检测装置和检测系统的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种检测装置和检测系统。

背景技术：

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的制造领域，Mura是影响产品良率和产能的重要制约因素。Photo制程作为Array工艺之中承上启下的工序，由于制程本身的特殊性质，一旦产生Mura，受影响的产品数量会很多，因此造成的损失也会很大。Photo工序出现的众多类型的Mura之中，Shell Mura的发生率最高而且影响很大。Photo工序的Shell Mura是由基板背面的颗粒造成的，基板在涂胶之前会进行真空吸附，如果基板背面具有颗粒，则会使此处基板发生凸起形变，导致涂胶不均匀，从而形成Shell Mura，最终造成显示品质不良。

目前的Shell Mura监控方式主要以抽查为主，查看方式为人眼观看。上述监控方式具有两大缺陷：第一，抽查发现Shell Mura的时候，往往危险批次已经有好几个甚至十几个以上，不具有及时性；第二，人眼观看的查看方式具有随机性和不准确性，容易发生误判或者漏判。

技术实现要素：

为解决上述问题，本实用新型提供一种检测装置和检测系统，至少部分解决现有技术检测基板形变延迟高，容易发生误判或者漏判的问题。

为此，本实用新型提供一种检测装置，包括检测单元和提示单元，所述检测单元与所述提示单元连接；

所述检测单元用于对待测基板的表面进行检测，以形成检测信号；

所述提示单元用于当所述检测信号大于或者等于预设阈值时进行提示。

可选的，所述检测单元包括电荷模块和信号模块，所述电荷模块负载电荷，所述电荷模块与所述信号模块连接；

所述电荷模块用于在检测过程之中与待测基板接触时形成电荷变化量；

所述信号模块用于根据所述电荷变化量形成检测信号。

可选的，所述提示单元包括比较模块和提示模块，所述比较模块与所述提示模块连接；

所述比较模块用于将所述检测信号与预设阈值进行比较；

所述提示模块用于当比较结果为所述检测信号大于或者等于预设阈值时进行提示。

可选的，所述电荷模块负载正电荷；

所述电荷模块用于在检测过程之中与待测基板接触时形成正电荷减少量；

所述信号模块用于根据所述正电荷减少量形成信号衰减幅度；

所述提示单元用于当所述信号衰减幅度大于或者等于预设幅度时进行提示。

可选的，所述电荷模块负载负电荷；

所述电荷模块用于在检测过程之中与待测基板接触时形成负电荷减少量；

所述信号模块用于根据所述负电荷减少量形成信号衰减幅度；

所述提示单元用于当所述信号衰减幅度大于或者等于预设幅度时进行提示。

可选的，还包括保护板，所述保护板的一端与所述电荷模块连接，所述保护板的另一端与喷嘴结构连接，所述电荷模块与所述待测基板之间具有预设距离，所述保护板用于根据预设的不良允许范围调整所述预设距离的大小。

可选的，所述电荷模块为离子发生器，所述信号模块为信号处理器，所述信号处理器设置在喷嘴结构之内。

可选的，所述比较模块为比较器，所述提示模块为报警器。

本实用新型还提供一种检测系统，包括喷嘴结构和上述任一检测装置，所述检测单元设置在喷嘴结构的一侧。

可选的，还包括承载平台，所述承载平台设置在所述喷嘴结构的下方，用于承载待测基板。

本实用新型具有下述有益效果：

本实用新型提供的检测装置和检测系统之中，所述检测装置包括检测单元和提示单元，所述检测单元与所述提示单元连接；所述检测单元用于对待测基板的表面进行检测，以形成检测信号；所述提示单元用于当所述检测信号大于或者等于预设阈值时进行提示。本实用新型提供的技术方案根据待测基板的表面形成检测信号，将所述检测信号与预设阈值进行比较，根据比较结果进行提示，从而可以在第一时间检测出待测基板的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。因此，本实用新型提供的技术方案检测待测基板的形变具有及时性，避免了出现误判或者漏判，减轻了人工负担。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的一种检测装置的结构示意图；

图2为图1所示检测装置的具体结构示意图；

图3为检测信号与预设阈值的比较示意图；

图4为本实用新型实施例二提供的一种检测系统的结构示意图；

图5为图4所示检测系统的检测示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的检测装置和检测系统进行详细描述。

