预期数值D tl进行比较，重复多次的比较、控制及调整过 程，就可以完成自动校准，这里不需要知道室温温度的准确性，即可实现芯片输出在一定预 期范围，且准确度在±(1~2) °C内，极大了简化了校准方式。
[0025] 校准电路用于对待校准的电阻型温度传感芯片2中的输出进行校准。校准电路将 温度传感芯片的输出与设置的预期数值进行比较，然后产生控制信号，控制调节单元，调整 温度传感芯片中的电阻阻值或者电流镜像比值，从而调节实际的输出，最终将输出调整到 预期值。
[0026] 如图2所示，为本【具体实施方式】的温度传感芯片的校准电路的电路结构示意图。 校准电路包括比较单元102、控制信号产生单元103、调节单元104。图中VI，V2分别表示 温度传感芯片的芯片电路中连接感测电阻两端的两个端子。校准电路设计简单，大部分单 元可用数字电路实现，占用面积小。此外，校准电路仅在芯片工作前的预置状态下工作，在 芯片正常工作时处于休眠期，不会引入额外功耗。
[0027] 本【具体实施方式】中所校准的温度传感芯片，其输出D(T)与感测电阻的电阻值成 正比。T表示实际温度值。这样，芯片的输出更加直接地反映感测电阻的电阻值，也更加直 接地反应环境温度值，减小参数B引入的误差。
[0028] 优选地，如图3所示，为温度传感芯片中的芯片电路的一种优选结构示意图。芯片 电路包括提取电路11、时间转换电路12和数字转换电路13。提取电路11用于提取感测 电阻连接到芯片电路中时感测电阻中的电流和/或电压。时间转换电路12用于接收感测 电阻中的电流和/或电压，根据电流和/或电压得到与感测电阻的电阻值成正比的时间间 隔值。数字转换电路13用于将时间间隔值量化为数字输出结果。例如，时间转换电路12 可为伪差分的电容充电电路。提取电路11提取到的感测电阻的电流及电压输入到伪差分 的电容充电电路中，电容充电电路输出电容两端电压由低电平跳变至高电平的起始时刻tl 和终止时刻t2, t2与tl的时间间隔正比于感测电阻的电阻值，也即正比于环境温度。随 后，正比于温度的时间间隔被数字转换电路13量化，得到最终的数字输出D(T)。该数字输 出正比于感测电阻，其表达式为：
[0029] D(T) = yR(T) = γ R0 (I+TC (T-T0) = k (1+TC (T-T0)) (2)
[0030] 其中，γ是常数，由时间转换电路12和数字转换电路13的电路参数决定。k = γ%，正比于电阻阻值Rci,也可称为截距项。
[0031] 通过上述芯片电路的设置，即可使得温度传感芯片的输出与感测电阻的电阻阻值 R(T)成正比，即γ =Α，Β = 0,从而减小输出受其它参数B的影响程度，后续的校准调节更 加快速便捷。
[0032] 图2中，比较单元102用于接收温度传感芯片的输出结果D以及目标参考值，将两 者进行比较，输出比较结果。比较单元102可包括第一输入端、第二输入端和输出端。第一 输入端用于输入在在温度T (23~27 °C )下温度传感芯片2的输出D(T)，第二输入端用于 输入所设置的温度传感芯片2在25°C时的预期输出值Dtl作为目标参考值D Mf，输出端用于 输出第一输入端和第二输入端的大小比较结果Comp。当温度传感芯片要求高校准精确度 时，T取25°C，也即第一输入端为25°C下芯片的输出，第二输入端为所设置的25°C时的输 出值D。。当温度传感芯片要求中等校准精确度时，T可取23~27°C中除25°C之外的温度 值，不必严格强求温度在25°C下，此时也即第一输入端为该测试芯片在温度T下的输出，第 二输入端为所设置的25°C时的输出值D tl。当第一输入端大于第二输入端时，单元输出Comp 为高电平，说明芯片的工艺偏差导致电阻阻值等参数偏大，导致芯片输出的实际值偏大。当 第一输入端小于或等于第二输入端时，单元输出Comp为低电平，说明芯片的工艺偏差导致 电阻阻值等参数偏小或正常，导致芯片输出的实际值偏小或正常。
[0033] 控制信号产生单元103用于根据比较单元102输出的比较结果Comp产生控制信 号。一种情形下，控制信号产生单元103包括第一输入端、第二输入端、第三输入端和输出 端。第一输入端用于输入触发自动校准过程的信号S，当S由低电平转换为高电平时，表明 系统电路已经完成由温度信号到数字输出信号的转换，即将触发校准电路开始工作。第二 输入端用于输入自动校准过程所使用的参考时钟信号Clkauto-cal，参考时钟信号在控制 信号产生电路中作为基本时钟，多个参考时钟周期后产生最终的控制信号。第三输入端用 于输入比较单元102的比较结果Comp，Comp为高电平或低电平将导致产生不同的控制信 号，输出端用于输出所产生的一组多比特数字控制信号c。
