组制备在所述过线板的同一表面上，接收引出电极和所述发射引出电极组制备在所述过线板另外的层上，所述过线板上的接收电极导通端位与所述发射电极基片上的接收电极引出端位对准搭接连通。
[0015]根据本实用新型的另一个具体方面，所述过线板上各发射电极导通端位与发射电极基片上各发射电极引出端位的搭接连通，或所述过线板上接收电极导通端位与发射电极基片上接收电极引出端位的搭接连通，是以由导电颗粒和粘接剂混合而成的异方导通层将过线板与发射电极基片相粘接，同时将过线板上各发射电极导通端位与发射电极基片上各发射电极引出端位一一连通，或将过线板上接收电极导通端位与发射电极基片上接收电极引出端位连通。
[0016]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片上的各发射电极引出端位是导通点，所述过线板上各发射电极导通端位是导通盘；发射电极基片上的各发射电极导通点分别与过线板上的各发射电极导通盘排列位置相同，并一一对准搭接连通。
[0017]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片上栅状发射电极连接各自发射电极引出端位走线的排列，相对于栅状发射电极的排列是呈发散状的，各发射电极引出端位的间距大于对应的各发射电极的间距。
[0018]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片上的栅状发射电极组是直线形栅状发射电极组，直线形栅状发射电极组沿垂直于直线形发射电极的方向直线排列。
[0019]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片上的栅状发射电极组是扇形栅状发射电极组，扇形栅状发射电极组排列成一个圆环形状，各发射电极以栅状发射电极组中最小相邻发射电极角间距的整数倍分布在圆环上。
[0020]根据本实用新型的另一个具体方面，所述栅状耦合电极是呈齿轮状的连体电极，或者是齿轮状的分体电极组。
[0021]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片上的接收电极为圆环形，处于栅状发射电极组的内圈；接收电极的引出线处于栅状发射电极组和接收电极同一表面，通过所述栅状发射电极组组间的空隙延伸到栅状发射电极组的外圈，并通过所述发射电极基片上的接收电极引出端位与过线板上的接收电极导通端位对准搭接连通；所述栅状发射电极组的内圈是指半径小于圆环形栅状发射电极组内径的区域，所述栅状发射电极组的外圈是指半径大于圆环形栅状发射电极组外径的区域。
[0022]根据本实用新型的另一个具体方面，所述栅状发射电极组各发射电极的排列是以圆环中心旋转对称的，栅状发射电极组除具有接收电极引出线延伸到发射电极组外圈的发射电极组组间空隙，还具有与其旋转对称的其他发射电极组组间空隙。
[0023]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片上的接收电极为圆环形，处于栅状发射电极组的内圈，栅状发射电极组内圈的区域内还设置有一通孔，接收电极的引出线通过所述通孔引出去，所述栅状发射电极组的内圈是指半径小于圆环形栅状发射电极组内径的区域。
[0024]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片是玻璃片或陶瓷片或硅片。
[0025]根据本实用新型的另一个具体方面，所述发射电极基片上发射电极组的电极面，是朝向所述耦合电极基片上耦合电极的电极面，或者是背向所述耦合电极基片上耦合电极的电极面。
[0026]根据本实用新型的另一个具体方面，所述过线板上设置有与所述栅状发射电极组、接收电极相连接的侦测电路。
[0027]本实用新型与现有技术对比的有益效果是:
[0028]本实用新型所提出的多层电极位移传感器，以硬性的双层或多层印刷线路板直接与刚性的玻璃基片或陶瓷基片或硅基片的发射电极基片紧贴，形成多层电极的位移传感器，即解决了在发射电极所在的基片上将细密栅状发射电极相互导通所引起的困难，又避免了柔性线路板上引出线与栅状电极的对位困难，特别是避免了柔性线路板上引出线与圆盘等二维栅状电极的对位困难，将栅状电极连接到PCB上的发射引出电极，在多层PCB上实现各组中相同相位的电极互联，用多层印刷线路板与导电膜玻璃基片组成一种多层电极位移传感器，使电容栅或电感栅等高密度栅状电极位移传感器变得更加紧凑、稳定、可靠。
