1.一种声表面波传感器，其特征在于，所述声表面波传感器由Si衬底、SiO2缓冲层、换能器IDT、ZnO薄膜组成多层结构，所述多层结构从上之下依次为ZnO薄膜、换能器IDT、SiO2缓冲层及Si衬底，所述换能器IDT为同心环形结构。
2.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，所述ZnO薄膜的c轴平行于所述Si衬底或者垂直于所述Si衬底。
3.根据权利要求2所述的声表面波传感器，其特征在于，所述IDT为完整的同心环形，输入端为外圈IDT，输出端为内圈IDT。
4.根据权利要求3所述的声表面波传感器，其特征在于，所述IDT通过多层金属布线工艺形成，第一层金属布线工艺制作同心环形IDT，第二层金属布线工艺实现环形IDT和金属电极引脚的连接。
5.根据权利要求3所述的声表面波传感器，其特征在于，在所述外圈IDT及内圈IDT之间涂覆有敏感材料。
6.根据权利要求2所述的声表面波传感器，其特征在于，所述IDT为不完整的同心环形，输入IDT与输出IDT组成环形叉指结构。
7.根据权利要求6所述的声表面波传感器，其特征在于，所述IDT通过一层金属布线工艺形成所述同心环形IDT及所述同心环形IDT与金属电极引脚的连接。
8.根据权利要求6所述的声表面波传感器，其特征在于，在所述输入IDT与输出IDT组成的环形叉指结构外圈设置有环形反射栅，在所述环形叉指结构与所述反射栅之间涂覆有敏感材料。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的声表面波传感器，其特征在于，所述声表面波传感器采用单通道或者多通道。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的声表面波传感器，其特征在于，所述传感器的输入端及输出端的信号传输为无源无线型、有源无线型或有源有线型。