一种led照明灯具中芯片结温的检测方法

文档序号:6148873阅读:230来源:国知局
专利名称:一种led照明灯具中芯片结温的检测方法
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管(LED)的检测技术,特别是指一种LED 照明灯具中芯片结温的检测方法。
背景技术
节能灯组是国际发展趋势,中国在用LED节能灯应用方面已经走在世界 前列,在北京奥运上就是集中体现,并会进一步在上海世博会上得以进一步的 发展。在此高速发展的领域中,对于决定LED节能灯组可靠性的重要技术参 数一LED灯具中的LED芯片结温的有效检测技术已经远远跟不上了,但是该 技术又是LED节能灯得到快速应用发展的必要保障。
LED是利用固体半导体芯片作为发光材料,当两端加上正向电压,半导体 中的载流子发生复合而引起光子发射产生可见光。应用半导体pn结发光原理 制成LED问世于20世纪60年代初,1996年由日本Nichia公司(日亚)成功 开发出白光LED。 LED以其固有的特点,如省电、寿命长、耐震动、响应速 度快、冷光源等特点,广泛应用于指示灯、信号灯、显示屏、景观照明等领域; 在我们的日常生活中也处处可见,如家用电器、电话机、仪表板照明、汽车防 雾灯、交通信号灯等。近几年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入, LED制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用,各 种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展,其发光效率提高了近1000倍。 然而要真正使得这样的LED照明能够广泛应用,其可靠性是极其重要的,决 定其可靠性的关键是pn结的结温,特别是形成LED照明灯组后的结温状态的获取成为了 LED照明应用工程中必须解决的可靠性问题的关键技术所在。
结温作为衡量一个LED器件性能优劣的重要参数,是LED器件工程应用 中可靠性测量的核心要素,也是LED检测产品中的主要产品。对结温的测量 可以用于LED灯具可靠性和使用寿命的研究,因此,准确测量半导体发光二 极管的结温具有重要的实际意义。到目前为此,国内外的各类检测结温的产品 大多是利用电学性质、热学性质、光度和色度学性质来测量结温。目前,测量 LED结温的方法通常有以下几种1,正向电压法利用LED电输运的温度效 应,在恒定电流的条件下,得到正向电压与结温的线性关系;2,管脚法是 利用LED的管脚温度,通过耗散功率和热阻系数求得结温;3,蓝白比法是 一种非接触的测量方法,是利用白光LED电致发光光谱中蓝光与白光的功率 比值来测量结温;4,红外摄像法是常用的测量结温分布的方法,但是其成 本高,速度慢,而且器件是未封装或开封的状态。然而这些方法都是局限在单 管LED器件的测量,对于数十乃至数百个单管串并联的LED灯组的检测来说, 由于电学上形成的相互串扰带来的复杂性,使得所有电学方法很难应用;而红 外方法由于封装后,灯具内的LED芯片不再简单地裸露在外面,为此芯片上 辐射出的红外线被封装材料阻挡,使得红外非接触测量方法失效;光谱学的蓝 白比法是最适合灯具测量的,但是其精度在文献上报道的最好结果仅为±2度, 并且需要有产品的先验知识,蓝光发光波长的移动会导致测量值的很大移动, 给测量方法中的定标问题带来了很大困难,为此难以实际应用。我们用LED 材料禁带宽度随温度变化规律来确定LED灯具中LED芯片的结温,目前这种 方法仅能将结温定到误差大于10度的精度,主要是受阻于从发光光谱上确定 结区材料禁带宽度误差较大,迄今还没有有效的方法能够把LED照明灯具中 的芯片结温测量的精度精确到1度以内。在LED照明灯具工程应用越来越多的情况下,为了考察灯具可靠性,愈来愈需要能够高精度的测量LED照明灯
具中芯片结温。

发明内容
本发明的目的就是提出一种能够达到高精度的LED照明灯具中芯片结温 的检测方法。