[0029]将侦测电路的IC及其他器件安置在过线板上，既节约了成本，又进一步提高了传感器的紧凑性、稳定性和可靠性。
[0030]本实用新型提出的多层电极位移传感器的方案，是利用半导体的光刻技术、平板显示器的成盒导通技术、PCB板的层间连接技术，将成熟的制备工艺和材料移植到栅状电极位移传感器的制备上来，迅速完成工业实现，让栅状电极位移传感器的制备产生一个突破。
[0031]本实用新型由于大大降低了高密度栅状电极位移传感器工艺制备的难度，非常适于工业化生产，使成本大大下降。
【附图说明】
[0032]图1是本实用新型【具体实施方式】一的结构示意图；
[0033]图2是本实用新型【具体实施方式】二的结构示意图；
[0034]图3是本实用新型【具体实施方式】三的结构示意图；
[0035]图4是本实用新型【具体实施方式】四的结构示意图；
[0036]图5是本实用新型【具体实施方式】五的结构示意图。
【具体实施方式】
[0037]以下均以电容栅位移传感器为实施例，所揭露的方法也适用于电感栅位移传感器和其他栅状电极传感器。
[0038]【具体实施方式】一
[0039]如图1a和图1b所示的电容栅角位移传感器100，包括发射电极基片110、耦合电极基片120、过线板130和侦测电路140。发射电极基片110是玻璃材质基片，栅状发射电极组111和接收电极113制备在发射电极基片110的同一表面上，栅状发射电极组111的各发射电极分别具有发射电极引出端位，各发射电极引出端位组成发射电极引出端位组112，接收电极113具有接收电极引出端位114 ;耦合电极基片120也是玻璃材质基片，栅状耦合电极组121制备在耦合电极基片120上，耦合电极组121将发射电极组111上的电信号传递到接收电极113上；过线板130是双层或多层印刷线路板(PCB板)，其上制备有发射引出电极组131、接收引出电极133、发射电极导通端位组132和接收电极导通端位134，发射电极导通端位组132和接收电极导通端位134制备在过线板130的同一表面上，发射引出电极组131和接收引出电极133制备在过线板130另外的层上。
[0040]其中图1a是发射电极基片110、耦合电极基片120、过线板130处于分离时的状态，图1b是发射电极基片110、过线板130、耦合电极基片120和侦测电路140组合成角位移传感器100时的状态。发射电极基片110上的栅状发射电极组111由N组每组8路栅状电极组成，8N条发射电极栅排成一个圆环，各发射电极以栅状发射电极组111中最小相邻发射电极角间距的整数倍分布在圆环形上，栅状发射电极组111各发射电极的排列以圆环中心旋转对称，其内的某些组间具有较大的空隙，各组中同相位的发射电极排列在各组中的相同位置；发射电极向外圈延伸到各自的引出端位，8N个发射电极引出端位组成发射电极引出端位组112 ;栅状发射电极组111同一表面的内圈是环形接收电极113，接收电极113通过栅状发射电极组111组间较大的空隙延伸到外圈的接收电极引出端位114处。过线板130上的发射引出电极组131是一组8路电极组，发射电极导通端位组132由N组每组8路导通端位组成，各发射电极导通端位分别与发射电极基片110上的各发射电极引出端位的排列位置相同，每条发射引出电极与发射电极导通端位组132中同相位的N个发射电极导通端位通过导通孔相连通，各条发射引出电极依次与发射电极导通端位组132中不同相位的发射电极导通端位连通；接收电极导通端位134与发射电极基片110上的接收电极引出端位114的位置相同，接收引出电极133与接收电极导通端位134通过导通孔相连通。
[0041]在发射电极基片110上发射电极引出端位组112处和接收电极引出端位114处，涂敷由导电颗粒和粘接剂混合成浆料的异方导通层150，将过线板130与发射电极基片110层叠在一起，过线板130上制备有发射电极导通端位组132和接收电极导通端位134的表面，与发射电极基片110上制备有栅状发射电极组111的表面相向靠紧压接，过线板130上发射电极导通端位组132的各发射电极导通端位与发射电极基片110上发射电极引出端位组112的各发射电极引出端位一一对准，接收电极导通端位134与发射