技术总结
本实用新型涉及一种外加热片式氧传感器芯片结构，由四层基片自上而下依次叠压而成；四层基片分别为第一基体层、第二基体层、第三基体层和第四基体层，在第一基体层上面形成外电极及保护层，下面形成内电极或参比电极，第二基体层上形成参比空气通道；其特征在于：在第三基体层的下面形成经过绝缘层覆盖的加热电极；第四基体层只覆盖第三基体层下面的加热电极的发热体部分。本实用新型的优点是消除了当前技术中加热电极印刷在第三基体层上面引起的工艺复杂性，本实用新型具体有简化片式氧传感器芯片结构，制作和生产过程也相应简化，提升片式氧传感器芯片强度，成品率更高。
技术研发人员：张舟;谢光远;甘章华;罗志安
受保护的技术使用者：武汉科技大学
文档号码：201620474383
技术研发日：2016.05.23
技术公布日：2016.12.07