实施例一

图1为本实用新型实施例一提供的一种检测装置的结构示意图。如图1所示，所述检测装置包括检测单元101和提示单元102，所述检测单元101与所述提示单元102连接。所述检测单元101用于对待测基板的表面进行检测，以形成检测信号；所述提示单元102用于当所述检测信号大于或者等于预设阈值时进行提示。本实施例提供的技术方案根据待测基板的表面形成检测信号，将所述检测信号与预设阈值进行比较，根据比较结果进行提示，从而可以在第一时间检测出待测基板的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。因此，本实施例提供的技术方案检测待测基板的形变具有及时性，避免了出现误判或者漏判，减轻了人工负担。

图2为图1所示检测装置的具体结构示意图。如图2所示，所述检测单元101包括电荷模块103和信号模块104，所述电荷模块103负载电荷，所述电荷模块103与所述信号模块104连接。所述电荷模块103用于在检测过程之中与待测基板接触时形成电荷变化量，所述信号模块104用于根据所述电荷变化量形成检测信号。所述电荷模块103设置在喷嘴结构的一侧，当待测基板下存在颗粒物时，该位置的基板表面会出现凸起。当喷嘴结构进行涂胶工艺时，所述电荷模块103会与凸起部位接触，从而发生电荷转移。所述信号模块104根据所述电荷模块103的电荷变化量形成检测信号，所述提示单元102根据所述检测信号产生报警，从而可以在第一时间检测出待测基板的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。正常情况下，待测基板下没有颗粒物时，所述电荷模块103不会与基板表面接触，因此所述提示单元102不会产生报警。可选的，所述电荷模块103为离子发生器，所述信号模块104为信号处理器，所述信号处理器设置在喷嘴结构之内。在实际应用之中，所述喷嘴结构包括喷嘴和喷嘴载体，所述喷嘴固定设置在所述喷嘴载体的下方，所述信号处理器设置在所述喷嘴载体之内。

参见图2，所述提示单元102包括比较模块105和提示模块106，所述比较模块105与所述提示模块106连接。所述比较模块105用于将所述检测信号与预设阈值进行比较，所述提示模块106用于当比较结果为所述检测信号大于或者等于预设阈值时进行提示。当待测基板下存在颗粒物时，该位置的基板表面会出现凸起。在喷嘴的涂胶工艺之中，所述电荷模块103会与凸起部位接触，从而发生电荷转移。所述信号模块104根据所述电荷模块103的电荷变化量形成检测信号。图3为检测信号与预设阈值的比较示意图。如图3所示，所述比较模块105将检测信号与预设阈值进行比较，当所述检测信号大于或者等于预设阈值时，所述提示模块106产生报警，从而可以在第一时间检测出待测基板的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。可选的，所述比较模块105为比较器，所述提示模块106为报警器。

本实施例中，所述电荷模块103负载正电荷，所述电荷模块103用于在检测过程之中与待测基板接触时形成正电荷减少量，所述信号模块104用于根据所述正电荷减少量形成信号衰减幅度，所述提示单元用于当所述信号衰减幅度大于或者等于预设幅度时进行提示。当待测基板下存在颗粒物时，该位置的基板表面会出现凸起。在喷嘴的涂胶工艺之中，所述电荷模块103会与凸起部位接触，从而发生正电荷的转移，以形成正电荷减少量。所述信号模块104根据所述正电荷减少量形成信号衰减幅度，所述提示单元102根据所述信号衰减幅度产生报警，从而可以在第一时间检测出待测基板的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。正常情况下，待测基板下没有颗粒物时，所述电荷模块103不会与基板表面接触，因此所述提示单元102不会产生报警。

本实施例中，所述电荷模块103负载负电荷，所述电荷模块103用于在检测过程之中与待测基板接触时形成负电荷减少量，所述信号模块104用于根据所述负电荷减少量形成信号衰减幅度，所述提示单元102用于当所述信号衰减幅度大于或者等于预设幅度时进行提示。所述电荷模块103携带负电荷与所述电荷模块103携带正电荷的情况相同，此处不再赘述。

当然，待测基板也可以携带电荷。例如，所述待测基板携带正电荷，所述电荷模块103携带负电荷。可选的，所述待测基板携带负电荷，所述电荷模块103携带正电荷。针对不同的待测基板携带的电量不同，本实施例提供的检测装置可以调节所述提示模块106的预设阈值，以实现分类管控，从而避免灵敏度低或者误报警的情况发生。

