技术特征：
技术总结
本发明提出了一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法，用于解决现有技术无法同时测量已封装CMOS反相器内部NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的技术问题，实现步骤为：直流电压源为CMOS反相器施加直流电压，同时信号发生器为CMOS反相器施加脉冲信号；双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压和输出电压；绘制CMOS反相器一个周期的静态电压传输曲线；计算静态电压传输曲线转换点的增益；绘制转换点增益直线；计算转换点增益直线与静态电压传输曲线重合区间的端点；获取NMOS的阈值电压Vthn和PMOS的阈值电压Vthp。本发明测量效率高，通用性强，可用于数字电路设计和仿真中阈值电压的提取和分析。
技术研发人员：刘刚;李静月;刘锦辉;李苗蕊;王泉
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.05.22
技术公布日：2017.10.03