一种多塞平分子印迹电化学传感器的制备方法与流程

本发明涉及分子印迹电化学传感器，尤其是一种多塞平分子印迹电化学传感器的制备方法。

背景技术：

多塞平(doxepin)是一种抗抑郁药，常用于治疗抑郁症和各种焦虑抑郁为主的神经症,亦可用于更年期精神病，对抑郁和焦虑的躯体性疾病和慢性酒精性神病也有效,也可用于镇静及催眠。但过量使用此类药物会造成对药物敏感引起的有嗜睡、口干、视力模糊、骨髓抑制、肾功能、肝脏功能损害等副作用，因此被世界上大部分国家列为管制药物。

测定多塞平的方法有高效液相色谱法、色质联用法等。然而这些方法由于需要昂贵的仪器设备，存在成本高、耗时长、灵敏度不高等缺点。因此，研究一种高灵度的、简便的多塞平测定方法具有非常重要的意义。

分子印迹技术是以待测目标分子为模板分子，将具有结构上互补的功能性单体通过共价或非共价键与模板分子结合形成单体模板分子复合物，再加入交联剂使之与单体进行聚合反应形成模板分子聚合物，反应完成后通过物理或化学方法去除模板分子，得到分子印迹聚合物，在聚合物中形成与原印迹分子空间结构互补并且具有多重识别位点的空穴。目前的方法由于选取的功能单体与模板分子不能恰当地匹配，并且交联膜韧性及刚性也较差，因此灵敏度不高且耐摔性不好。

技术实现要素：

本发明的目的是制备一种高灵敏度及高抗摔性的多塞平分子印迹电化学传感器。

为了达到本发明的目的，本发明要解决的技术问题是提供一种设备简单、制作简易、传感膜的比表面积大、电子传递速度快且高柔韧性的多塞平分子印迹电化学传感器的制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：以多塞平为模板分子、紫草氰苷为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、钴镍层状粉体复合材料为掺杂剂、4-丙氧基-4'-氰基联苯为传感膜改性剂，以异甘草素为交联剂制备。

上述一种多塞平分子印迹电化学传感器的制备方法，以多塞平为模板分子、紫草氰苷为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、以异甘草素为交联剂、钴镍层状粉体复合材料为掺杂剂、4-丙氧基-4'-氰基联苯为传感膜改性剂，在直径2mm玻碳电极表面上形成一种杂化钴镍层状粉体复合材料多塞平分子印迹聚合物薄膜，然后采用洗脱剂摩尔比5:1的乙酸和异丁醇混合溶剂将模板分子洗脱，即得。

上述一种多塞平分子印迹电化学传感器的制备方法，包括以下步骤：

<1>以水为溶剂配制20ml浓度为0.25mol/l的硫酸钴、0.25mol/l硫酸镍及浓度为0.5mol/l的维生素c的混合水溶液，以苯甲醇为溶剂配制浓度为0.05mol/l季戊四醇二亚磷酸二硬脂基酯5ml,然后将配制的5ml季戊四醇二亚磷酸二硬脂基酯溶液以5滴/秒的速度滴加到上述配制的20ml硫酸钴、硫酸镍及维生素c混合溶液中,滴加过程中以2500转/分速度剧烈搅拌，再在50ml的热水釜中130℃下进行反应2小时，冷却后离心收集所得的沉淀，采用无水乙醇洗涤3次，离心收集沉淀，将收集的沉淀在50℃下进行真空干燥,即得到钴镍层状粉体复合材料；

<2>向10.0ml溶剂乙醇中，依次加入1.5mmol～3.0mmol模板分子多塞平、3.0mmol～8.5mmol功能单体紫草氰苷、4.5mmol交联剂异甘草素、0.20mmol引发剂偶氮二异丁腈、步骤<1>制备的0.0150g～0.0300g的钴镍层状粉体复合材料及0.015g的4-丙氧基-4'-氰基联苯传感膜改性剂，每加入一种化学试剂超声波溶解8分钟；

<3>取步骤<2>的混合物8μl涂于干净光滑的直径为2mm的玻碳电极表面上，放置6小时后，将修饰后的电极置于80℃的真空干燥箱内热聚合2.0小时，然后采用洗脱剂摩尔比为5:1的乙酸和异丁醇混合溶剂将模板分子洗脱，即得。

