迂回式红外传感器的制造方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本专利申请要求2012年8月31提交的美国临时申请61/695, 361的优先权，其全 部内容在此通过引用并入本文。
技术领域
[0003] 本发明涉及一种传感器装置以及一种制造这样的装置的方法。
【背景技术】
[0004] 根据熟知为普朗克辐射定律、史蒂芬-玻尔兹曼定律和维恩位移定律的定律，处 于任何非零温度的物体福射可描述为电磁波或光子的电磁能。维恩位移定律认为物体福射 的最长的波长（x_)与物体的温度大致成反比，大致描述为下述公式：
[0005]
【主权项】
1. 一种MEMS传感器，其包括： 镜；和 与所述镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的 导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其还包括： 所述吸收体中的至少一个导电端部，所述至少一个导电端部与所述多个间隔开的导电 臂中的第一导电臂和第二导电臂电连通，并且所述至少一个导电端部如此构造，使得当投 影在由所述镜限定的平面上时所述至少一个端部不限定任何90度角。
3.根据权利要求2所述的MEMS传感器，其中，所述至少一个导电端部如此构造，使得当 投影在由所述镜限定的平面上时所述至少一个导电端部限定一个内曲线和一个外曲线。
4.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其中，所述多个间隔开的导电臂和所述至少一 个导电端部如此构造，使得当投影到所述平面上时所述多个间隔开的导电臂和至少一个导 电端部限定迂回式形状。
5.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其中，所述多个间隔开的导电臂中的每一个包 括多个层。
6.根据权利要求5所述的MEMS传感器，其中，所述多个层包括： 衬底层； 所述衬底层的上表面上的导电层；和 所述导电层的上表面上的绝缘层。
7.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其中，所述多个间隔开的导电臂中的每一个限 定大致I形梁形状的横截面。
8.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其中，所述多个间隔开的导电臂中的每一个限 定大致"U"形横截面。
9.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其中，所述多个间隔开的导电臂和至少一个导 电端部形成在支承板内，所述支承板至少从所述镜的第一端的正上方延伸至所述镜的第二 端的正上方。
10.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其还包括： 第一支承柱，其在所述平面的上方延伸并且支承所述吸收体的第一端； 第二支承柱，其在所述平面的上方延伸并且支承所述吸收体的第二端。
11.根据权利要求10所述的MEMS传感器，其还包括： 绝缘体层，其在所述绝缘体层的上表面上支承所述镜； 键合环，其支承在所述绝缘体层的上表面上； 第一馈通部，其在所述键合环下方延伸穿过绝缘体层并且与所述第一支承柱电连通； 第二馈通部，其在所述键合环下方延伸穿过绝缘体层并且与所述第二支承柱电连通。
12.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其中，所述间隔开的第一导电臂和第二导电臂 当投影到所述平面上时在所述第一导电臂和所述第二导电臂之间限定一间隙，所述间隙的 最小宽度比所述MEMS传感器的目标波长更小。
13.根据权利要求12所述的MEMS传感器，其中，所述多个间隔开的导电臂中的第一导 电臂限定最小臂宽度，所述最小臂宽度当投影到所述平面上时小于所述目标波长。
14. 一种用于形成MEMS传感器的方法，所述方法包括： 设置绝缘层； 在所述绝缘层上形成镜； 通过形成多个间隔开的导电臂而形成与所述镜间隔开的吸收体，所述多个间隔开的导 电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
15. 根据权利要求14所述的形成MEMS传感器的方法，所述方法还包括： 形成至少一个导电端部，所述至少一个导电端部与所述镜间隔开并且与所述多个导电 臂中的第一导电臂和第二导电臂电连通，并且所述至少一个导电端部如此构造，使得当投 影在由所述镜限定的平面上时所述至少一个端部不限定任何90度角。
16. 根据权利要求15所述的形成MEMS传感器的方法，其中，形成至少一个导电端部包 括如此形成所述至少一个导电端部，使得当投影在由所述镜限定的平面上时所述至少一个 导电端部限定一个内曲线和一个外曲线。
17. 根据权利要求16所述的形成MEMS传感器的方法，其中，形成所述多个间隔开的导 电臂和形成所述至少一个导电端部包括如此形成所述多个间隔开的导电臂和所述至少一 个导电端部，使得当投影到所述平面上时所述多个间隔开的导电臂和至少一个导电端部限 定迂回式路径。
18. 根据权利要求15所述的形成MEMS传感器的方法，其中，形成所述多个间隔开的导 电臂包括： 形成衬底层； 在所述衬底层的上表面上形成导电层； 在所述导电层的上表面上形成绝缘层。
19. 根据权利要求18所述的形成MEMS传感器的方法，所述方法还包括： 识别所述MEMS传感器的目标波长，其中，形成所述多个间隔开的导电臂包括以小于所 述目标波长的距离使所述多个间隔开的导电臂中的第一导电臂和第二导电臂间隔开。
20. 根据权利要求19所述的形成MEMS传感器的方法，其中，形成所述多个间隔开的导 电臂包括以最小臂宽度形成所述多个间隔开的导电臂中的每一个，所述最小臂宽度当投影 到所述镜上时小于所述目标波长。
【专利摘要】在一个实施例中，MEMS传感器包括镜和与镜间隔开的吸收体，所述吸收体包括多个间隔开的导电臂，所述多个间隔开的导电臂跨越所述镜正上方的区域地限定蜿蜒路径。
【IPC分类】G01J5-08, G01J5-02, G01J5-04, G01J5-20, G01J5-06
【公开号】CN104781641
【申请号】CN201380056207
【发明人】F·普尔科利, G·亚马, A·费伊, G·奥布赖恩
【申请人】罗伯特·博世有限公司, F·普尔科利, G·亚马, A·费伊, G·奥布赖恩
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2013年8月29日
【公告号】DE112013004275T5, US20140061845, WO2014036250A2, WO2014036250A3