1.一种便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，包括：红外激光器，探测装置，控制单元以及用于给测试仪内部元件供电的电源单元；
控制单元包括：单片机，恒流源选档模块，AD采集模块，激光器驱动电路，显示模块，程序编译电路；
恒流源选档模块，显示模块，程序编译电路分别与单片机连接；
探测装置探测被测元件的数据信息，并通过AD采集模块将采集的数据信息传输至单片机；
红外激光器通过激光器驱动电路与单片机连接，激光器驱动电路用于使单片机控制红外激光器启停；
恒流源选档模块设有选档开关，恒流源选档模块用于接收用户通过选档开关选择的档位，根据选择的档位控制恒流源输出。
2.根据权利要求1所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
恒流源选档模块包括：恒流源发生电路，电感L1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，接线器U3，运放器LM1，场效应管Q1，选档开关；
电感L1第一端接+5v电源，电感L1第二端分别接电阻R1第一端，运放器LM1八号脚和电源VCC-A端连接，电阻R1第二端分别与运放器LM1三号脚和接线器U3一号脚连接，运放器LM1四号脚，接线器U3三号脚，电阻R2第二端，电阻R3第二端，电阻R4第二端，电阻R5第二端，电阻R6第二端分别接地，运放器LM1二号脚分别与场效应管Q1的S极，选档开关的GDK1，选档开关的GDK2，选档开关的GDK3，选档开关的GDK4连接，选档开关的GDK11，选档开关的GDK22，选档开关的GDK33，选档开关的GDK44分别与电阻R3第一端，电阻R4第一端，电阻R5第一端，电阻R6第一端连接；运放器LM1一号脚连接场效应管Q1的G极和电阻R2第一端。
3.根据权利要求2所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
恒流源发生电路包括：光电继电器U1，光电继电器U2，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10；
光电继电器U1一脚通过电阻R7连接单片机，光电继电器U1三脚通过电阻R8连接单片机，光电继电器U2一脚通过电阻R9连接单片机，光电继电器U2三脚通过电阻R10连接单片机，光电继电器U1二脚，四脚，光电继电器U2二脚，四脚分别接地；光电继电器U1五脚接选档开关的GDK3，光电继电器U1六脚接选档开关的GDK33，光电继电器U1七脚接选档开关的GDK4，光电继电器U1八脚接选档开关的GDK44，光电继电器U2五脚接选档开关的GDK1，光电继电器U2六脚接选档开关的GDK11，光电继电器U2七脚接选档开关的GDK2，光电继电器U2八脚接选档开关的GDK22，光电继电器U1，光电继电器U2分别采用AQY212。
4.根据权利要求1所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
激光器驱动电路包括：电感L2，电感L3，电阻R11，电阻R12，电阻R13，三极管Q3，场效应管Q2；
电阻R11第一端接单片机，电阻R11第二端接三极管Q3基极，三极管Q3集电极分别接电阻R12第一端，电阻R13第一端，电阻R12第二端通过电感L2接+12v电源，电阻R13第二端接场效应管Q2G端，场效应管Q2D端通过电感L3接+12v电源，场效应管Q2S端接红外激光器LED1_A，红外激光器LED1_B接地，三极管Q3发射极接地。
5.根据权利要求1所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
还包括：二倍压电路，二倍压电路用于产生22V供便携式半导体少子寿命测试仪内部元件使用；
二倍压电路包括：电容C1，电容C2，电容C3，电容C4，电容C5，倍压芯片U4，二极管D1，二极管D2，电阻R14，电阻R15；
倍压芯片U4一脚，电容C3第一端，电容C5第一端分别接地，倍压芯片U4五脚与电容C3第二端连接；倍压芯片U4二脚分别与六脚，电容C5第二端和电阻R14第一端连接；倍压芯片U4四脚，八脚，电阻R15第二端，电容C2第一端，电容C4第一端，二极管D1阳极，输入+13v共同连接，电阻R14第二端分别接电阻R15第一端，倍压芯片U4七脚，倍压芯片U4三脚接电容C1第一端，电容C1第二端分别接二极管D1阴极，二极管D2阳极，二极管D2阴极和电容C4第二端分别接22V输出端，电容C2第二端接地；倍压芯片U4采用NE555；
单片机采用STM32F103ZET6。
6.根据权利要求1所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
还包括：程序编译电路；
程序编译电路与单片机连接，程序编译电路包括：编译芯片U5，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25；
编译芯片U5采用JTAG1；编译芯片U5一脚，二脚，电阻R21第一端，电阻R22第一端，电阻R23第一端，电阻R24第一端分别接+3.3v，电阻R21第二端接编译芯片U5三脚，电阻R22第二端接编译芯片U5五脚，电阻R23第二端接编译芯片U5七脚，电阻R24第二端接编译芯片U5十三脚，编译芯片U5九脚通过电阻R25接地；编译芯片U5四脚，六脚，八脚，十脚，十二脚，十四脚，十六脚，十八脚，二十脚分别接地。
7.根据权利要求1所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
电源单元包括：用于给便携式半导体少子寿命测试仪内部元件供电的供电电池，用于给供电电池充电的充电电路；
