1.一种电流采样保持电路，其特征在于，所述电流采样保持电路包括：
抵消电路，串接在VDD端与电流型传感器之间，根据第一使能信号接通，输出电流抵消所述电流型传感器中的直流电流成份；
镜像电路，与串接的所述抵消电路及电流型传感器并联连接在所述VDD端与地电压之间，根据与所述第一使能信号相反的第二使能信号接通，利用所述分流电流的镜像电流以及所述电流型传感器的输出电流所获得的电流差进行电流传递。
2.如权利要求1所述的电流采样保持电路，其特征在于，包括第二开关(S2)，所述第二开关(S2)一端连接所述抵消电路，另一端连接所述电流型传感器，根据所述第一使能信号闭合，接通所述抵消电路，否则，断开所述抵消电路。
3.如权利要求2所述的电流采样保持电路，其特征在于，包括第三开关(S3)，所述第三开关(S3)一端分别连接所述电流型传感器和所述第二开关(S2)，另一端连接所述镜像电路，根据所述第二使能信号闭合，接通所述镜像电路，否则，断开所述镜像电路。
4.如权利要求5所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述镜像电路包括第一电流镜电路、第二电流镜电路、第三电流镜电路以及第四电流镜电路，所述第一电流镜电路与所述第二电流镜电路串联连接在所述VDD端与地电压之间，所述第三电流镜电路的一端连接所述第一电流镜电路，另一端连接所述地电压，所述第四电流镜电路的一端连接所述VDD端，另一端连接所述第二电流镜电路。
5.如权利要求4所述的电流采样保持电路，其特征在于，所述镜像电路包括：第四P型MOS管(M4)、第五P型MOS管(M5)、第六N型MOS管(M6)、第七N型MOS管(M7)、第八N型MOS管(M8)、第九N型MOS管(M9)、第十P型MOS管(M10)、第十一P型MOS管(M11)，所述第四P型MOS管(M4)的源极接所述VDD端，栅极分别接所述镜像电路和漏极，漏极分别接所述第六N型MOS管(M6)的漏极和栅极，所述第六N型MOS管(M6)的栅极还接所述镜像电路，源极接所述地电压，所述第五P型MOS管(M5)的源极接所述VDD端，栅极分别接所述第四P型MOS管(M4)的栅极和漏极，漏极分别接所述第八N型MOS管(M8)的漏极和所述第三开关(S3)的一端，所述第五P型MOS管(M5)镜像所述第四P型MOS管(M4)，所述第七N型MOS管(M7)的源极接所述地电压，栅极分别接所述第六N型MOS管(M6)的漏极和栅极，漏极分别接所述第十一P型MOS管(M11)的漏极和电流输出端，所述第七N型MOS管(M7)镜像所述第六N型MOS管(M6)，所述第八N型MOS管(M8)的源极接所述地电压，栅极接所述第九N型MOS管(M9)的栅极，所述第九N型MOS管(M9)的源极接所述地电压，漏极分别接所述第十P型MOS管(M10)的漏极和栅极，所述第九N型MOS管(M9)镜像所述第八N型MOS管(M8)，所述第十P型MOS管(M10)的源极接所述VDD端，栅极接所述第十一P型MOS管(M11)的栅极，所述第十一P型MOS管(M11)的源极接所述VDD端，所述第十一P型MOS管(M11)镜像所述第十P型MOS管(M10)。
6.一种具有电流采样保持电路的信号采集系统，包括：电流采样保持电路以及电流型传感器，其特征在于，所述电流采样保持电路包括：
抵消电路，串接在VDD端与电流型传感器之间，根据第一使能信号接通，输出电流抵消所述电流型传感器中的直流电流成份；
镜像电路，与串接的所述抵消电路及电流型传感器并联连接在所述VDD端与地电压之间，根据与所述第一使能信号相反的第二使能信号接通，利用所述分流电流的镜像电流以及所述电流型传感器的输出电流所获得的电流差进行电流传递。
7.如权利要求8所述的具有电流采样保持电路的信号采集系统，其特征在于，包括第二开关(S2)，所述第二开关(S2)一端连接所述抵消电路，另一端连接所述电流型传感器，根据所述第一使能信号闭合，接通所述抵消电路，否则，断开所述抵消电路。
8.如权利要求7所述的具有电流采样保持电路的信号采集系统，其特征在于，包括第三开关(S3)，所述第三开关(S3)一端分别连接所述电流型传感器和所述第二开关(S2)，另一端连接所述镜像电路，根据所述第二使能信号闭合，接通所述镜像电路，否则，断开所述镜像电路。
9.如权利要求8所述的信号采集系统，其特征在于，所述镜像电路包括第一电流镜电路、第二电流镜电路、第三电流镜电路以及第四电流镜电路，所述第一电流镜电路与所述第二电流镜电路串联连接在所述VDD端与地电压之间，所述第三电流镜电路的一端连接所述第一电流镜电路，另一端连接所述地电压，所述第四电流镜电路的一端连接所述VDD端，另一端连接所述第二电流镜电路。
10.如权利要求9所述的信号采集系统，其特征在于，所述镜像电路包括：第四P型MOS管(M4)、第五P型MOS管(M5)、第六N型MOS管(M6)、第七N型MOS管(M7)、第八N型MOS管(M8)、第九N型MOS管(M9)、第十P型MOS管(M10)、第十一P型MOS管(M11)，所述第四P型MOS管(M4)的源极接所述VDD端，栅极分别接所述镜像电路和漏极，漏极分别接所述第六N型MOS管(M6)的漏极和栅极，所述第六N型MOS管(M6)的栅极还接所述镜像电路，源极接所述地电压，所述第五P型MOS管(M5)的源极接所述VDD端，栅极分别接所述第四P型MOS管(M4)的栅极和漏极，漏极分别接所述第八N型MOS管(M8)的漏极和所述第三开关(S3)的一端，所述第五P型MOS管(M5)镜像所述第四P型MOS管(M4)，所述第七N型MOS管(M7)的源极接所述地电压，栅极分别接所述第六N型MOS管(M6)的漏极和栅极，漏极分别接所述第十一P型MOS管(M11)的漏极和电流输出端，所述第七N型MOS管(M7)镜像所述第六N型MOS管(M6)，所述第八N型MOS管(M8)的源极接所述地电压，栅极接所述第九N型MOS管(M9)的栅极，所述第九N型MOS管(M9)的源极接所述地电压，漏极分别接所述第十P型MOS管(M10)的漏极和栅极，所述第九N型MOS管(M9)镜像所述第八N型MOS管(M8)，所述第十P型MOS管(M10)的源极接所述VDD端，栅极接所述第十一P型MOS管(M11)的栅极，所述第十一P型MOS管(M11)的源极接所述VDD端，所述第十一P型MOS管(M11)镜像所述第十P型MOS管(M10)。