一端连接；第一直流偏置电路102与一第一交流直流叠加电路105连接；第一交流直流叠加电路105还分别连接三绕组输入变压器104的第二绕组1042的一端以及互为并联关系的第一线性功率放大模块电路107和第二线性功率放大模块电路108。
[0063]第二直流偏置电路103与第二交流直流叠加电路106连接。第二交流直流叠加电路106还分别连接三绕组输入变压器104的第三绕组1043的一端以及互为并联关系的第三线性功率放大模块电路109和第四线性功率放大模块电路110。
[0064]第一线性功率放大模块电路107和第二线性功率放大模块电路108还连接有三绕组输出变压器112的第一绕组1121的一端；三绕组输出变压器112的第一绕组1121的另一端连接有高压直流电源111。
[0065]第三线性功率放大模块电路109和第四线性功率放大模块电路110还连接有三绕组输出变压器112的第二绕组1122的一端；三绕组输出变压器112的第二绕组1122的另一端连接高压直流电源111。
[0066]三绕组输出变压器112的第三绕组1123的一端连接有交流耦合电路114的一端；该交流親合电路114的另一端连接电磁超声换能器113。
[0067]具体的，如图2所示，第一直流偏置电路102、第二直流偏置电路103、三绕组输入变压器104、第一交流直流叠加电路105和第二交流直流叠加电路106构成一交流直流耦合电路图2左侧A部分；交流直流耦合电路图2左侧A部分包括:第一直流电压源VCC1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、三绕组输入变压器TX1、输入信号端Vin。
[0068]第一直流电压源VCCl连接第二电阻R2的一端；第二电阻R2的另一端同时接第一电阻Rl的一端及第一二极管Dl的阳极；第一电阻Rl的另一端接地；第一二极管Dl的阴极同时连接第三电容C3和第三电阻R3的一端，第三电容C3的另一端接地，第三电阻R3的另一端同时连接第一电容Cl、第四电阻R4、第九电阻R9、第十电阻RlO的一端；第一电容Cl的另一端连接三绕组输入变压器TXl的第二绕组LSl的同名端；第四电阻R4的另一端接地；所述第一直流电压源VCCl还连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端同时连接第六电阻R6的一端及第二二极管D2的阳极；第六电阻R6的另一端接地，第二二极管D2的阴极同时连接第四电容C4和第七电阻R7的一端；第四电容C4的另一端接地，第七电阻R7的另一端同时连接一第二电容C2、第八电阻R8、第^^一电阻R11、第十二电阻R12的一端；第二电容C2的另一端连接三绕组输入变压器TXl的第三绕组LS2的异名端，第八电阻R8的另一端接地；三绕组输入变压器TXl的第二绕组LSl的异名端和第三绕组LS2的同名端均接地，三绕组输入变压器TXl的第一绕组Lp的同名端接输入信号端Vin，且三绕组输入变压器TXl的第一绕组Lp的异名端接地。
[0069]该交流直流耦合电路图2左侧A部分可以分别为两组线性功率放大模块提供直流偏置电压和幅值相等相位相反的两路交流信号。直流偏置电压的形成过程为:第一电阻Rl和第二电阻R2将直流电源VCCl提供的直流信号分压后提供给第一二极管Dl的阳极，第一二极管Dl的阴极输出的直流信号经第三电阻R3和第四电阻R4串接至地平面，并将第四电阻R4分得的直流电压提供给两个线性功放模块第一线性功率放大模块电路和第二线性功率放大模块电路作为一路直流偏置电压；第五电阻R5和第六电阻R6将直流电源VCCl提供的直流信号分压后提供给第二二极管D2的阳极，第二二极管D2的阴极输出的直流信号经第七电阻R7和第八电阻R8串接至地平面，并将第八电阻R8分得的直流电压提供给另两个线性功放模块第三线性功率放大模块电路和第四线性功率放大模块电路作为另一路直流偏置电压。交流输入信号经三绕组输入变压器TXl变换为幅值相等相位相反的两路交流信号，分别经过第一电容Cl和第二电容C2交流耦合到采用两个相同的线性功放模块并联的电路的输入端。第三电阻R3和第三电容C3、第七电阻R7和第四电容C4构成回路将泄露至直流电源VCCl的交流信号引入地平面，以减小交流信号对直流电源的干扰。
[0070]此外，如图2所示，第一线性功率放大模块电路107、第二线性功率放大模块电路108、第三线性功率放大模块电路109、第四线性功率放大模块电路110、三绕组输出变压器112、高压直流电源111以及交流耦合电路114构成的电路，可以包括如图2右侧B部分所示:
[0071]第九电阻R9、第十电阻R10、第^^一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二 ^^一电阻R21、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、第二十八电阻R28、第二十九电阻R29、第三十电阻R30、第三^^一电阻R31、第三十二电阻R32、第三十三电阻R33、第三十四电阻R34、第三十五电阻R35、第三十六电阻R36、第三十七电阻R37、第三十八电阻R38、第三十九电阻R39、第四十电阻R40、第四^^一电阻R41、第四十二电阻R42、第四十三电阻R43、第四十四电阻R44、第四十五电阻R45、第四十六电阻R46、第四十七电阻R47、第四十八电阻R48、第四十九电阻R49、第五十电阻R50、第五^^一电阻R51、第五十二电阻R52、第五十三电阻R53、第五十四电阻R54、第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml、第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2、第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3、第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4、第五N沟道功率MOS场效应晶体管M5、第六N沟道功率MOS场效应晶体管M6、第七N沟道功率MOS场效应晶体管M7、第八N沟道功率MOS场效应晶体管M8、第九N沟道功率MOS场效应晶体管M9、第十N沟道功率MOS场效应晶体管M10、第^^一 