部分放电传感器评价方法以及部分放电传感器评价装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及在检测例如GIS (gas insulated switchgear;气体绝缘开关设备）等 高功率设备的装置所产生的高频来检测部分放电现象时使用的部分放电传感器评价方法 W及部分放电传感器评价装置。
【背景技术】
[0002] 图16是示出W下的非专利文献1所公开的部分放电传感器评价装置的结构图。
[000引 G-TEM室佑-TEMcell) 102在接收到从信号源101产生的高频时，将该高频大致转 换为平面波，并传输该平面波。
[0004] 由此，对设置有部分放电传感器103的金属面照射垂直的偏振波。
[0005] 数字转换器（digitizer) 104通过对由部分放电传感器103接收到的电波的强度 与从信号源101产生的高频的强度进行比较，来测定从信号源101到部分放电传感器103 的传递特性。
[0006] 另外，通过设置已知天线有效高度的参照天线而取代部分放电传感器103,数字转 换器104测定从信号源101到参照天线的传递特性。
[0007] 通过对从信号源101到部分放电传感器103的传递特性与从信号源101到参照天 线的传递特性进行比较，能够求出部分放电传感器103的天线有效高度。
[0008] 另外，通过一边变更信号源101的频率一边进行同样的测定，可求出天线有效高 度的频率特性，通常采用W规定的频率对该些频率特性进行平均后的值作为部分放电传感 器103的指标。
[0009] 现有技术文献
[0010] 非专利文献
[0011]非专利文献 1 ;M.D.Judd,'UHFCouplersforGIS-SensitivityandSpecificat ion，'Proc. 10thInt.Symp.onHighVoltageEngineering，vol. 6,Aug. 1997
【发明内容】
[0012] 发明要解决的课题
[0013] 因为如W上该样构成现有的部分放电传感器评价装置，所W，能够求出部分放电 传感器103的天线有效高度。但是，因为G-TEM室102的尺寸是超过3m的大尺寸，所从整 体装置大型化，存在受设置场所等的制约的课题。
[0014] 本发明是为了解决上述该样的课题而完成的，其目的是得到可实现整个装置的小 型化的部分放电传感器评价方法W及部分放电传感器评价装置。
[001引解决问题的手段
[0016] 本发明的部分放电传感器评价方法具备W下的步骤：第1频率特性测定步骤，在 将测定用天线和有效高度的频率特性为已知的参照天线W分开规定距离的方式设置到平 板状的地上的状态下，传递特性测定器测定参照天线与测定用天线之间的传递特性的频率 特性；第2频率特性测定步骤，在圆筒地的内部设置有被测定用天线的状态下，传递特性测 定器测定被测定用天线与测定用天线之间的传递特性的频率特性，该圆筒地填设于圆形开 口内，该圆形开口是在原来设置有该参照天线的位置施加的；W及运算步骤，根据在第1频 率特性测定步骤中测定的传递特性的频率特性和在第2频率特性测定步骤中测定的传递 特性的频率特性，运算被测定用天线的有效高度的频率特性。
[0017] 发明效果
[0018] 根据本发明，没有采用大的G-TEM室，就能够运算被测定用天线的有效高度的频 率特性，具有可实现整个装置的小型化的效果。
【附图说明】
[0019] 图1是示出本发明实施方式1的部分放电传感器评价方法的流程图。
[0020] 图2是示出在平板状的地1上设置有测定用天线2和参照天线3的状态的说明图。
[0021] 图3是示出圆形开口 5中填设有设置被测定用天线9的圆筒地6的状态的说明图。
[0022] 图4是示出在圆筒地6的内部设置的被测定用天线9的说明图。
[0023] 图5是示出在平板状的地1上设置有被测定用天线9的状态的说明图。
[0024] 图6是示出本发明实施方式2的部分放电传感器评价方法的流程图。
[0025] 图7是示出在平板状的地1上设置有多个测定用天线2和参照天线3的状态的说 明图。
[0026] 图8是示出在平板状的地1上设置有多个测定用天线2和被测定用天线9的状态 的说明图。
[0027] 图9是示出本发明实施方式3的部分放电传感器评价方法的流程图。
[0028] 图10是示出设置有测定用天线2的一侧的状态、设置有被测定天线16的一侧的 状态的说明图。
[0029] 图11是示出在GIS上设置的高压电线路的立体图。
[0030] 图12是示出本发明实施方式4的部分放电传感器评价装置的立体图。
[0031] 图13是示出本发明实施方式4的其它部分放电传感器评价装置的立体图。
[0032] 图14是示出本发明实施方式4的其它部分放电传感器评价装置的立体图。
[0033] 图15是示出本发明实施方式4的其它部分放电传感器评价装置的立体图。
[0034] 图16是示出非专利文献1公开的部分放电传感器评价装置的结构图。
【具体实施方式】[00巧]实施方式1.
