专利名称：高能量利用率的角度测量设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光学检测系统领域，具体涉及ー种高能量利用率的角度测量设备。
技术背景在光学系统的装调中，保证各光学元件的平行性是基本的装调。常规的角度测量装置中，多采用非偏振的自然光予以照明，使用半透半反的分光镜或普通的棱镜。如需获得高亮度的反射光，就必须提高光源的能量，増加成本的同时，还得处理未有效利用的光束带来的热量问题。采用半透半反的方式，反射进入后端光学系统的能量最多为25%，而且反射回来的部分光束能量会原路返回入射到光源上，对光源的安全造成极大的危害。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种高能量利用率的角度測量设备。本实用新型采用的技术方案是高能量利用率的角度測量设备，包括有光源、待测的光学器件、校准光学器件，其特征在于还包括有偏振分光棱镜，所述光源发射的光束垂直入射到偏振分光棱镜的偏振分光面上，所述光源的偏振方向与偏振分光棱镜的偏振方向一致，被反射的线偏振光束的光路上设有ー个1/4波长波片，线偏振光束入射到波片后转化为圆偏振光束后再分别入射到校准光学器件和待测的光学器件上，被校准光学器件或待测的光学器件反射回来的圆偏振光束再次入射到波片上，圆偏振光束入射到波片后转化为线偏振光后入射到偏振分光棱镜的偏振分光面上，透射通过偏振分光棱镜后进入后端的光学系统，光学系统分别把接收到的两束线偏振光分析处理后得出待测的光学器件与校准光学器件的偏差角度。所述的高能量利用率的角度測量设备，其特征在于所述的光源为线偏振的光源。所述的高能量利用率的角度測量设备，其特征在于所述1/4波长波片的光轴方向与线偏振光束的偏振方向呈45度夹角。本实用新型的优点是本实用新型采用线偏振的光源，2次通过1/4波长波片，使得线偏振光束的偏振方向发生90度的偏转,从而可以透过偏振分光棱镜，在偏振分光棱镜反透射效率均为95%的情况下，整体的效率可达90%，大大提高了反射光的利用率，降低了对入射光源的能量要求，同时减少了系统对无用光束的散热处理需求，大大增强了系统的安全性和可靠性。
附图I为本实用新型的系统结构示意图。
具体实施方式
高能量利用率的角度測量设备，包括有线偏振的光源I、待测的光学器件5、校准光学器件、偏振分光棱镜3,光源I发射的光束垂直入射到偏振分光棱镜3的偏振分光面2,光源I的偏振方向与偏振分光棱镜3的偏振方向一致,被反射的线偏振光束的光路上设有ー个1/4波长波片4,波片4的光轴方向与线偏振光束的偏振方向呈45度夹角，线偏振光束入射到波片4后转化为圆偏振光束后再分别入射到校准光学器件和待测的光学器件5上，被校准光学器件或待测的光学器件5反射回来的圆偏振光束再次入射到波片4上，圆偏振光束入射到波片4后转化为线偏振光后入射到偏振分光棱镜3的偏振分光面2上，透射通 过偏振分光棱镜3后进入后端的光学系统6,光学系统6分别把接收到的两束线偏振光分析处理后得出待测的光学器件5与校准光学器件的偏差角度。
权利要求1.一种高能量利用率的角度測量设备，包括有光源、待测的光学器件、校准光学器件，其特征在于还包括有偏振分光棱镜，所述光源发射的光束垂直入射到偏振分光棱镜的偏振分光面上，所述光源的偏振方向与偏振分光棱镜的偏振方向一致，被反射的线偏振光束的光路上设有ー个1/4波长波片，线偏振光束入射到波片后转化为圆偏振光束后再分别入射到校准光学器件和待测的光学器件上，被校准光学器件或待测的光学器件反射回来的圆偏振光束再次入射到波片上，圆偏振光束入射到波片后转化为线偏振光后入射到偏振分光棱镜的偏振分光面上，透射通过偏振分光棱镜后进入后端的光学系统，光学系统分别把接收到的两束线偏振光分析处理后得出待测的光学器件与校准光学器件的偏差角度。
2.根据权利要求I所述的高能量利用率的角度測量设备，其特征在于所述的光源为线偏振的光源。
3.根据权利要求I所述的高能量利用率的角度測量设备，其特征在于所述1/4波长波片的光轴方向与线偏振光束的偏振方向呈45度夹角。
专利摘要本实用新型公开了一种高能量利用率的角度测量设备，包括有光源、校准光学器件、待测的光学器件、偏振分光棱镜，光源发射的光束垂直入射到偏振分光棱镜的偏振分光面上，光源的偏振方向与偏振分光棱镜的偏振方向一致，被反射的线偏振光束的光路上设有一个1/4波长波片，波片的光轴方向与线偏振光束的偏振方向呈45度夹角，线偏振光束入射到波片后转化为圆偏振光束后再分别入射到校准光学器件和待测的光学器件上，被校准光学器件或待测的光学器件反射回来的圆偏振光束再次入射到波片上，圆偏振光束入射到波片后转化为线偏振光后入射到偏振分光棱镜的偏振分光面上，透射通过偏振分光棱镜后进入后端的光学系统，光学系统分别把接收到的两束线偏振光分析处理后得出待测的光学器件与校准光学器件的偏差角度。本实用新型大大提高了系统的反射光的利用率，增强了系统的安全性和可靠性。
文档编号G01B11/26GK202485644SQ20122006752
公开日2012年10月10日 申请日期2012年2月25日 优先权日2012年2月25日
发明者张昌清 申请人:合肥芯硕半导体有限公司