，芯片Ul的DIR管脚与电容Cl的负极相连接，芯片Ul的PffM管脚与MOS管Ql的源极相连接，芯片Ul的Break管脚与GND管脚相连接且接地，芯片Ul的VCC管脚作为该水压自调驱动电路的电源输入端，电容C4的正极与电容C5的作为该水压自调驱动电路的电源输出端。
[0010]进一步的，所述驱动补偿电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻Rll后与三极管VT3的集电极相连接的电容C7，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与电容C7的负极相连接的电阻R10，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电感LI，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的电感L2，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接的电阻R12，一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与电容C7的负极相连接的电阻R13，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与电容C7的负极相连接的电容C8，一端与电容C8的正极相连接、另一端与三极管VT4的发射极相连接的电阻R14，以及正极与三极管VT4的发射极相连接、负极与电容C8的负极相连接的电容C9组成；其中，三极管VT2的发射极与三极管VT3的基极相连接，电容C7的正极作为该驱动补偿电路的输入端，电容C9的正极做为该驱动补偿电路的输出端，电容C7的正极与芯片Ul的VCC管脚相连接，电容C9的正极与电容C4的正极相连接。
[0011]再进一步的，所述外置芯片保护电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，串接在三极管VT5的基极与集电极之间的电阻RlO，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端经滑动变阻器RP2后与三极管VT5的发射极相连接的电阻R16，一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的电阻R17，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与三极管VT6的集电极相连接的滑动变阻器RP3，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与电阻R16和滑动变阻器RP2的连接点相连接的电阻R18，正极与三极管VT6的基极相连接、负极与电阻R16和滑动变阻器RP2的连接点相连接的电容C10，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的电阻R19，一端与三机关VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的电阻R20，以及一端接地、另一端与三极管VT7的发射极相连接的电阻R21组成;其中，电容C1的负极接地，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT7的集电极相连接，三极管VT5的基极作为该外置芯片保护电路的输入端，三极管VT7的基极作为该外置芯片保护电路的输出端，三极管VT5的基极与电阻R2和滑动变阻器RPl的连接点相连接，三极管VT7的基极与电容C3的正极相连接。
[0012]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0013]本发明的水压自调驱动电路能够根据控制器的信号自动调配对增压水栗的供电电流，从而达到调节增压水栗运行的效果，同时该水压自调驱动电路能够很好的提升对增压水栗调控的反应速度，大大提高了芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统的使用效果，通过驱动补偿电路还能过进一步的提高产品的适用范围，提高对增压水栗的供电量，通过外置芯片保护电路能够进一步调节芯片内的运行电流与电压，避免了芯片受到冲击而损坏。
【附图说明】
[0014]图1为本发明的水压自调驱动电路的电路结构图。
[0015]图2为本发明的驱动补偿电路的电路结构图。
[0016]图3为本发明的外置芯片保护电路的电路结构图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0018]实施例
[0019]芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，包括供水管道，设置在供水管道中的压力传感器，与该压力传感器相连接的控制器，以及与该控制器相连接的增压水栗，所述控制器与增压水栗之间还设置有水压自调驱动电路。
[0020]使用时，压力传感器实时对供水管道中的水压进行检测，在水压压力不足时能够及时的向控制器进行反馈，控制器接收到反馈信号后则控制水压自调驱动电路调整其输出的电流强度。其中，控制器可以采用PC电脑，将该控制器设置在监控室中不仅可以起到自动调整水压的作用，还能够更方便的使得相关管理人员了解实时的水压信息。
[0021]水压自调驱动电路能够根据控制器的信号自动调配对增压水栗的供电电流，从而达到调节增压水栗运行的效果，同时该水压自调驱动电路能够很好的提升对增压水栗调控的反应速度，大大提高了芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统的使用效果。
[0022]如图1所示，该水压自调驱动电路由输入调控电路、芯片调节电路以及输出驱动电路组成，在水压自调驱动电路中还设置有驱动补偿电路和外置芯片保护电路。
[0023]输入调节电路由三极管VTl，滑动变阻器RPl，电阻RI，电阻R2，电阻R3，电容Cl，电容C2，以及二极管Dl组成。
