专利名称：用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种工装，尤其涉及一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性 测量的载片。
背景技术：
太阳电池作为新兴的清洁可再生能源因具有直接将太阳能转换为电能，且 寿命长、维护简单、可实现无人值守等优势而备受瞩目。太阳能电源系统取得 了越来越广泛的应用。
现有的晶体硅太阳电池片在制作过程中有一道工序是通过PECVD工艺在 硅片表面沉积一层氮化硅膜，以达到减反射的效果。PECVD工艺要求所形成 的氮化硅膜致密、均匀。为了检验其致密性，现在一般是使用一定浓度的HF 溶液对氮化硅膜进行腐蚀，膜的致密性越好，相对的腐蚀时间也越长。现有技 术在进行这种检验时， 一般是使用普通的防酸碱容器，将硅片直接放入容器内 进行腐蚀。由于没有固定装置，硅片容易移动，从而造成肉眼观察的不便。
实用新型内容
本实用新型的目的，就是为了提供一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测 量的载片。
为了达到上述目的，本实用新型采用了以下技术方案 一种用于太阳电池 片氮化硅膜致密性测量的载片，为方形薄片，中间设有一个用于放置电池片的 方形凹槽。
所述的方形凹槽的大小为127mmX127mm，深度为lmm。
所述的方形凹槽的两侧边缘上各设有一个挂钩孔。
本实用新型的载片用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量时，是将太阳电池 片固定放置在载片的凹槽内，然后用可伸縮的钩子插入载片的两个挂钩孔内勾住载片，再一起放入一个盛有HF溶液的方形容器内进行腐蚀，可以清晰地观 察到膜色的变化，能够很直观的判断太阳电池片氮化硅膜致密性的好坏。
图1是本实用新型用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片的立体结构 示意图。
具体实施方式
参见图1，本实用新型的用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片1为 方形薄片，中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽11，两侧边缘上各设有一 个挂钩孔12。其中，方形凹槽的大小为127mmX127mm (相应于太阳电池片 的最大尺寸)，深度为lmm。
权利要求1、一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片，其特征在于所述的载片为方形薄片，中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽。
2、 如权利要求l所述的用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片，其 特征在于所述的方形凹槽的大小为127mmX127imn，深度为lmm。
3、 如权利要求l所述的用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片，其 特征在于所述的方形凹槽的两侧边缘上各设有一个挂钩孔。
专利摘要本实用新型提供了一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片，该载片为方形薄片，中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽。本实用新型的载片用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量时，是将太阳电池片固定放置在载片的凹槽内，然后用可伸缩的钩子插入载片的两个挂钩孔内勾住载片，再一起放入一个盛有HF溶液的方形容器内进行腐蚀，可以清晰地观察到膜色的变化，能够很直观的判断太阳电池片氮化硅膜致密性的好坏。
文档编号G01N31/00GK201222056SQ20082005921
公开日2009年4月15日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者许瑞峰 申请人:上海太阳能科技有限公司