专利名称：红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构的制作方法
技术领域：
本发明涉及的是一种气体分析仪，尤其是一种红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构。属于分析仪器领域。
炉头机构是分析仪的关键部件，它由上、下电极，石墨坩埚，气动升降机构，投料机构等组成。样品通过投料机构进入坩埚，升降机构驱动下电极及置于其上的石墨坩埚与上电极相接触，低压大电流导通，电能转化为热能，使坩埚内的样品燃烧变成气体，再通过红外传感器等进行检测及数据处理，获得样品中氮氢氧等元素的含量分布。现有红外碳硫气体分析仪，主要存在如下关键问题，坩埚与上电极接触不良，导致热量分布不合理，使得坩埚内的样品不能完全燃烧变成气体，使测量精度受到影响。其原因主要是升降机构驱动下电极及置于其上的石墨坩埚在与上电极接触过程中有冲击，使用一段时期以后，上电极的接触部位出现磨损或变形，其次，升降机构直线导向性不好引起接触位置的偏移，从而使得坩埚口与上电极出现接触不良，接触部位局部发热，加剧了上电极接触处的变形与磨损。经对现有技术文献的检索分析，目前尚未有能有效地解决上述炉头机构缺陷红外气体分析仪的报导。
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构。
本发明的技术方案如下主要包括上电极、下电极、坩埚、气缸、机架和无氧铜垫片、无氧铜座片，无氧铜垫片设置在坩埚与上电极之间，也可直接设置在坩埚上面，无氧铜垫片上开有逸气槽，避免坩埚与上电极直接接触，而是通过这一垫片与上电极接触，接触部位将来仅需更换垫片，而不必更换上电极。
无氧铜座片设置在坩埚与下电极之间，接触处，无氧铜座片与坩埚之间中央留有一气隙，无氧铜座片与下电极之间中央也留有一气隙，使产生的热量尽可能集中在坩埚的下底部位，以使处于该坩埚底部位置处的样品获得最大的热量并完全燃烧变成气体。
升降机构采用带导向装置的气缸，并在驱动机构的电极座上设置一螺旋压缩弹簧，确保坩埚上电极有正确的接触位置，另外通过弹簧的作用，可以减轻接触冲击，还可以补偿接触部位因磨损而出现接触不良的现象。
本发明具有显著的效果和进步，1)在坩埚与上电极之间增加一垫片，接触部位磨损后，仅需更换价格昂贵的上电极；2)在坩埚与下电极之间增加一座片使产生的热量尽可能集中在坩埚的下底部位，以使处于该位置处的样品获得最大的热量并完全燃烧变成气体，提高了测量精度的可靠性；3)采用带导向装置的气缸和螺旋压缩弹簧可以确保坩埚与上电极有正确的接触位置，减轻接触冲击，补偿接触部位因磨损而出现接触不良的现象。
以下结合附图进一步描述
图1本发明结构示意2本发明结构局部放大示意3本发明工作状态局部放大示意4无氧铜垫片示意5无氧铜座片示意图如图1、图2、图3、图4和图5所示，本发明主要包括上电极(1)、下电极(2)、坩埚(3)、气缸(4)、机架(5)和无氧铜垫片(6)、无氧铜座片(7)，无氧铜垫片(6)设置在坩埚(3)与上电极(1)之间，也可直接设置在坩埚(3)上面，无氧铜垫片(6)上开有逸气槽，避免坩埚(3)与上电极(1)直接接触，而是通过这一垫片(6)与上电极(1)接触，接触部位仅需更换垫片(6)，而不必更换上电极(1)。
无氧铜座片(7)设置在坩埚(3)与下电极(2)之间，接触处，无氧铜座片(7)与坩埚(3)之间中央留有一气隙，无氧铜座片(7)与下电极(2)之间中央也留有一气隙，使产生的热量尽可能集中在坩埚(3)的下底部位，以使处于该坩埚(3)底部位置处的样品获得最大的热量并完全燃烧变成气体。
升降机构采用带导向装置的气缸(4)，并在驱动机构的电极座上设置一螺旋压缩弹簧(8)，确保坩埚(3)上电极有正确的接触位置，另外通过弹簧(8)的作用，可以减轻接触冲击，还可以补偿接触部位因磨损而出现接触不良的现象。
权利要求
1.一种红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构主要包括上电极(1)、下电极(2)、坩埚(3)、气缸(4)、机架(5)，其特征在于还包括无氧铜垫片(6)、无氧铜座片(7)、无氧铜垫片(6)设置在坩埚(3)与上电极(1)之间，也可直接设置在坩埚(3)上面，无氧铜座片(7)设置在坩埚(3)与下电极(2)之间。
2.根据权利要求1所述的这种红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构，其特征还在于升降机构采用带导向装置的气缸(4)，并在驱动机构的电极座上设置一螺旋压缩弹簧(8)。
3.根据权利要求1所述的这种红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构，其特征还在于无氧铜垫片(6)上开有逸气槽。
4.根据权利要求1所述的这种红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构，其特征还在于无氧铜座片(7)与坩埚(3)之间中央留有一气隙，无氧铜座片(7)与下电极(2)之间中央也留有一气隙。
全文摘要
红外氮氢氧气体分析仪的炉头机构主要包括上电极、下电极、坩埚、气缸、机架和无氧铜垫片、无氧铜座片,无氧铜垫片设置在坩埚与上电极之间,也可直接设置在坩埚上面,无氧铜座片设置在坩埚与下电极之间。
文档编号G01N21/35GK1276524SQ0011948
公开日2000年12月13日 申请日期2000年7月20日 优先权日2000年7月20日
发明者高雪官, 李柱国 申请人:上海交通大学