专利名称：一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法
技术领域：
本发明涉及一种扫描探针显微镜中纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方
法，属于纳米/微米材料性能原位检测领域。
背景技术：
实现对单个纳米/微米结构的操纵和原位性能测量，是一直以来纳米/微米材料 以及基于这些材料的新型器件研究的瓶颈性关键科学技术问题。 一维纳米/微米材料作为 微纳机电系统中的基本功能单元，充分理解单根一维纳米/微米材料的电学性能、力学性 能和力电耦合性能是设计新型纳米/微米功能器件的前提。目前对于单个一维纳米/微米 材料在弯曲下的力电性能的测试手段大致可以分为以下两种。 第一，在扫描电子显微镜中发展单根一维纳米/微米材料力电性能测试的方法。 2006年，《Nano Letters》，vol. 6,2768-2772上的"基于单个氧化锌纳米线的压电场效应 晶体管禾口纟内米力学传感器，，(Piezoelectric field effect transistor andnanoforce sensor based on a single Zn0 nanowire) —文中报道了在扫描电子显微镜中禾U用 导电的金属探针去弯曲纳米线同时测量其力电性能。同样是在扫描电镜中，2007年， 《Advanced Materials》，vol. 19， 781-784上的"基于单根氧化锌纳米线的压电门二极 管，，(Piezoelectric gated diode of a single Zn0 nanowire)文章中报道了再扫描电镜 中安装一套纳米操控系统，利用纳米操控系统中的两个导电探针实现对单个纳米材料的弯 曲和力电性能测试。尽管在扫描电镜中利用金属探针能够实现对单根一维纳米/微米材料 的弯曲和力电性能测试，但是由于纳米线/微米线没有被固定在金属探针上，测试过程中 纳米线/微米线很容易在金属探针上滑动，导致很难判断测试的电信号来源于材料本身变 化还是接触问题。同时，由于扫描电镜必须工作在高真空条件下，因此每次实验必须对系统 进行抽真空以及对纳米操控的调试，大大增加了对单根纳米线/微米线的测试时间。
第二，利用改装的透射电子显微镜实现对单根纳米线/微米线的弯曲和力电性 能测试。2007年，《Nano Letters》，vol. 7， 632-637上的"形变导致的单个氮化硼纳米管 的电输运，，(Deformation-driven electrical transport of individimlboron nitride nanotubes) —文中报道了在透射电子显微镜中利用导电的金属探针去弯曲纳米管同时测 量其力电性能。同样是在透射电子显微镜中，2008年，《AppliedPhysics Letters》，vol. 92， 213105上的"在透射电镜下原位弯曲单根氧化锌纳米线的电响应"(In situ probing electrical response on bending of Zn0 nanowiresinside transmission electron microscope) —文中同样也报道了在透射电子显微镜中利用导电的金属探针去弯曲单个氧 化锌纳米线同时测量其力电性能。尽管在改装的透射电子显微镜中利用金属探针能够实现 对单根一维纳米/微米材料的弯曲和力电性能测试，但是纳米线的两端不能全部固定，测 试时间很长，效率很低等问题依然存在于这种测试方法中。 在扫描探针系统中利用探针原位的弯曲单根纳米线/微米线同时测量其力电性 能是最直接的测量方法。由于扫描探针工作在大气环境下，因此不需要对其进行抽真空，同时纳米线的两端可以完全被固定，测试过程中不存在纳米线/微米线的滑动问题，对于单 根纳米线/微米线力电性能测试的信号是完全真实可靠的。
发明内容
本发明是提供一种扫描探针显微镜中对纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测 试方法，其目的是利用该方法实现对单根一维纳米线/微米线原位力学性能、电学性能以 及电力耦合性能测量。 —种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，其特征在于，单个的纳米线/ 微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上，通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线 /微米线的弯曲和拉伸。在纳米线/微米线弯曲的同时，通过在扫描探针和导电基底上施加 电压测试电流信号，实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。 本发明提供一种扫描探针显微镜中纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方 法，可实现单根一维纳米/微米材料在扫描探针显微镜中原位的弯曲变形，可以表征材料 的弹性性能、塑性性能以及断裂过程。同时它还可以测试单根一维纳米/微米材料力电耦 合性能的测试，其特征在于该方法按如下步骤进行 1.将单根一维纳米/微米材料用导电银胶固定在扫描探针显微镜的针尖上。
