高纯正硅酸乙酯的充装系统的制作方法

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高纯正硅酸乙酯的充装系统。

背景技术：

半导体工艺形成氧化层的方法主要有热氧化(针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料)、低压化学气相淀积(LPCVD)、等离子增强化学气相淀积(PECVD)和常压化学气相淀积(APCVD)等，其中由于APCVD要求的气流量大，且工艺产生颗粒相对较多，目前大多数半导体工艺已很少使用。

正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD时，TEOS从液态蒸发成气态，在700～750℃、300mTOR压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min，薄膜的厚度均匀性小于3％，这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积，可在一定程度上弥补SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用，既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力，又提高了器件的电性能和成品率，同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后，SiC芯片的直流成品率得到提高，微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5dB左右，功率附加效率提升了近10％。

但现有高纯正硅酸乙酯的整个制备过程中均在负压下进行，导致充装效率较差。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题在于提供一种效率较高的高纯正硅酸乙酯的充装系统。

本实用新型提供了一种高纯正硅酸乙酯的充装系统，包括：

第一高纯正硅酸乙酯储罐；所述第一高纯正硅酸乙酯储罐与高纯正硅酸乙酯的生产系统相连通；

第二高纯正硅酸乙酯储罐；所述第二高纯正硅酸乙酯储罐与高纯正硅酸乙酯的生产系统相连通，且所述第二正硅酸乙酯储罐与第二高纯正硅酸乙酯储罐不连通；

抽真空装置；所述抽真空装置分别与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通；

加压装置；所述加压装置分别与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通；

钢瓶；所述钢瓶与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通。

优选的，还包括高压氦气装置；所述高压氦气装置与钢瓶相连通。

优选的，所述第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐通过充装管道与钢瓶相连通；所述高压氦气装置与充装管道相连通。

优选的，所述第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐的底部高于钢瓶的顶部。

优选的，还包括放空管道；所述放空管道与钢瓶相连通。

优选的，还包括驱动氮气装置；所述钢瓶上设置有阀门；所述钢瓶通过阀门与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通；所述驱动氮气装置与阀门相连通。

优选的，还包括称量装置；所述钢瓶位于称量装置上；所述驱动氮气装置与称量装置相连通。

优选的，还包括导线；所述导线缠绕于第一高纯正硅酸乙酯储罐、第二高纯正硅酸乙酯储罐及钢瓶上。

优选的，所述第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐内均设置有液位计。

本实用新型提供了一种高纯正硅酸乙酯的充装系统，包括：第一高纯正硅酸乙酯储罐；所述第一高纯正硅酸乙酯储罐与高纯正硅酸乙酯的生产系统相连通；第二高纯正硅酸乙酯储罐；所述第二高纯正硅酸乙酯储罐与高纯正硅酸乙酯的生产系统相连通，且所述第二正硅酸乙酯储罐与第二高纯正硅酸乙酯储罐不连通；抽真空装置；所述抽真空装置分别与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通；加压装置；所述加压装置分别与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通；钢瓶；所述钢瓶与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通。与现有技术相比，本实用新型通过采用第一高纯正硅酸乙酯储罐与第二高纯正硅酸乙酯储罐轮流进行充装，在充装时利用加压装置使储罐内保持正压以便于充装，而在不充装时则使储罐内保持负压以利于生产的高纯正硅酸乙酯顺利进入储罐内，从而提高了充装效率。

附图说明

图1为本实用新型提供的高纯正硅酸乙酯充装系统的示意图；

图2为本实用新型提供的高纯正硅酸乙酯充装系统的示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了一种高纯正硅酸乙酯的充装系统，包括：

第一高纯正硅酸乙酯储罐；所述第一高纯正硅酸乙酯储罐与高纯正硅酸乙酯的生产系统相连通；

第二高纯正硅酸乙酯储罐；所述第二高纯正硅酸乙酯储罐与高纯正硅酸乙酯的生产系统相连通，且所述第二正硅酸乙酯储罐与第二高纯正硅酸乙酯储罐不连通；

抽真空装置；所述抽真空装置分别与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通；

加压装置；所述加压装置分别与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通；

钢瓶；所述钢瓶与第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐相连通。

参见图1与图2，图1与图2为本实用新型提供的高纯正硅酸乙酯充装系统的示意图。

本实用新型提供的充装系统包括第一高纯正硅酸乙酯储罐；所述第一高纯正硅酸乙酯储罐与抽真空装置及加压装置相连通，优选均通过控制阀门与抽真空装置及加压装置相连通；所述第一高纯正硅酸乙酯储罐中优选还设置有液位计，用以监测储罐内高纯正硅酸乙酯的储量，当高纯正硅酸乙酯的液面低于一定位置时，与抽真空装置相连通的控制阀门打开，使第一高纯正硅酸乙酯储罐内保持负压，进而使高纯正硅酸乙酯顺利从生产系统中流入第一高纯正硅酸储罐中；当第一正硅酸乙酯储罐的液面高于一定位置时，与加压装置相连通的控制阀门打开，使第一高纯正硅酸乙酯储罐内变为正压，从而有利于高纯正硅酸乙酯充装入钢瓶中。

