专利名称：防中子辐射屏蔽材料感生伽玛放射性的测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种测量防中子辐射屏蔽材料感生γ放射性的装置。
防中子辐射屏蔽材料是一种可保护有关人员不受或少受中子辐射的危害的防护材料。中子辐射与物质作用以后可能产生伽玛(γ)辐射，这种γ辐射称为感生γ放射性，不同的物质所产生的感生γ放射性大小也不一样，作为防护材料，希望产生感生γ放射性越少越好。
申请人曾申报过一种可测量防中子辐射材料屏蔽性能的装置的专利(见专利号94208221)，但该装置不能测量物质的感生γ放射性。到目前为止，我们还没有看到有关测量物质的感生γ放射性的装置。
有鉴于此，本实用新型将提供一种测量物质感生γ放射性大小的装置，以用于指导研制防中子辐射屏蔽材料的成分配方。
本实用新型的目的是这样实现的防中子辐射屏蔽材料感生γ放射性的测量装置由中子源贮存器、中子源、中子源导管、探测器及其外围的带开口的铅屏蔽体组成。所说中子源装在所说中子源导管内，中子源导管插在所说中子源贮存器中，所说中子源贮存器有一深及所说中子源导管的准直孔，所说探测器为盖革计数管探测器，所说铅屏蔽体的开口与所说中子源导管的准直孔对准，中子源的中心、准直孔的中心和探测器的几何中心三者在同一轴线上。
以下结合附图和实施例对本实用新型进行详细描述。
图1是本实用新型的构成示意图。
如图所示，本装置由中子源贮存器1、中子源2、中子源导管3、探测器6及其外围的铅屏蔽体7组成。中子源贮存器1为石蜡堆，中子源2采用锎，探测器6采用盖革(GM)计数管。
由中子源升降线4挽系的中子源2装在中子源导管3内，中子源导管3垂直插在中子源贮存器1中，中子源贮存器1有一深及中子源导管3的水平准直孔8。铅屏蔽体7带开口，其开口与中子源导管3的准直孔8对准。中子源2的中心、准直孔8的中心和探测器6的几何中心三者在同一轴线上。
测量时，首先用探测器6测得无被测材料时的计数值，然后再将被测材料5紧置于中子源导管3的准直孔8的外侧，由探测器6测得此时有被测材料5时的另一计数值，两计数值的差值就是该被测材料5的感生γ放射性。
该测量采用的是“在线”测量方式，即在待测材料受中子辐射照射时，测量材料的感生γ放射性。所采用的GM计数管探测器对γ放射性灵敏而对中子辐射不灵敏。探测器外围的铅屏蔽体可避免探测器探测到房间周围的γ辐射散射，以提高测量精度。
本实用新型的优点是1.测量灵敏。由于测量是在中子辐射照射待测材料的情况下进行的，所以存在中子和γ两种辐射，而一般的探测器不仅对γ辐射灵敏，对中子辐射也灵敏。本实用新型由于采用了只对γ辐射灵敏，而对中子辐射不灵敏的GM计数管探测器，所以只要有少量的γ放射性都能测出。
2.测量数据准确。由于采用了对γ放射性很灵敏的GM计数管探测器，且探测器外围的铅屏蔽体可防止房间周围的γ辐射散射对计数器的影响，所以能准确地测出被测材料的感生γ放射性。
3.属在线测量，可测得半衰期短到几秒的γ放射性。由于被测材料所含化学元素不同，不同元素与中子作用后，产生的感生γ放射性的半衰期也不同，若“离线”测量，则很难测到半衰期短的感生γ放射性。
本装置建立后，测量了多种材料的感生γ放射性，取得了很好的效果，为指导研制防中子辐射屏蔽材料的成份配方提供了定量化的依据。
权利要求1.防中子辐射屏蔽材料感生伽玛放射性的测量装置有中子源贮存器(1)、中子源(2)和探测器(6)，其特征在于它还包括中子源导管(3)，所说中子源(2)装在所说中子源导管(3)内，中子源导管(3)插在所说中子源贮存器(1)中，所说中子源贮存器(1)有一深及所说中子源导管(3)的准直孔(8)，所说探测器(6)为盖革计数管探测器，该探测器外围带开口的铅屏蔽体(7)，所说铅屏蔽体(7)的开口与所说中子源导管(3)的准直孔(8)对准，中子源(2)的中心、准直孔(8)的中心和探测器(6)的几何中心三者在同一轴线上。
专利摘要本装置由中子源贮存器、中子源、中子源导管、探测器及其外围的铅屏蔽体组成。中子源装在中子源导管内，中子源导管插在中子源贮存器中，中子源贮存器有一深及中子源导管的准直孔，探测器为盖革计数管探测器，探测器外围带开口的铅屏蔽体，该开口与准直孔对准，中子源的中心、准直孔的中心和探测器的几何中心在同一轴线上。它测量灵敏、测量数据准确，可测得半衰期短γ放射性，可用于指导研制防中子辐射屏蔽材料的成分配方。
文档编号G01T1/00GK2227344SQ9520129
公开日1996年5月15日 申请日期1995年1月25日 优先权日1995年1月25日
发明者郑金美, 王炳林, 宁静, 张荫芬 申请人:北京市射线应用研究中心