专利名称：温度稳定的参考电压电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种温度稳定的参考电压电路，尤其涉及一种使用于低供应电压且小于1V的能隙参考电压电路。
背景技术：
参考电路从内存、模拟、混合模式到数字电路在很多应用范围中是必要的。对一个低电压参考的需求，尤其在移动电话电池里特别明显。低电压操作是制造过程技术进展的趋势。当电源电压是小于1.5V之下时，在常见的能隙参考电路里是很难稳定操作的。因此，稳定操作在低供应电源的新能隙参考电压技术需求是不可避免的。
对于电源供应电压小于1.5V以下的能隙参考电路的讨论请参照如下H.Banba、H.Shiga、A.Umezawa、T.Miyaba、T.Tanzawa、S.Atsumi、及K.Sakui于1999年5月的固态电路的IEEE杂志第34期第5号第670-673页中可操作在1V以下的CMOS能隙参考电路，描述一BGA电路，在此Vref是从两个电流和之中被转换，其中一个与Vf成比例和另一个跟VT成比例，及J.Doyle、Y.J.Lee、Y.-B.Kim、H.Wilsch、及F.Lombardi于2004年1月的固态电路的IEEE杂志第39期第1号第252-255页中，具有1V电源供应电压的CMOS的次能隙参考电路，在此降低临界电压与次临界的操作技术被使用。其中大于VBE(100mV)以及连同90-dB运算放大器是用来防止该放大器发生偏移的情况。
如图1a范例所示一般CMOS BGR电路的组成由一各CMOS运算放大器OA1、一个包含MP1，MP2，MP3的电流镜、接线成二极管的晶体管(diode-wiredtransistors)Q1、Q2、Q3及电阻器R1、R2，全部实现在一个标准的CMOS制造过程之中。VDD与VSS系电源供应的轨迹。Q1、Q2、Q3的面积比是Q1∶Q2∶Q3＝1∶M∶1。晶体管MP1、MP2、MP3分别地供应电流I1、I2、I3。这电压VBE1见于节点BE1处，电压VN1见于节点N1处，电压VBE2见于节点VBE2处，而电压VBGR见于输出节点BGR能隙参考处。
一般二极管电流与电压的相对关系表示为ID=IS·(eq·VDk·T-1)---(1)]]>若VD>>kTq,]]>则等式(1)可近似ID≅IS·eq·VDk·T---(2)]]>VD之解VD=k·Tq·lnIDIS=VT·lnIDIS---(3)]]>其中k是波兹曼的常数(1.38×10-23J/K)，q是该电子电荷(1.6×10-19C)，T是该绝对温度(K)，VD是该跨于二极管的电压，ID是该二极管电流，IS是该饱和电流，及VT是该热电压＝(k·T)/q。
MP1、MP2、及MP3的PMOS晶体管尺寸相同。由于栅极是连接至一个共同节点，所以电流I1、I2、及I3具有相同的值。
(WL)MP1=(WL)MP2=(WL)MP3---(4)]]>I1＝I2＝I3＝I ....................................................(5)
利用(3)与(4)，图1a中的VBE1与VN1可表示为VBE1=VTlnIIS---(6)]]>VN1=I·R1+VT·lnIM·IS---(7)]]>其中M是二极管Q1与Q2间的面积比(Q1∶Q2＝1∶M；因此M＝Q2/Q1)，且其中VBE1是双载子晶体管的基极-射极电压或该二极管启动电压。
由于VBE1与VN1是运算放大器的一对输入电压，其控制为相同电压。VBE1＝VN1.................................................(8)利用(6)、(7)、极(8)，I给定为I=VTR1·ln·M---(9)]]>利用(9)，一般能隙参考、输出电压VBGR成为VBGR=I·R2+VBE1=R2R1·VT·ln·M+VBE1---(10a)]]>其中VBE1具有约-1.5mV/K的负温度系数，如图1b中所示，其中VT具有+0.087mV/K的正温度系数，使得VBGR是由R2/R1的电阻比与Q1、Q2双载子晶体管的面积比来决定。
图1b为曲线VBE1及曲线VBGR(输出电压)关联于水平轴上℃温度相对于垂直轴上伏特电压的习知能隙电路技术的仿真结果图。如此VBGR控制在大约1.25V的时候，VBGR的温度相依性将变的很小微不足道。由于，这供应电压不能低于1.25V+VDS3，其限制这CMOS电路的低电压设计如图1c，曲线1所示。图1c为水平轴上伏特的供应电压VDD相对于垂直轴上伏特的能是参考输出电压VBGR的习知能隙电路仿真结果图。
美国专利的习知技术的检阅产生下列相关专利美国专利6,788,041(Gheorghe等人)揭示当一个电压源操作在1.0至1.2伏特时，分别提供约242与245mV的Vref，使用PTAT电流源的能隙参考电路。
美国专利6,605,987(Eberlein)揭露使用电流模式技术的温度稳定参考电压，其中二部分电流彼此互相重迭并且转换成该参考电压。该电路允许1.0V以下的低温度补偿输出电压的实施。
美国专利6,529,066(Guenot等人)显示产生1.25V的输出且利用寄生垂直PNP晶体管操作于不同电流密度的能隙电路。该基-射极电压差的形成透过电阻器以产生一个正温度系数的电流。当结合另一个具有负温度系数的电压时，能隙参考电压将被产生。