充电电路包括：电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27，电阻R28，电阻R29，电阻R30，电阻R31，电阻R32，电阻R33，电容C11，电容C12，电容C13，电容C14，+5v电源接线端U11，二极管D11，二极管D12，二极管D13，指示灯LED1，指示灯LED2，电感L4，电感L5，电感L6，电感L7，电感L8，电感L9，三极管Q11，三极管Q12，稳压芯片U12，运放器LM3，+12v电源接线端U11；
电阻R21第一端接地，电阻R21第二端接电阻R22第一端，电阻R22第二端分别接电容C11第一端，电感L8第一端，电感L9第一端，稳压芯片U12五号脚，电感L9第二端接+5v电源接线端U11一号脚，+5v电源接线端U11二号脚接地，电容C11第二端接地，稳压芯片U12四号脚分别接电感L8第二端，二极管D11阳极，二极管D11阴极分别接电容C13第一端，电容C14第一端，电阻R26第一端，+13v电源，二极管D12阳极，稳压芯片U12三脚接地，稳压芯片U12一脚通过电阻R23和电容C12接地，稳压芯片U12二脚分别通过电阻R24接地，与电阻R25第一端连接，电阻R25第二端与电阻R26第二端连接，二极管D12阴极，电感L4，电感L5，二极管D13串联连接，电容C13第二端和电容C14第二端分别接地，二极管D13阴极分别接电阻R27第一端和电感L7第一端；
电阻R27第二端，电阻R32第二端，电阻R33第二端，运放器LM3一脚，+12v电源接线端U11二脚，漏电保护器F1共同连接，电阻R32第一端接USB1，电阻R33第一端通过电阻R31连接三极管Q12基极，运放器LM3三脚连接电阻R32滑动端，电感L7通过电感L6连接运放器LM3二脚，+12v电源接线端U11一脚接地，运放器LM3四脚接地，运放器LM3八脚接+12v电源，三极管Q12发射极接地，三极管Q12集电极接指示灯LED1第一端，指示灯LED1第二端分别接电阻R28第二端，电阻R29第一端；电阻R28第一端接USB2，电阻R29第二端接三极管Q11基极，三极管Q11发射极通过指示灯LED2接地，三极管Q11集电极通过电阻R30接USB3；运放器LM3采用LM393；稳压芯片U12采用LM2576S-ADJ-TO263。
8.根据权利要求7所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
电源单元还包括：供电切换电路；
供电切换电路包括：二极管D3，二极管D4，二极管D5，二极管D6，电阻R41，电阻R42，电阻R43，电阻R44，电阻R45，电容C21，场效应管Q5，采集芯片U6；
二极管D3阳极连接电源，二极管D4阳极连接USB连接端，二极管D3阴极，二极管D4阴极分别与电阻R41第一端连接，电阻R41第二端分别与电容C21第一端和采集芯片U6的一号脚连接，电容C21第二端，采集芯片U6的二号脚分别接地，采集芯片U6的三号脚与电阻R44第一端连接，采集芯片U6的四号脚接+12v电源，电阻R44第二端分别与电阻R45第一端，场效应管Q5G极连接，电阻R45接地，场效应管Q5S极分别接电阻R42第一端和+12v电源，电阻R42第二端通过电阻R43接地，电池供电端AD_C和AD_D分别接电阻R43的两端；场效应管Q5D极与二极管D5阳极连接，二极管D5阴极分别与二极管D6阴极及单片机连接，二极管D6阳极接电源；采集芯片U6采用TLP521。
9.根据权利要求7所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
电源单元还包括：12v变5v供电电路，5v变3.3v供电电路，12v供电电路；
12v供电电路包括：供电芯片U33，电容C41，电容C42，电容C43，电容C44，电感L25，电感L24，二极管D32，二极管D33，电阻R51，电阻R52，电阻R53，电阻R54；
供电芯片U33五脚分别连接12v供电电路输入端，电容C41第一端，电感L25第一端，电容C41第二端接地；电感L25第二端分别连接供电芯片U33四脚，二极管D32阳极，二极管D32阴极分别连接电阻R52第二端，二极管D33阳极，电容C42第一端，电容C43第一端；电容C42第二端，电容C43第二端分别接地；二极管D33阴极通过电感L24连接12v供电电路输出端；电阻R52第一端连接电阻R54，电阻R54分别通过电阻R53接地，与供电芯片U33二脚连接，供电芯片U33三脚接地，供电芯片U33一脚通过电阻R51，电容C44接地；
12v变5v供电电路包括：供电芯片U31，电容C31，电容C32，电容C33，二极管D31，电感L22，电感L21；
供电芯片U31一脚分别与电容C31第一端，电容C32第一端，12v变5v供电电路输入端连接；供电芯片U31五脚，三脚，六脚，电感L22第一端和第二端，电容C31第二端，电容C32第二端，二极管D31阳极，电容C33第二端分别接地；供电芯片U31二脚分别连接电感L21第一端和二极管D31阴极；电感L21第二端，供电芯片U31四脚，电容C33第一端，12v变5v供电电路输出端共同连接；
5v变3.3v供电电路包括：供电芯片U32，电容C34，电容C35，电容C36，电容C37，电感L23；
供电芯片U32三脚连接电容C34第一端，电容C35第一端，5v变3.3v供电电路输入端共同连接；供电芯片U32四脚接3.3v电源；供电芯片U32二脚，电容C36第一端，电容C37第一端，电感L23第一端共同连接；供电芯片U32一脚，电容C34第二端，电容C35第二端，电容C36第二端，电容C37第二端分别接地，电感L23第二端接5v变3.3v供电电路输出端；
供电芯片U31采用LM2596S-5-TO263，供电芯片U32采用AMS1117S-3.3，供电芯片U33采用LM2577S-ADJ-TO263。
10.根据权利要求1所述的便携式半导体少子寿命测试仪，其特征在于，
显示模块采用TFT_LCD；
AD采集模块采用双路差分输入采集卡，芯片为ADSD1256。