研究发现，以多塞平为模板分子、紫草氰苷为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、钴镍层状粉体复合材料为掺杂剂、4-丙氧基-4'-氰基联苯为传感膜改性剂，以异甘草素为交联剂制备的多塞平分子印迹电化学传感器，可用于测定多塞平的含量。应用本发明建立测定多塞平的电化学分析方法，具有很优秀的灵敏度；多塞平的浓度在1.0×10^-8~4.5×10^-4mol/l范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数为r=0.9998)，检出限(s/n=3)为3.5×10^-9mol/l，因此，钴镍层状粉体复合材料掺杂的且4-丙氧基-4'-氰基联苯改性的多塞平分子印迹电化学传感器具有较高的灵敏度，超过目前的检测方法；另外，跌落实验发现该传感器在测定多塞平过程中仍然具有较好的重复性，因些该传感器具有较好抗摔性；并且设备简单、制作简易。

附图说明

图1是实施例1中一种多塞平分子印迹电化学传感器的制备方法的工作曲线图。

具体实施方式

实施例1

一、玻碳电极的处理

将玻碳电极在抛光布上依次用1.0μm、0.3μm和0.05μm的氧化铝粉抛光，然后放入体积比为1:1的硝酸中超声8min，再放入无水乙醇中超声8min，最后用纯水超声清洗干净。

二、多塞平分子印迹电化学传感器的制备

<1>以水为溶剂配制20ml浓度为0.25mol/l的硫酸钴、0.25mol/l硫酸镍及浓度为0.5mol/l的维生素c的混合水溶液，以苯甲醇为溶剂配制浓度为0.05mol/l季戊四醇二亚磷酸二硬脂基酯5ml,然后将配制的5ml季戊四醇二亚磷酸二硬脂基酯溶液以5滴/秒的速度滴加到上述配制的20ml硫酸钴、硫酸镍及维生素c混合溶液中,滴加过程中以2500转/分速度剧烈搅拌，再在50ml的热水釜中130℃下进行反应2小时，冷却后离心收集所得的沉淀，采用无水乙醇洗涤3次，离心收集沉淀，将收集的沉淀在50℃下进行真空干燥,即得到钴镍层状粉体复合材料；

<2>向10.0ml溶剂乙醇中，依次加入1.5mmol～3.0mmol模板分子多塞平、3.0mmol～8.5mmol功能单体紫草氰苷、4.5mmol交联剂异甘草素、0.20mmol引发剂偶氮二异丁腈、步骤<1>制备的0.0150g～0.0300g的钴镍层状粉体复合材料及0.015g的4-丙氧基-4'-氰基联苯传感膜改性剂，每加入一种化学试剂超声波溶解8分钟；

<3>取步骤<2>的混合物8μl涂于干净光滑的直径为2mm的玻碳电极表面上，放置6小时后，将修饰后的电极置于80℃的真空干燥箱内热聚合2.0小时，然后采用洗脱剂摩尔比为5:1的乙酸和异丁醇混合溶剂将模板分子洗脱，通过磁力搅拌洗脱模板分子，直至洗脱液中检测不到模板分子，再用超纯水洗去印迹电极表面的溶剂，然后将印迹电极保存于超纯水中待用。

三、工作曲线的绘制、检出限的测定

采用差分脉冲伏安法进行分子印迹电极响应特性的实验，测定线性范围及检出限。将钴镍层状粉体复合材料掺杂的且4-丙氧基-4'-氰基联苯改性的多塞平分子印迹电极分别在不同浓度的多塞平溶液中培育6分钟（底液为5.0mmol/lk3[fe(cn)6]-0.5mol/lph=6.0的磷酸盐缓冲溶液溶液），然后进行差分脉冲伏安法测量。多塞平溶液浓度在1.0×10^-8~4.5×10^-4mol/l范围内呈现良好的线性关系；线性方程为ip(μa)=8.2071с(μmol/l)+1.256，线性相关系数为r=0.9998，检出限(s/n=3)为3.5×10^-9mol/l。

四、多塞平分子印迹电化学传感器抗摔性实验

制备的钴镍层状粉体复合材料掺杂的且4-丙氧基-4'-氰基联苯改性的多塞平分子印迹传感器先在1.5米高的实验台上进行跌落5次，每次跌落均采用差分脉冲伏安法进行分子印迹电极响应特性的实验，5次测定多塞平的浓度的重复率均在95%-98%之间。

因此，该钴镍层状粉体复合材料掺杂的且4-丙氧基-4'-氰基联苯改性的多塞平分子印迹电极具有极高的灵敏度且具有较高的抗摔性。