[0024]连接时，电阻Rl串接在三极管VTl的基极与集电极之间，滑动变阻器RPl的一端经电阻R2后与三极管VTl的集电极相连接、另一端顺次经电容Cl、电阻R3和二极管Dl后与三极管VTl的基极相连接，电容C2的正极与电容Cl的正极相连接、负极与电容Cl的负极相连接。
[0025]其中，三极管VTl的基极接12V电源，滑动变阻器RPl和电阻R2的连接点接地，二极管Dl的P极与三极管VTl的基极相连接，电容Cl的负极与滑动变阻器RPl相连接。
[0026]芯片调节电路由MOS管Ql，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，以及电容C8组成。
[0027]连接时，电阻R4的一端接12V电源、另一端经电阻R6后与MOS管Ql的受旱季相连接，电容C3的负极与电阻R4和电阻R6的连接点相连接、正极经电阻R5后与MOS管Ql的漏极相连接，电阻R7的一端与电容C3的正极相连接、另一端与MOS管Ql的源极相连接，电阻R8的一端接地、另一端与MOS管Ql的源极相连接。
[0028]其中，电容C3的正极接地。
[0029]输出驱动电路由芯片Ul，电阻R9，电容C4，电容C5，以及电容C6组成。
[0030]连接时，电容C4的正极与芯片Ul的OUTl管脚相连接、负极与芯片Ul的BootSl管脚相连接，电容C5的正极与芯片Ul的BootS2管脚相连接、负极与芯片Ul的0UT2管脚相连接，电容C6的负极与电容C5的负极相连接、正极经电阻R9后与电容C4的正极相连接。
[0031]其中，芯片Ul的型号为LMD18200，芯片Ul的DIR管脚与电容Cl的负极相连接，芯片Ul的PffM管脚与MOS管Ql的源极相连接，芯片Ul的Break管脚与GND管脚相连接且接地，芯片Ul的VCC管脚作为该水压自调驱动电路的电源输入端，电容C4的正极与电容C5的作为该水压自调驱动电路的电源输出端。
[0032]如图2所示，驱动补偿电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，电感LI，电感L2，电容C7，电容C8，电容C9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，以及电阻R14组成。
[0033]连接时，电容C7的正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻RlI后与三极管VT3的集电极相连接，电阻RlO的一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与电容C7的负极相连接，电感LI的一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接，电感L2的一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接，电阻R12的一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接，电阻R13的一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与电容C7的负极相连接，电容C8的正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与电容C7的负极相连接，电阻R14的一端与电容C8的正极相连接、另一端与三极管VT4的发射极相连接，电容C9的正极与三极管VT4的发射极相连接、负极与电容C8的负极相连接。
[0034]其中，三极管VT2的发射极与三极管VT3的基极相连接，电容C7的正极作为该驱动补偿电路的输入端，电容C9的正极做为该驱动补偿电路的输出端，电容C7的正极与芯片Ul的VCC管脚相连接，电容C9的正极与电容C4的正极相连接。
[0035]如图3所示，外置芯片保护电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，滑动变阻器1^2，滑动变阻器1^3，电容(:10，电阻1?15，电阻1?16，电阻1?17，电阻1?18，电阻1?19，电阻1?20，以及电阻R21组成。
[0036]连接时，电阻RlO串接在三极管VT5的基极与集电极之间，电阻R16的一端与三极管VT5的基极相连接、另一端经滑动变阻器RP2后与三极管VT5的发射极相连接，电阻R17的一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接，滑动变阻器RP3的一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与三极管VT6的集电极相连接，电阻R18的一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与电阻R16和滑动变阻器RP2的连接点相连接，电容ClO的正极与三极管VT6的基极相连接、负极与电阻R16和滑动变阻器RP2的连接点相连接，电阻R19的一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接，电阻R20的一端与三机关VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接，电阻R21的一端接地、另一端与三极管VT7的发射极相连接。
[0037]其中，电容ClO的负极接地，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT7的集电极相连接，三极管VT5的基极作为该外置芯片保护电路的输入端，三极管VT7的基极作为该外置芯片保护电路的输出端，三极管VT5的基极与电阻R2和滑动变阻器RPl的连接点相连接，三极管VT7的基极与电容C3的正极相连接
[0038]如上所述，便可很好的实现本发明。
【主权项】