本发明是根据其发光峰位的移动来判断正常工作状态下LED灯具中的芯 片结温。
本发明的具体技术方案如下
1, 首先为了禁带宽度的发光峰峰位的准确确定,主要是排除来自荧光 粉的荧光对发光峰的影响。为此需要选择合适的发光峰波段范围来确定峰位。 为此采用的方法是A,对灯具的结温稳定在某一个温度的灯具光谱进行多次 测量(如10次以上),获得10条以上光谱数据。B,以数据上的峰位值为中心 点,向两侧不断扩充,考察依据扩充后的数据段拟合出来的峰位离散度,取离 散度最小的扩充数据为该灯具的结温测定用的光谱段。C,最后光谱峰位的确定 由洛仑兹线型与高斯线型的混合线型拟合得到,使得峰位的确定精度在数据提 取上达到最高。如图l所示为灯具在45度时的光谱图,圆圈为实验点,实线 为拟和曲线,可以看到拟和曲线与实验点吻合良好。
2, 检测系统如图3所示:LED灯具连接到占空比可调的程控稳压电源, 电压源通过串口由计算机控制调节其占空比使LED灯具发光;计算机的另一边 通过USB接口控制光谱仪,LED灯具发的光经光纤耦合引进入光谱仪。这样该 系统能较方便地检测LED灯具的发光。
3, 测量时,首先在低重复频率和低占空比的脉冲电源作用下(脉冲周 期为10ms以上,通电占空比小于5%),脉冲电流的峰值大小与灯具正常工作时直流电流值相同,脉冲的上升沿的时间要控制在脉冲宽度5%以内,应用上
述第1点方法高精度地从LED灯具的发光谱中得出发光峰位A。
4, 改变电源使其工作在直流状态下,稳定后测得此时的LED灯具发光 谱,应用上述第1点方法高精度地定出发光峰位^。
5, 由^与^之差zu,定出在脉冲与直流电源驱动下的结温差异A:r。确
定结温T所采用的具体公式为
c = 27.8 ± 0.2, d = —1.22 ±0.08
由于上述第3点中脉冲电源驱动下灯具结温就是室温 ;,从而可得出灯具 工作状态下的结温r为r。+Ar。 本发明有如下优点-
l,该方法克服了常规电学方法和红外摄像方法确定结温中的不足,该方
法与灯具各个单管之间相互连接的电路无关,也与灯具对LED单管的封装状 态无关,为此适合于不同种类的灯具产品和不同厂家来源的灯具产品。
2,该方法克服了光学蓝白比方法对于LED芯片中量子结构差异导致的蓝 光发光波长漂移带来的标定困难,该方法与LED中量子结构参数是如何取的 无关,因为各家厂家为了优化LED性能会不断的优化LED量子结构中各种参 数,这样对于现有的蓝白比方法会形成影响。但本方法不受此影响。
3,该方法克服了常规确定LED发光峰位误差大的不足,能够把光谱的 峰位定得更准,使得结温的确定精度提升到1度,满足灯具进行可靠性检测所 要求的结温测量精度。


图l: 45度结温光谱图,实线为拟和曲线,圆圈为实验点。图2: 45度峰位局部放大图,以及另外四个结温温度点下的峰位局部放大 图,从左至右依次为45度,60度,75度,90度和105度。可以清晰地看到随 着结温上升,曲线不断红移(长波长方向)。
图3:检测系统示意图。
图4:灯具稳定后的测量值,插图为LED灯具的光谱,三角和园点分别为 同一灯具在二种热环境下测量的结温。
具体实施例方式
下面通过实施例及附图对本发明作进一步的详细说明。
1,将被测的LED灯具接通电源发光,LED灯具额定功率100瓦,额定电压 32 34伏,本实例中采用33V稳压电压源供电,电压源占空比为1%和直流二 种模式。通过光纤将灯具所发的光直接引到光谱仪内部。应用光谱仪可以得到 LED灯具如图4插图所示的光谱,用1%和直流二种供电电模式得到的光谱很 相近,然而在约450纳米处的光谱峰会有很小的移动,这一移动量就是由于二 种供电模式下结温不同引起的,本发明就是要高精度地确定该移动量。
2,在低重复频率和低占空比的脉冲电源作用下(脉冲周期为10ms,通电占 空比1%),脉冲电流的峰值大小与灯具正常工作时直流电流值相同为2. 7安培, 脉冲的上升沿的时间0. 5ms,应用技术方案的第1点方法,在此脉冲电源工作 状态下,测量了10条光谱后,通过计算选出了峰位周围约20纳米光谱范围是 确定峰位的最佳波段,为此高精度地从LED灯具的发光谱中得出发光峰位4,