本实施例中，所述检测装置还包括保护板，所述保护板的一端与所述电荷模块103连接，所述保护板的另一端与喷嘴结构连接。可选的，所述电荷模块103与所述待测基板之间具有预设距离，所述保护板用于根据预设的不良允许范围调整所述预设距离的大小。本实施例根据预设的不良允许范围设置所述电荷模块103与所述待测基板之间的距离，从而实现分层管控。例如，源漏金属层需要管控造成Mura的颗粒物尺寸在30um以下，而ITO透明电极层需要管控颗粒物尺寸在60um以下。此时，可以通过调整电荷模块103的高度来实现预设的不良允许范围，从而实现对不同工艺层别的基板进行分层管控。

本实施例提供的检测装置包括检测单元和提示单元，所述检测单元与所述提示单元连接；所述检测单元用于对待测基板的表面进行检测，以形成检测信号；所述提示单元用于当所述检测信号大于或者等于预设阈值时进行提示。本实施例提供的技术方案根据待测基板的表面形成检测信号，将所述检测信号与预设阈值进行比较，根据比较结果进行提示，从而可以在第一时间检测出待测基板的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。因此，本实施例提供的技术方案检测待测基板的形变具有及时性，避免了出现误判或者漏判，减轻了人工负担。

实施例二

图4为本实用新型实施例二提供的一种检测系统的结构示意图。如图4所示，所述检测系统包括喷嘴结构201和实施例一提供的检测装置，所述检测单元设置在喷嘴结构的一侧，关于检测装置的具体内容可参照实施例一的描述，此处不再赘述。

参见图1和图2，所述检测装置包括检测单元101和提示单元102，所述检测单元101与所述提示单元102连接。所述检测单元101包括电荷模块103和信号模块104，所述电荷模块103负载电荷，所述电荷模块103与所述信号模块104连接。所述提示单元102包括比较模块105和提示模块106，所述比较模块105与所述提示模块106连接。可选的，所述电荷模块103为离子发生器，所述信号模块104为信号处理器，所述比较模块105为比较器，所述提示模块106为报警器。

参见图4，离子发生器202设置在保护板203的一端，保护板203的另一端与喷嘴结构201连接，信号处理器207设置在喷嘴结构201之内。可选的，所述喷嘴结构201包括喷嘴301和喷嘴载体302，所述喷嘴301固定设置在所述喷嘴载体302的下方，所述信号处理器207设置在所述喷嘴载体302之内。当基板204下存在颗粒物205时，该位置的基板表面会出现凸起。图5为图4所示检测系统的检测示意图。如图5所示，当喷嘴301向基板204涂布光刻胶206时，所述离子发生器202会与凸起部位接触，从而发生电荷转移。所述信号处理器207根据所述离子发生器202的电荷变化量形成检测信号，所述报警器根据所述检测信号产生报警，从而可以在第一时间检测出基板204的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。

参见图4和图5，所述检测系统还包括承载平台208，所述承载平台208设置在所述喷嘴结构201的下方，用于承载基板204。可选的，所述离子发生器202与所述基板204之间具有预设距离，所述保护板203根据预设的不良允许范围调整所述预设距离的大小。本实施例根据预设的不良允许范围设置所述离子发生器202与所述承载平台208之间的距离，从而实现分层管控。因此，可以通过调整离子发生器202的高度来实现预设的不良允许范围，从而实现对不同工艺层别的基板进行分层管控。

本实施例提供的检测系统之中，所述检测装置包括检测单元和提示单元，所述检测单元与所述提示单元连接；所述检测单元用于对待测基板的表面进行检测，以形成检测信号；所述提示单元用于当所述检测信号大于或者等于预设阈值时进行提示。本实施例提供的技术方案根据待测基板的表面形成检测信号，将所述检测信号与预设阈值进行比较，根据比较结果进行提示，从而可以在第一时间检测出待测基板的形变，以避免由此产生的Shell Mura风险，从而将生产损失降至最低，有效提升了实际产量和产品良率。因此，本实施例提供的技术方案检测待测基板的形变具有及时性，避免了出现误判或者漏判，减轻了人工负担。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。