1.芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，包括供水管道，设置在供水管道中的压力传感器，与该压力传感器相连接的控制器，以及与该控制器相连接的增压水栗，其特征在于:所述控制器与增压水栗之间还设置有水压自调驱动电路，该水压自调驱动电路由输入调控电路、芯片调节电路以及输出驱动电路组成，在水压自调驱动电路中还设置有驱动补偿电路和外置芯片保护电路。2.根据权利要求1所述的芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，其特征在于:所述驱动补偿电路由三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻Rl I后与三极管VT3的集电极相连接的电容C7，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端与电容C7的负极相连接的电阻R10，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与三极管VT2的集电极相连接的电感LI，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的电感L2，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的集电极相连接的电阻R12，一端与三极管V T 2的发射极相连接、另一端与电容C 7的负极相连接的电阻R13，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与电容C7的负极相连接的电容C8，一端与电容C8的正极相连接、另一端与三极管VT4的发射极相连接的电阻R14，以及正极与三极管VT4的发射极相连接、负极与电容C8的负极相连接的电容C9组成;其中，三极管VT2的发射极与三极管VT3的基极相连接，电容C7的正极作为该驱动补偿电路的输入端，电容C9的正极做为该驱动补偿电路的输出端。3.根据权利要求2所述的芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，其特征在于:所述外置芯片保护电路由三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，串接在三极管VT5的基极与集电极之间的电阻R10，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端经滑动变阻器RP2后与三极管VT5的发射极相连接的电阻R16，一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的电阻R17，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与三极管VT6的集电极相连接的滑动变阻器RP3，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与电阻R16和滑动变阻器RP2的连接点相连接的电阻R18，正极与三极管VT6的基极相连接、负极与电阻R16和滑动变阻器RP2的连接点相连接的电容ClO，一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与三极管VT6的基极相连接的电阻R19，一端与三机关VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的电阻R20，以及一端接地、另一端与三极管VT7的发射极相连接的电阻R21组成;其中，电容ClO的负极接地，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT5的集电极与三极管VT7的集电极相连接，三极管VT5的基极作为该外置芯片保护电路的输入端，三极管VT7的基极作为该外置芯片保护电路的输出端。4.根据权利要求3所述的芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，其特征在于:所述输入调节电路由三极管VTI，串接在三极管VTl的基极与集电极之间的电阻Rl，一端经电阻R2后与三极管VTl的集电极相连接、另一端顺次经电容Cl、电阻R3和二极管Dl后与三极管VTl的基极相连接的滑动变阻器RPl，以及正极与电容Cl的正极相连接、负极与电容Cl的负极相连接的电容C2组成；其中，三极管VTI的基极接12V电源，滑动变阻器RPI和电阻R2的连接点接地，二极管Dl的P极与三极管VTl的基极相连接，电容Cl的负极与滑动变阻器RPl相连接。5.根据权利要求4所述的芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，其特征在于:所述芯片调节电路由MOS管Ql，一端接12V电源、另一端经电阻R6后与MOS管Ql的受旱季相连接的电阻R4，负极与电阻R4和电阻R6的连接点相连接、正极经电阻R5后与MOS管Ql的漏极相连接的电容C3，一端与电容C3的正极相连接、另一端与MOS管Ql的源极相连接的电阻R7，以及一端接地、另一端与MOS管Ql的源极相连接的电阻R8组成;其中，电容C3的正极接地。6.根据权利要求5所述的芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，其特征在于:所述输出驱动电路由芯片Ul，正极与芯片Ul的OUTl管脚相连接、负极与芯片Ul的BootSl管脚相连接的电容C4，正极与芯片Ul的BootS2管脚相连接、负极与芯片Ul的0UT2管脚相连接的电容C5，以及负极与电容C5的负极相连接、正极经电阻R9后与电容C4的正极相连接的电容C6组成；其中，芯片Ul的型号为LMD18200，芯片Ul的DIR管脚与电容Cl的负极相连接，芯片Ul的P丽管脚与MOS管Ql的源极相连接，芯片Ul的Break管脚与GND管脚相连接且接地，芯片Ul的VCC管脚作为该水压自调驱动电路的电源输入端，电容C4的正极与电容C5的作为该水压自调驱动电路的电源输出端。7.根据权利要求6所述的芯片保护补偿式建筑水压自调补偿系统，其特征在于:所述电容C7的正极与芯片Ul的VCC管脚相连接，电容C9的正极与电容C4的正极相连接，三极管VT5的基极与电阻R2和滑动变阻器RPl的连接点相连接，三极管VT7的基极与电容C3的正极相连接。
【文档编号】F04B49/06GK105822534SQ201610364485
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年5月26日
【发明人】罗文彬
【申请人】成都悦翔翔科技有限公司