并记下此时温度r。。
3,改变电源使其工作在直流状态(100%占空比)下,稳定后测得此时的LED 灯具发光谱,应用技术方案的第1点方法,在此直流电源工作状态下,测量了 10条光谱后,通过计算选出了峰位周围约20纳米光谱范围是确定峰位的最佳波段,为此高精度地定出发光峰位^。 4,由^与A之差zu,应用公式
c = 27.8 ± 0.2, d = —1.22 ± 0.08
定出在脉冲与直流电源驱动下的结温差异Ar。而脉冲电源驱动下灯具结温就 是室温r。,从而可得出灯具工作状态下的结温r。+Ar。
5,对于灯具在正常的直流电源驱动下工作了 20分钟后结温的大小如图4 中三角点和圆点所示,它们分别对应着与背景室温7;:300K的结温差异 a:t =14. 8K和Ar =12. 7K ,这样它们的结温分别为r。 + Ar =314. 8K和 r。 + Ar=3l2.7K, 二者的差异是因为灯具处于不同的散热环境中。它们的误差
可以从其随时间的涨落中看到,其波动在土0.6度以内,达到了高精度确定灯
具中结温的目的。
如上所述的实施例仅为了说明本发明的技术思想及特点,其目的在于使本 领域的普通技术人员能够了解本发明的内容并据以实施,本专利的范围并不仅 局限于上述具体实施例,即凡依本发明所揭示的精神所作的同等变化或修饰, 仍涵盖在本发明的保护范围。
权利要求
1.一种测量LED灯具中LED芯片结温的方法,其特征在于具体步骤如下A.将被测的LED灯具接通电源使LED发光,通过光纤将灯具所发的光直接引到光谱仪内部;B.首先在低重复频率和低占空比的脉冲电源作用下,脉冲电流的峰值大小与灯具正常工作时直流电流值相同,脉冲的上升沿的时间要控制在脉冲宽度5%以内,确定发光峰位λ1;C.改变电源使其工作在直流状态下,稳定后测得此时的LED灯具发光谱,确定发光峰位λ2;D.由λ2与λ1之差Δλ,定出在脉冲与直流电源驱动下的结温差异ΔT。而脉冲电源驱动下灯具结温就是工作环境温度T0,通常是室温,从而可得出灯具工作状态下的结温T0+ΔT。
2. 根据权利要求1所述的一种测量LED灯具中LED芯片结温的方法,其 特征在于所述的步骤B和C中确定发光峰位4、 4的方法包括以下步骤(1) 对灯具的结温稳定在某一个温度的灯具光谱进行多次测量(如10次以上),获得10条以上光谱数据;(2) 以数据上的峰位值为中心点,向两侧不断扩充,考察依据扩充后的数据段拟合出来的峰位离散度,取离散度最小的扩充数据为该灯具的结温测定用的光谱段;(3) 最后光谱峰位的确定由洛仑兹线型与高斯线型的混合线型拟合得到, 使得峰位的确定精度在数据提取上达到最高。
全文摘要
本发明公开了一种检测LED照明灯具中芯片结温的方法。本发明是根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律来确定LED灯具中LED芯片结温,包括三个步骤①通很低占空比的脉冲电压,直接获得LED芯片在此温度下的发光峰位;②正常工作条件下,测量LED灯具发光峰位,对比从中得出发光峰位的漂移量即两者之差,利用波长的漂移量定出两者的温度差异;③由于①是在很低脉冲电压下测量,温度就等于室温,室温加上两者的温度差异判断在此条件下LED灯具中LED芯片的温度。本发明可在±0.6度的误差范围内表征在不同条件下LED照明灯具中LED芯片的实际温度,有利于LED灯具的性能表征和优化研究。
文档编号G01J5/60GK101614592SQ20091005533
公开日2009年12月30日 申请日期2009年7月24日 优先权日2009年7月24日
发明者何素明, 波 张, 宁 李, 李天信, 李志锋, 胡伟达, 郭少令, 卫 陆, 陈平平, 陈效双 申请人:中国科学院上海技术物理研究所
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