1.一种外加热片式氧传感器芯片结构，由四层基片自上而下依次叠压而成；四层基片分别为第一基体层、第二基体层、第三基体层和第四基体层，在第一基体层上面形成外电极及保护层，下面形成内电极或参比电极，第二基体层上形成参比空气通道；其特征在于：在第三基体层的下面形成经过绝缘层覆盖的加热电极；第四基体层只覆盖第三基体层下面的加热电极的发热体部分。
2.根据权利要求1所述的一种外加热片式氧传感器芯片结构，其特征在于：所述参比空气通道通过印刷有机物的方式形成或通过有机流延片填充的方式形成，以便在基体层坯片等静压叠合过程中防止参比空气通道上下的基体层坍陷或变形。
3.根据权利要求1所述的一种外加热片式氧传感器芯片结构，其特征在于：所述在第三基体层的下面形成经过绝缘层覆盖的加热电极，第三基体层和加热电极之间的绝缘层完整的隔离加热电极和第三基体层，而加热电极之上的绝缘层隔离第四基体层和加热电极的接触，但不覆盖加热电极的引脚。