二次电子检测器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种检测器，尤其是一种二次电子检测器。
【背景技术】
[0002]现有技术的检测器中，由高电压而被吸引至闪烁体附近的二次电子的一部分会被环状电极吸收。因此，闪烁体的二次电子的检测量会减少，无法获得充分的信号杂讯比。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术缺陷，提供一种二次电子检测器。
[0004]为解决上述技术问题采用的技术方案是:一种二次电子检测器，包括:闪烁体，吸收二次电子并转换为光；导光体与闪烁体连接；以及光电转换装置，将闪烁体导出的光转换为电子后放大，且闪烁体包括:基板，配置于上述导光体上；导电膜设置于基板上，发光膜设置于导电膜上，闪烁体还包括配线，配线与上述导电膜连接。
[0005]导电膜是透明氧化物。
[0006]上述光电转换装置是光电倍增管或半导体受光元件。
[0007]该实用新型的有益效果是:本发明能抑制自试样表面发出的二次电子的检测量。
【附图说明】
[0008]图1是本发明的实施形态的概略图；
[0009]图2是本发明的结构概略图；
[0010]图3是图2的A-A剖面图。
【具体实施方式】
[0011]电子束装置包括镜筒部10及试样室18。镜筒部10包括产生电子束(一次带电粒子)EB的电子枪12、以及将电子束EB照射至安装在试样室18内的试样16的电子光学系统14。电子光学系统14中含有聚焦透镜(focusing lens)、扫描线圈(scannina coil、)、物镜(objective lens)等。试样室I 8中设置对二次电子SE进行检测的二次电子检测器20。如图2所示，二次电子检测器20包括闪烁体22、导光体24以及光电转换装置26。闪烁体22吸收自照射了电子束EB的试样16表面所发出的二次电子SE后将二次电子SE转换为光。导光体24使经转换的光穿透PMT26。光电转换装置26将通过导光体24而导出的光转换为电子后放大，以生成电信号。作为光电转换装置26，可使用光电倍增管(photomultipliertube，PMT)、或光电二极体(photo d1de)、光电晶体(phototransistor)等半导体受光元件等。如图2及图3所示，闪烁体22包括配置于导光体24上的厚度为100 μm左右的基板2、置于基板2上的厚度1nm?I μ m左右的导电膜4、以及设置于导电膜4上的厚度为1nm?10nm左右的发光膜6。由二次电子SE的射入而由发光膜6所发出的光，穿透导电膜4及基板2后射入至导光体24。于发光膜6的外缘部的一部分设置使导电膜4露出的多个连接部8。连接部8与配线28连接，该配线28将用以吸引二次电子的电压供给至导电膜4。作为导电膜4，可使用对由发光膜6所发出的光为透明的氧化锌、氧化钛等的透明氧化物。
【主权项】
1.一种二次电子检测器，其特征在于包括:闪烁体，吸收二次电子并转换为光；导光体与闪烁体连接；以及光电转换装置，将闪烁体导出的光转换为电子后放大，且闪烁体包括:基板，配置于上述导光体上；导电膜设置于基板上，发光膜设置于导电膜上，闪烁体还包括配线，配线与上述导电膜连接。
2.如权利要求1所述的二次电子检测器，其特征在于:导电膜是透明氧化物。
3.如权利要求1所述的二次电子检测器，其特征在于:上述光电转换装置是光电倍增管或半导体受光元件。
【专利摘要】一种二次电子检测器，包括：闪烁体，吸收二次电子并转换为光；导光体与闪烁体连接；以及光电转换装置，将闪烁体导出的光转换为电子后放大，且闪烁体包括：基板，配置于上述导光体上；导电膜设置于基板上，发光膜设置于导电膜上，闪烁体还包括配线，配线与上述导电膜连接。本实用新型能抑制自试样表面发出的二次电子的检测量。
【IPC分类】G01N23-225
【公开号】CN204287085
【申请号】CN201420711766
【发明人】侯晶
【申请人】成都唯昂新材料有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年11月24日