[0036] 图1是示出本发明实施方式1的部分放电传感器评价方法的流程图。
[0037] 图2是示出在平板状的地1上设置有测定用天线2和参照天线3的状态的说明图。
[0038] 在图2中，平板状的地1是用于设置测定用天线2和参照天线3的金属板。
[0039] 测定用天线2例如由单极天线构成，配置在平板状的地1上。
[0040] 单极天线在长度是1/2波长W下的情况下，向与单极天线的长度方向垂直的面内 (侧面方向）照射高频。后述的被测定用天线9(参照图5)设置在作为单极天线的测定用 天线2的侧面方向，所W，单极天线的长度为待测定的最大频率的1/2波长W下。
[0041] 参照天线3是天线有效高度heff_ref(f)的频率特性为已知的天线，设置为与测 定用天线2分开规定的距离。此外，如果天线有效高度heff_ref(f)是已知的，则参照天线 3可W采用任意天线，但一般如非专利文献1所记载的那样，采用25mm的单极天线。
[0042] 规定的距离（测定用天线2与参照天线3之间的距离）越大，则测定精度越高。
[0043] 例如，如果假定后述的被测定用天线9在平板状地1上的圆形开口直径5是D，则 在规定的距离为值XD/波长）W上时，能够获得与使得测定用天线2和参照天线3分离足 够远的情况相同的测定精度。
[0044] 网络分析器4实施该样的处理；对参照天线3与测定用天线2之间的传递特性的 频率特性E_ref(f)进行测定，并且对后述的被测定用天线9与测定用天线2之间的传递特 性的频率特性E_^t(f)进行测定。此外，网络分析器4构成传递特性测定器。
[0045] 运算装置4a例如由个人计算机等构成，实施该样的处理；根据由网络分析器4测 定的参照天线3与测定用天线2之间的传递特性的频率特性E_ref(f)、W及被测定用天线 9与测定用天线2之间的传递特性的频率特性E_^t(f)，运算被测定用天线9的有效高度 的频率特性heff(f)，并且运算有效高度的频率平均值heff_average。此外，运算装置4a 构成有效高度频率特性运算单元。
[0046] 图3是示出在圆形开口 5上填设有设置被测定用天线9的圆筒地6的状态的说明 图，图4是示出在圆筒地6的内部设置的被测定用天线9的说明图。
[0047] 另外，图5是示出在平板状的地1上设置有被测定用天线9的状态的说明图。
[0048] 在图3至图5中，圆形开口 5是在设置有参照天线3的位置施加的圆形开口部。
[0049] 圆筒地6是在圆形开口 5中填设的圆筒状的金属部件，在下部连接有凸缘7。另 夕F，凸缘7与天线地8连接。
[0050] 在圆筒地6内，在天线地8上设置有被测定用天线9。
[0051] 接着，对动作进行说明。
[0052] 最先，说明步骤ST1~ST3的第1频率特性测定步骤。
[0053] 首先，为了测定参照天线3与测定用天线2之间的传递特性的频率特性E_ref(f)， 如图2所示，在平板状的地1上设置作为单极天线的测定用天线2(图1的步骤ST1)。
[0054] 接着，将天线有效高度heff_ref讯的频率特性为已知的参照天线3W与测定用 天线2分开规定距离的方式设置在平板状的地1上（步骤ST2)。
[00巧]该里，如上所述，如果设圆形开口直径5为D，则规定的距离是为值XD/波长）W上的距离。
[0056] 当在平板状的地1上设置参照天线3与测定用天线2后，网络分析器4测定参照 天线3与测定用天线2之间的传递特性的频率特性E_ref(f)(步骤ST3)。
[0057] 其次，说明步骤ST4~ST6的第2频率特性测定步骤。
[0058] 首先，在从平板状的地1撤去参照天线3之