专利名称：一种测量刻蚀机反应腔室漏率的方法
技术领域：
本发明涉及半导体刻蚀领域，具体涉及一种测量刻蚀机反应腔室漏率的方法。
背景技术：
刻蚀机的反应腔室要求必须要有很好的密封性，这是因为在进行工艺试验时，需要气体的压力能控制在30mTorr左右，这就对腔室的密封性要求很高，使腔室工作在可控条件下；同时，因为进行工艺时，会使用到一些有毒气体，所以也必须保证腔室的密封，以防止气体泄漏对人体产生危害。在反应腔室投入使用前，都需要进行漏率的测量；如果在工艺试验中出现压力不可控的情况，也需要测量漏率，从而查找原因。
目前对于漏率的测量是由人参与来完成的。没有形成一个独立的功能单元，本方法提供了一个解决方法，使使用者能便捷的获得漏率值。
发明内容
(一)要解决的技术问题本发明的目的是提供一种便捷、有效的测量刻蚀机反应腔室漏率的方法。
(二)技术方案为达到上述目的，本发明的方法包括如下步骤(1)漏率测量程序启动；
(2)漏率测量程序检测反应腔室的类型，并根据反应腔室类型从数据表中选择该类型反应腔室对应的气压稳定时间T1、测量间隔时间T2；(3)将反应腔室抽真空至真空压力P，然后将反应腔室的所有进气口封闭；(4)延时T1时间；(5)测量腔室初始压力P1，延时时间T2后，测量腔室的结束压力P2；(6)计算(P2-P1)/T2即可得到腔室的漏率。
其中，还包括所述数据表中的反应腔室类型、气压稳定时间、测量间隔时间的对应关系由用户根据工艺需要添加和设置。
其中，所述数据表的对应关系中还包括反应腔室的漏率允许值Y。
(三)有益效果由于采用以上技术方案，本发明在工艺过程中，能适用于各种不同类型的反应腔室，并且测试过程全部由计算机完成，使使用者能便捷的获得漏率值。
图1是本发明所述方法的计算机控制设备连接示意图；图2是本发明所述方法的硬件设备结构示意图；图3是本发明所述方法的程序流程图；以上附图中，1、阀门；2、摆阀；3、阀门；4、分子泵；5、干泵；6、压力规；7、反应腔室；11、工控机；12、CPCI板卡。
具体实施例方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明的计算机控制设备连接图如图1所示，晶片刻蚀工艺中，工控机11通过CPCI(Compact Peripheral Component Interconnect，紧凑式外围设备互联)板块12与各种受控器件连接，包括阀门1、摆阀2、阀门3、分子泵4、干泵5和压力规6。
如图2所示，压力规6置于反应腔室7内，用于实时测量反应腔室7的压力值。
如图3所示，漏率测量程序启动时，检测反应腔室的类型，并根据反应腔室类型，从数据表中读取对应的气压稳定时间为T1、测量间隔时间为T2和漏率允许值Y；依次关闭摆阀2、阀门3和阀门1，打开干泵5，读取压力规6的压力值，若压力值大于80mTorr，则打开阀门1，并且每隔两分钟检测一次压力规6的压力值，直至压力值小于80mTorr；关闭阀门1，打开摆阀2、阀门3和分子泵4，当压力规6的压力值小于1mTorr时，关闭摆阀2；延时T1，此时反应腔室的压力至稳定状态，记录压力规5的压力值为P1，延时T2时间，记录压力规5的压力值为P2；计算(P2-P1)/T2即可得到腔室的漏率；若腔室的漏率(P2-P1)/T2＞Y，则发出告警。
权利要求
1.一种测量刻蚀机反应腔室漏率的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤(1)漏率测量程序启动；(2)漏率测量程序检测反应腔室的类型，并根据反应腔室类型从数据表中选择该类型反应腔室对应的气压稳定时间T1、测量间隔时间T2；(3)将反应腔室抽真空至真空压力P，然后将反应腔室的所有进气口封闭；(4)延时T1时间；(5)测量腔室初始压力P1，延时时间T2后，测量腔室的结束压力P2；(6)计算(P2-P1)/T2即可得到腔室的漏率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述数据表中的反应腔室类型、气压稳定时间、测量间隔时间的对应关系由用户根据工艺需要添加和设置。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述数据表的对应关系中还包括反应腔室的漏率允许值Y。
全文摘要
本发明涉及半导体刻蚀领域，本发明提供了一种测量刻蚀机反应腔室漏率的方法，本发明的方法建立了一个数据表，该数据表保存了各种反应腔室的类型对应的气压稳定时间和测量间隔时间数据，漏率检测程序启动后，自动检测反应腔室类型，并根据数据表中的数据，设定相应的气压稳定时间和测量间隔时间，本发明的技术方案能适用于各种不同类型的反应腔室，并且测试过程全部由计算机完成，使使用者能便捷的获得漏率值。
文档编号G01M3/32GK1847814SQ20051012644
公开日2006年10月18日 申请日期2005年12月9日 优先权日2005年12月9日
发明者张京华 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司