技术总结
多个磁阻元件包含成对的第1磁阻元件(120a、120b)以及第2磁阻元件(130a、130b)。第1磁阻元件(120a、120b)的阻值变化率大于第2磁阻元件(130a、130b)的阻值变化率。第1磁阻元件(120a、120b)包含在俯视时沿着假想圆的圆周被配置为在该假想圆的周向或径向上排列且相互连接的多个第1单位图案。第2磁阻元件(130a、130b)在俯视时位于上述假想圆的中心侧，且被第1磁阻元件(120a、120b)包围。
技术研发人员：森大辅
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
文档号码：201580039770
技术研发日：2015.06.26
技术公布日：2017.05.10