1.一种基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法,其特征在于:通过低频阻抗分析仪在变频下测量无磁性薄膜的阻抗,推导出电极化率;然后通过低频阻抗分析仪在变频下测量磁性薄膜的阻抗,利用上述步骤得到的电极化率推导出相应复数磁极化率。
2.根据权利要求1所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法,其特征在于:所述磁性薄膜为磁性γ-Fe2O3纳米颗粒组成的薄膜,所述无磁性薄膜为α-Fe2O3纳米颗粒组成的薄膜。
3.根据权利要求2所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法,其特征在于:所述γ-Fe2O3纳米颗粒和α-Fe2O3纳米颗粒的粒径均为10nm。
4.根据权利要求1所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法,其特征在于:通过公式推导出磁性薄膜的复数磁极化率,其中,ξ表示磁性薄膜表面阻抗,μ表示磁极化率,ε表示材料的电极化率。
5.根据权利要求1所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法,其特征在于:所述磁性薄膜和无磁性薄膜通过以下方法制备:
步骤1,合成裸的γ-Fe2O3纳米颗粒和α-Fe2O3纳米颗粒;
步骤2,将以上纳米颗粒通过静电吸附的方式,用层层自组装方法将纳米颗粒组装在载玻片上,组装后的薄膜厚度为300nm。