技术特征：
技术总结
本申请提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，包括：采用第一小检测电流测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率；采用第二小检测电流测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1；采用第三小检测电流测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率；采用第四小检测电流测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2；根据所述△VF2和△VF1获得△VF。解决现有技术中测试结果表征不明显，只能进行半定量的热分布不均匀度的判定的技术问题。
技术研发人员：苏洪源;赵发展;李晶;罗家俊;瞿磊;席茜
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2018.07.13