[0034] 优选地，控制信号产生单元103产生的数字信号C可以通过使用逐次逼近寄存器 逻辑算法来产生。以由四个时钟周期确定输出四比特控制信号C为例，S触发自动校准电 路开始工作时，C设置为"1000"。在第一个时钟周期，如果Comp为低电平，则C的最高位 (左起第一位）保持" 1"不变，反之，如果Comp为高电平，则C的最高位改变为低电平"0"。 除根据Comp调节第一位的值之外，同时将次高位设置为"1"，即第一周期后，C为" 1100"或 "0100"，简写为"xlOO"，这里最高位的数值X已经确定为"1"或"0"。在第二个时钟周期，由 于C发生变化，其控制的感测电阻的阻值也发生变化，比较电路将比较新的芯片输出D(T) 与参考数值Dref的大小关系，得到Comp。如果Comp为低电平，则C的第二位保持" 1"不 变，反之，如果Comp为高电平，则C的第二位改变为低电平"0"。除此之外，同时还调节第三 位的值，将第三位设置为"1"，即C为"xllO"或"χΟΙΟ"，简写为"xxlO"，这里第二位的数值 X已经确定为"1"或"0"。在第三、四个周期，重复上述的工作，依次确定第三位和第四位的 数值，即可得到最终的四比特数字信号C。上述说明，仅以四比特控制信号为例进行说明，当 为一比特或者其他多比特位的控制信号时，也可参考上述过程设置，在此不重复说明。
[0035] 调节单元104用于根据所述控制信号调节感测电阻的电阻值的大小，或者调节所 述感测电阻上流过的电流镜像比值，进而最终调节电阻型温度传感芯片的输出大小。调节 单元104包括输入端、调节控制端；输入端用于输入控制信号产生单元103所产生的一组多 比特数字信号C，调节控制端用于作用于感测电阻，直接调节感测电阻的电阻值大小或者通 过调节感测电阻上的电流镜像比值，而感测电阻的对外输出端连接芯片电路的端口 Vl和 V2，则通过芯片电路后可影响芯片的输出，间接调节芯片的输出的大小。
[0036] 调节单元104用来调整感测电阻的电阻或其上流过的电流等变量，最终调节芯片 输出的大小。以调整感测电阻的电阻为例，不带校准电路时，感测电阻Rtl，其两端分别连 接Vl和V2两端。增加校准电路后，配合上述四比特控制信号产生单元，在感测电阻连接 到外部电路的过程中，除原感测电阻R tl外，将增加额外三个电阻，阻值分别为1/2R μ 1/4R。， 1/8&，他们与电阻Rtl组成串联电阻，串联后的两端电压分别作为所述感测电阻的对外输出 端连接到所述外部电路的两个端子Vl和V2。这四个电阻再各自并联一个开关，四个开关由 四比特信号C(C3、C2、C1、C0)来控制。具体地，第一开关、第二开关、第三开关和第四开关分 别依次并联在所述感测电阻R〇、所述第一电阻1/2&、第二电阻1/4&、第三电阻1/8&的两 端，所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关的控制信号输入端分别对应接收所述四 比特控制信号的最高比特位至最低比特位的控制信号，即依次为C3、C2、CU C0。初始状态 下，C为" 1000"，对应Vl和V2之间的等效电阻为Rtl。当芯片工艺偏差导致Rtl偏大时，25°C 下芯片的输出D (T = 25°C )会大于芯片的预期输出D。，导致比较单元的输出Comp为高，第 一个时钟周期内，触发控制信号产生电路的输出为"0100"，即减小Vl和V2之间的等效电阻 为1/2&。再经过三个周期的比较，最终产生合适的控制信号C，其控制四个电阻的并联开 关，使得Vl和V2之间的等效电阻充分接近或等于感测电阻的预期值，进而使得芯片的输出 为预期输出D tl。如果要通过改变电流镜像比值来调整，可以增加三个电流镜像电路，应用类 似的控制原理进行控制和操作，最终使得芯片的输出充分接近或等于预期输出D。。
[0037] 另外，如果控制信号产生单元输出的是η比特的控制信号，则相应调节单元包括 η个开关和n-1个电阻，第k电阻的阻值为k = 1、2…n-1，Rtl表示所述感测电阻在 25