1.一种绝缘材料在轨性能退化的预测方法，包括如下步骤：
S100，提供辐射源(110)及绝缘材料(120)；
S200，用所述辐射源(110)对所述绝缘材料(120)进行辐照；
S300，对所述绝缘材料(120)进行特征性能测试，以获得所述绝缘材料(120)的特征性能与电离吸收剂量的关系的特征曲线；
S400，对所述绝缘材料(120)进行空间环境模拟计算，以获得所述绝缘材料(120)在预计寿命内的累积电离吸收剂量；以及
S500，根据所述累积电离吸收剂量在所述特征曲线内查找所述绝缘材料(120)对应的特征性能参数值，预测所述绝缘材料(120)在轨性能退化状况。
2.如权利要求1所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S100中，所述绝缘材料(120)为厚度均匀一致的多个片状绝缘材料。
3.如权利要求2所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S200包括：
S210，将所述绝缘材料(120)分成多组所述片状绝缘材料，每组所述片状绝缘材料包括多个所述片状绝缘材料；
S220，采用不同的辐照剂量分别辐照所述多组片状绝缘材料；
S230，记录所述每组片状绝缘材料的辐照剂量值。
4.如权利要求3所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S220中，采用束流测量系统(140)控制所述辐照过程中的辐照束流，所述束流测量系统(140)的测量误差小于10％。
5.如权利要求3所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S220中，所述绝缘材料(120)受辐照面积范围内的注量均匀性误差小于10％。
6.如权利要求3所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S220中，所述辐射源(110)为Co辐射源，所述辐射源(110)的辐照剂量率在10rad(Si)/s～100rad(Si)/s范围内。
7.如权利要求3所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S220中，所述辐射源(110)为电子辐射源或质子辐射源，所述辐射源(110)的辐照注量率在107粒子/cm2·s～1010粒子/cm2·s范围内。
8.如权利要求3所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S300包括：
S310，通过移位测试获取每组所述片状绝缘材料的特征性能参数；
S320，根据所述特征性能参数，以及该特征性能参数对应的辐照剂量值获得所述特征曲线。
9.如权利要求1所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S400包括：对不同应用环境下所述绝缘材料(120)进行空间环境模拟计算，得出所述绝缘材料(120)在不同应用环境下在预计寿命内的不同累积电离吸收剂量。
10.如权利要求9所述的绝缘材料在轨性能退化的预测方法，其特征在于，所述步骤S500包括：
S510，根据所述不同累积电离吸收剂量在所述特征曲线内查找所述绝缘材料(120)对应的特征性能参数值；
S520，若所述绝缘材料(120)的特征性能参数值仍然满足空间应用需求，则预测所述绝缘材料在轨性能退化状况；
S530，若所述绝缘材料(120)的特征性能参数值已经不能满足所述空间应用需求，则禁止在所述应用环境下使用所述绝缘材料。