在本实用新型中，所述第二高纯正硅酸乙酯储罐优选也通过控制阀门与抽真空装置及加压装置相连通；所述第二高纯正硅酸乙酯储罐内优选设置有液位计，用以检测第二高纯正硅酸乙酯储罐内的液位，作用与第一高纯正硅酸乙酯储罐的作用相同，不同的是当第一高纯正硅酸乙酯储罐内保持负压时，第二高纯正硅酸乙酯储罐内保持正压，即第一高纯正硅酸乙酯储罐在接收高纯正硅酸乙酯产物时，第二高纯正硅酸乙酯储罐进行充装流程，从而整个系统的充装过程一直都在进行，提高了充装效率。

为进一步提高储罐的利用率，本实用新型提供的充装系统优选还包括第三高纯正硅酸乙酯储罐，还可优选包括第四高纯正硅酸乙酯储罐，对储罐的数量并不限制。

所述第一高纯正硅酸乙酯储罐与第二高纯正硅酸乙酯储罐均与钢瓶相连通，优选通过充装管道与钢瓶相连通，同时所述第一高纯正硅酸乙酯储罐与第二高纯正硅酸乙酯储罐两者并不相连通，即所述第一高纯正硅酸乙酯储罐与充装管道通过第一阀门相连通；所述第二高纯正硅酸乙酯储罐与充装管道通过第二阀门相连通；第一阀门与第二阀门不同时打开。

为了减少充装过程中引入杂质，所述充装管道优选与高压氦气装置相连通；通过氦气将充装管道内的杂质除去。

优选地，本实用新型提供的充装系统优选还包括放空管道；所述放空管道与充装管道相连通，用以排空充装管道内的气体。

用以充装的钢瓶可为新的钢瓶也可为使用过的钢瓶，当钢瓶为使用过的钢瓶时，其内往往还有残留的正硅酸乙酯，未避免残留物质的污染；所述钢瓶优选与高压氦气装置相连通；所述钢瓶优选与放空管道相连通；通过高压氦气装置提供氦气将钢瓶中残留的正硅酸乙酯压出，同时通过放空管道排出氦气；本实用新型提供的充装系统对钢瓶的数量也并无限制，可为一个，也可为多个。

为使充装管道及钢瓶中保持负压，利于高纯正硅酸乙酯的充装，本实用新型提供的充装系统优选还包括第二抽真空装置；所述第二抽真空装置与充装管道及钢瓶相连通。

所述钢瓶的顶部优选低于第一高纯正硅酸乙酯储罐及第二高纯正硅酸乙酯储罐的底部，同时利用压力差与液位差进行高纯正硅酸乙酯的充装；所述钢瓶上优选设置有阀门；所述钢瓶通过阀门与充装管道相连通，同时所述阀门优选还与驱动氮气装置相连通，通过驱动氮气装置控制阀门的开关。

本实用新型提供的充装系统优选还包括称量装置；所述钢瓶位于称量装置上，通过称量装置控制钢瓶内的充装量；所述称量装置优选还与驱动氮气装置相连通，即当钢瓶充装量达到目标量时，称量装置的信号反馈到驱动氮气装置，驱动氮气装置驱动氮气控制钢瓶阀门关闭，实现充装的完成。

由于高纯正硅酸乙酯的闪点较低，为46度，具有易燃的特性，而在充装的过程中，由于高纯正硅酸乙酯在管道内流动的速度很快，高纯正硅酸乙酯和管道有摩擦，会产生静电，静电会导致高纯正硅酸乙酯燃烧爆炸，非常危险。因此，为了安全考虑，所述充装系统优选还包括导线；所述导线缠绕于第一高纯正硅酸乙酯储罐、第二高纯正硅酸乙酯储罐及钢瓶上，以及充装系统中高纯正硅酸乙酯流通的管道中及充装管道外均缠绕有导线，以减少静电的产生。

在本实用新型中，所述钢瓶优选还与分析装置相连通，以便时刻分析钢瓶内高纯正硅酸乙酯的纯度。

本实用新型通过采用第一高纯正硅酸乙酯储罐与第二高纯正硅酸乙酯储罐轮流进行充装，在充装时利用加压装置使储罐内保持正压以便于充装，而在不充装时则使储罐内保持负压以利于生产的高纯正硅酸乙酯顺利进入储罐内，从而提高了充装效率。