2.控制扫描探针显微镜的驱动马达，让导电的基底接触单根一维纳米/微米材料 的另外一端，并利用导电银胶固定，此时一维纳米/微米材料的两端都被很好的固定。
3.通过驱动马达进一步移动基底，被固定的单根一维纳米/微米材料并会发生弯 曲变形，其变形程度取决于基底与扫描探针显微镜针尖的距离。 4.在一维纳米/微米材料发生弯曲形变的同时，通过在针尖和基底上加载电压测 量电流的方式实现对单根一维纳米/微米材料力电性能的测试。 本发明与现有技术相比，具有以下优点和突出性效果本发明对在扫描探针显微 镜中单根一维纳米/微米材料在原位弯曲下力电性能的测试不需要对扫描探针显微镜进 行改装，依靠现有的扫描探针显微镜即可完成对这种性能的测试。同时，测试的方法简单， 测试样品所需要的时间很短(20分钟左右)，可以在短时间完成对大量纳米/微米材料的检 测。而且，测试过程中单根一维纳米/微米材料两端均被很好的固定，不存在电流信号不稳 定问题，一维纳米/微米材料在电极上滑动等问题。这种方法的实现为一维纳米/微米材 料在微机电系统、半导体器件以及传感器等领域的开发设计提供高效可靠的数据结果。
图1为单根氧化锌微米线一端被固定在扫描探针显微镜针尖上的光学照片。
图2为单根氧化锌微米线两端被导电银胶固定在针尖和基底上的光学显微镜照 片。 图3为单根氧化锌微米线被弯曲的光学显微镜照片。
具体实施例方式
如图1所示，利用导电银胶把单根一维纳米/微米材料固定在扫描探针显微镜的 针尖上。然后控制扫描探针显微镜的驱动马达，让单根一维纳米/微米材料的另外一端接触导电基底，并用导电银胶固定，如图2所示。通过驱动马达进一步移动导电基底，此时单 根一维纳米/微米材料将会被弯曲，如图3所示，其弯曲程度取决于导电基底移动的距离。 同样，通过控制驱动马达向相反的方向运动，弯曲的单根一维纳米/微米材料又会变再直。 在单根一维纳米/微米材料被弯曲变形的同时，通过扫描探针显微镜中的导电模块施加不 同的电压到针尖和基底上，同时采集电流值，即可实现对弯曲的单根一维纳米/微米材料 的力电性能测试。
权利要求
一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，其特征在于单个的纳米线/微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上，通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线/微米线的弯曲变形；在纳米线/微米线弯曲的同时，通过在扫描探针和导电基底上施加电压测试电流信号，实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。
2. 按照权利要求1所述的一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，其特征 在于对纳米线/微米线电学性能的测量是利用扫描探针显微镜中的电学测量模块。
3. 按照权利要求1所述的一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，其特征 在于对单个纳米线/微米线在扫描探针针尖和导电基底上的固定是利用导电的银胶或金 胶。
全文摘要
一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，属于纳米/微米材料性能原位检测领域。其特征在于单个的纳米线/微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上，通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线/微米线的弯曲变形；在纳米线/微米线弯曲的同时，通过在扫描探针和导电基底上施加电压测试电流信号，实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。本发明方法简单，便于操作，应用范围广泛，测量时间短，便于解释和发现纳米/微米材料优异的力电性能。
文档编号G01N3/00GK101713788SQ20091023767
公开日2010年5月26日 申请日期2009年11月20日 优先权日2009年11月20日
发明者张跃, 杨亚, 郭雯, 齐俊杰 申请人:北京科技大学