N沟道功率MOS场效应晶体管M11、第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M12、第十三N沟道功率MOS场效应晶体管M13、第十四N沟道功率MOS场效应晶体管M14、第十五N沟道功率MOS场效应晶体管M15、第十六N沟道功率MOS场效应晶体管M16、第十七N沟道功率MOS场效应晶体管M17、第十八N沟道功率MOS场效应晶体管M18、第十九N沟道功率MOS场效应晶体管M19、第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M20、第一直流电压源VCC1、第二直流电压源VCC2、第五电容C5、第六电容C6和第七电容C7。
[0072]进一步的，该第一线性功率放大模块电路107如图2右侧B部分所示:可以包括上述的第九电阻R9、第十三电阻Rl3、第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml、第十七电阻Rl7、第二i^一电阻R21、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第五N沟道功率MOS场效应晶体管M5、第六N沟道功率MOS场效应晶体管M6、第七N沟道功率MOS场效应晶体管M7、第八N沟道功率MOS场效应晶体管M8、第三十七电阻R37、第三十八电阻R38、第三十九电阻R39、第四十电阻R40 ；
[0073]所述第九电阻R9的另一端连接一第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml的栅极；所述第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml的漏极连接一第十三电阻R13的一端；所述第十三电阻R13的另一端连接第一直流电压源VCCl ;
[0074]所述第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml的源极同时连接第十七电阻R17、第二十一电阻R21、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24的一端；所述第十七电阻R17的另一端接地；
[0075]所述第二^^一电阻R21的另一端连接一第五N沟道功率MOS场效应晶体管M5的栅极；所述第二十二电阻R22的另一端连接一第六N沟道功率MOS场效应晶体管M6的栅极；所述第二十三电阻R23的另一端连接一第七N沟道功率MOS场效应晶体管M7的栅极；所述第二十四电阻R24的另一端连接一第八N沟道功率MOS场效应晶体管M8的栅极；
[0076]所述第五N沟道功率MOS场效应晶体管M5的源极连接一第三十七电阻R37的一端；所述第六N沟道功率MOS场效应晶体管M6的源极连接一第三十八电阻R38的一端；所述第七N沟道功率MOS场效应晶体管M7的源极连接一第三十九电阻R39的一端；所述第八N沟道功率MOS场效应晶体管M8的源极连接一第四十电阻R40的一端；
[0077]所述第三十七电阻R37、第三十八电阻R38、第三十九电阻R39、第四十电阻R40的另一端同时接地；
[0078]所述第五N沟道功率MOS场效应晶体管M5、第六N沟道功率MOS场效应晶体管M6、第七N沟道功率MOS场效应晶体管M7、第八N沟道功率MOS场效应晶体管M8的漏极均与一第五十三电阻R53的一端连接。
[0079]进一步的，该第二线性功率放大模块电路108如图2右侧B部分所示:可以包括上述的第十电阻R10、第十四电阻R14、第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2、第十八电阻R18、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、第二十八电阻R28、第九N沟道功率MOS场效应晶体管M9、第十N沟道功率MOS场效应晶体管M10、第^^一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml 1、第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml2、第四^^一电阻R41、第四十二电阻R42、第四十三电阻R43、第四十四电阻R44。
[0080]所述第十电阻RlO的另一端连接一第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2的栅极；所述第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2的漏极连接一第十四电阻R14的一端；所述第十四电阻R14的另一端连接第一直流电压源VCCl。
[0081]所述第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2的源极同时连接第十八电阻R18、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、第二十八电阻R28的一端；所述第十八电阻R18的另一端接地。
[0082]所述第二十五电阻R25的另一端连接一第九N沟道功率MOS场效应晶体管M9的栅极；所述第二十六电阻R26的另一端连接一第十N沟道功率MOS场效应晶体管MlO的栅极；所述第二十七电阻R27的另一端连接一第i^一 N沟道功率MOS场效应晶体管Mll的栅极；所述第二十八电阻R28的另一端连接一第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M12的栅极。
[0083]所述第九N沟道功率MOS场效应晶体管M9的源极连接一第四十一电阻R41的一端；所述第十N沟道功率MOS场效应晶体管MlO的源极连接一第四十二电阻R42