一种金薄膜的反应离子刻蚀方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及粉末冶金技术领域，具体涉及一种金薄膜的反应离子刻蚀方法。
【背景技术】
[0002]金由于具有电导率高、热导率高、化学稳定性好和耐蚀性好等优点，常作为薄膜器件和半导体器件的导电层材料，用以完成电信号的传输。导电金层图形化可以通过刻蚀技术实现，它包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种。由于湿法刻蚀在溶液中完成，遵守各向同性的刻蚀机理，具有速度快、装置简易和操作简便等优点，但是刻蚀精度低，容易出现钻蚀现象等缺点使其不适合用于特征尺寸小于3um的微细图形加工。
【发明内容】
[0003]本发明旨在提出一种一种金薄膜的反应离子刻蚀方法。
[0004]本发明的技术方案在于:
一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，包括以下步骤:
步骤1:沉积薄膜:在清洗后的玻璃基片上沉积厚度为500nm厚的Au薄膜，膜厚均匀性控制在5%以内；
步骤2:获得刻蚀掩膜:使用光刻胶旋涂方法在Au薄膜上匀胶，并通过曝光和显影获得刻蚀掩膜；
步骤3:干法刻蚀:
(1)在密闭的真空腔室内抽取高真空度至10Pa，以上基板为阳极，与外壳互连接地，下极板为阴极，接入负偏压，基片放置在阴极上；
(2)反应气体从上部通人，反应后连同被刻物被位于腔体下部的真空泵管路抽走。
[0005]优选地，干法刻蚀中，偏压分别选择300V，刻蚀气体使用Ar气、O2气或其混合气体，气体流量设定为20mL / min，反应腔室内的工作气压为0.45 Pa?5.00 Pa，刻蚀时间为 5min ?20mino
[0006]更优选地，刻蚀过程中在阴极底部通人循环冷却水对基片进行冷却。
[0007]或者优选地，沉积薄膜采用磁控溅射工艺方法。
[0008]或者优选地，匀胶采用光刻胶旋涂工艺方法。
[0009]本发明的技术效果在于:
本发明提供的方法简单，易于操作，通过本发明提供的方法得带的产品结构稳定，性能优良；且本发明提供的刻蚀技术刻蚀过程简便且速率可控，适于大范围推广使用。
【具体实施方式】
[0010]一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，包括以下步骤:
步骤1:沉积薄膜:在清洗后的玻璃基片上沉积厚度为500nm厚的Au薄膜，膜厚均匀性控制在5%以内； 步骤2:获得刻蚀掩膜:使用光刻胶旋涂方法在Au薄膜上匀胶，并通过曝光和显影获得刻蚀掩膜；
步骤3:干法刻蚀:
(1)在密闭的真空腔室内抽取高真空度至lOPa，以上基板为阳极，与外壳互连接地，下极板为阴极，接入负偏压，基片放置在阴极上；
(2)反应气体从上部通人，反应后连同被刻物被位于腔体下部的真空泵管路抽走。
[0011]其中，干法刻蚀中，偏压分别选择300V，刻蚀气体使用Ar气、O2气或其混合气体，气体流量设定为20mL / min，反应腔室内的工作气压为0.45 Pa?5.00 Pa，刻蚀时间为5min ?20mino
[0012]刻蚀过程中在阴极底部通人循环冷却水对基片进行冷却。
[0013]沉积薄膜采用磁控溅射工艺方法。
[0014]匀胶采用光刻胶旋涂工艺方法。
【主权项】
1.一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，其特征在于:包括以下步骤: 步骤1:沉积薄膜:在清洗后的玻璃基片上沉积厚度为500nm厚的Au薄膜，膜厚均匀性控制在5%以内； 步骤2:获得刻蚀掩膜:使用光刻胶旋涂方法在Au薄膜上匀胶，并通过曝光和显影获得刻蚀掩膜； 步骤3:干法刻蚀: (1)在密闭的真空腔室内抽取高真空度至lOPa，以上基板为阳极，与外壳互连接地，下极板为阴极，接入负偏压，基片放置在阴极上； (2)反应气体从上部通人，反应后连同被刻物被位于腔体下部的真空泵管路抽走。
2.如权利要求1一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，其特征在于:所述的干法刻蚀中，偏压分别选择300V，刻蚀气体使用Ar气、O2气或其混合气体，气体流量设定为20mL / min,反应腔室内的工作气压为0.45 Pa?5.00 Pa，刻蚀时间为5min?20min。
3.如权利要求2—种金薄膜的反应离子刻蚀方法，其特征在于:所述的刻蚀过程中在阴极底部通人循环冷却水对基片进行冷却。
4.如权利要求1一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，其特征在于:所述的沉积薄膜采用磁控溅射工艺方法。
5.如权利要求1一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，其特征在于:所述的匀胶采用光刻胶旋涂工艺方法。
【专利摘要】本发明涉及粉末冶金技术领域，具体涉及一种金薄膜的反应离子刻蚀方法。一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，包括以下步骤：沉积薄膜；获得刻蚀掩膜；干法刻蚀。本发明提供的方法简单，易于操作，通过本发明提供的方法得带的产品结构稳定，性能优良；且本发明提供的刻蚀技术刻蚀过程简便且速率可控，适于大范围推广使用。
【IPC分类】B81C1-00, C23C14-35, H01L21-02
【公开号】CN104681409
【申请号】CN201410689309
【发明人】赵兵
【申请人】赵兵
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年11月26日