美国专利6,566,850(Heinrich)描述一个能隙参考电路，其包含感测电路与电流注入器电路，藉由注入共益电流进入该能隙参考电路的内部节点中能快速转换至想要的操作状态。该能隙参考电路是一个有效的低电压电源供应(如1-1.5V)。
美国专利6,531,857(Ju)提出一个分段电阻器连接透过该PNP晶体管的射-基极终端产生VBE电流的能隙参考电路。该电阻器计算出该VBE电流与PATA电流且产生Vref电压，其中Vref可小于VEB。VEB一般小于或等于0.7V，导致VDD电压等于或大于0.85V。
美国专利6,489,835(Yu等人)揭示可以电压供应在小于1V操作并且只有一个非零电流操作点可利用的能隙参考电路，这能隙参电路包合一个嵌入式电流产生器的核心电路及一个输出VBG的能隙参考产生器。
美国专利6,281,743(Doyle)描述一个次能隙参考电路所产生的参考电压小于硅能隙电压，该参考信号的产生其包含分别产生具有负与正温度系数的第一与第二信号。该第一与第二信号是接着取样及储存在第一与第二电容器上。在这些电容器之间的低阻抗路径产生该参考信号。仿真显示仅使用1V供应电压可以得到一个稳定次能隙参考电压0.605V的输出。
美国专利申请公开案US2004/0169549A1(Liu)提出一个能隙参考电路，其包含一个运算放大器、连接至运算放大器的复数个MOS晶体管、复数个电阻器及连接至MOS晶体管的双载子晶体管。仿真与测量结果指出该能隙参考电路产生的Vref从-40℃至120℃且在1.18至1.2V范围之内。
美国专利应用公开案2004/0155700A1(Gower等人)教示一个低电压操作的能隙参考电压产生器，其包括具有正温度系数的第一电流的第一封闭回路及具有负温度系数的第二电流的第二封闭回路。这能隙参考电压产生器包含许多输出级，各输出可独立依照大小具有零、正或负温度系数。
习知电路很多问题易于不稳定，直到该供应电压大于1.5V或者为稳定操作于低供应电压而需要额外组件为止，例如获得相当大面积的电容器。因此，显然的一个BGA电路是符合这需要，它工作在供应电压小于1V是稳定的、而且结合简单并且低成本。
发明内容
本发明至少一实施例的目的，在于为提出可操作小于1伏特的温度独立电压能隙参考电路的电路与方法。
本发明的另一目的，在于提供使用标准CMOS制造过程的电路。
本发明的又一目的，在于提供稳定于供应电压在1.5V以下的能系参考电路。
本发明的又一目的，在于允许调整正与负温度系数。
本发明的又一目的，在于允许调整该温度系数至任意选取值。
本发明的又一目的，在于提供部分大小的能隙参考电压。
本发明的又一目的，在于提供一个部分大小的能隙电压，不管选择的值为何，该温度是独立的。
为达上述目的，本发明提供一种低电压能隙参考(BGR)电路，首先根据面积比为1∶M的两二极管型态装置或连接成二极管的晶体管(diode-connected transistors)与两电阻器的比例产生正与负参考电压的电路。其次，这两参考电压是驱动一个加总电路，各使用电流源与电阻器以产生依赖这正参考电压与电阻器的比例，及负参考电压与另一个电阻器的比例的一电流。这些电流是接着使用最后电阻器计算产生这部分温度独立的次能隙参考电压。该部分独立的次能隙参考电压的大小藉由该最后电阻器的特定值来加以决定。各加总电路的电流源可具有相等(W/L)比率，或依赖该电路完成，各电流源的比率可为电流源为N∶1(其中N大于或等于1)，且另一电流源为P∶1(其中P大于或等于1)。
为达上述目的，本发明采用的技术方案是，包含
一参考电路，在一第一输出产生具有负温度系数的第一参考电压，在一第二输出产生具有正温度系数的第二参考电压；一第一放大电路，连接至该参考电路的第一输出，以产生对该第一参考电压成正比且与一第一电阻器成倒数的电流；一第二放大电路，连接至该参考电路的第二输出，以产生对该第二参考电压成正比且与一第二电阻器成倒数的电流；一加总电路，连接至该第一与第二放大电路，该加总电路是透过一第三电阻器计算该第一与第二放大电路中的电流总和，以产生一温度独立的输出参考电压，其对该第三电阻器的大小成比例。
本发明采用的另一技术方案是，包含一参考电路，分别产生一第一与一第二参考电压，该参考电路更包含有一第一电流源，具有第一、第二、及第三输出；一第一二极管组件，连接于该第一电流源的该第一输出与一共同节点之间，该第一二极管组件定义该第一参考电压的一第一二极管电压，该第一参考电压具有一负温度系数；一第二二极管组件，与一第一电阻装置串联且连接于该第一电流源的该第二输出与一共同节点之间，该第二二极管组件定义一第二二极管电压；一第二电阻器，连接于该第一电流源的该第三输出与该共同节点之间，该第二电阻器定义该第二参考电压的电压降，该第二参考电压具有一正温度系数；及一放大器，包含有一输出，连接以控制该第一电流源，于第一输出反应一讯号，该第一输出连接至该第一二极管组件，并于第二输出反应一讯号，该第二输出连接至该第一电流源的该第三输出；一第一放大电路，连接至该参考电路，以产生对该第一参考电压成正比且与一第三电阻器成倒数的一电流，该第一放大电路另包含一第二电流源包含有一第四与一第五输出；该第三电阻器，连接该第二电流源的该第四输出与该共同节点之间；及一第二放大器，包含有一个输出，连接以控制该第二电流源，于该第二放大器的第一输入反应一信号，该第二放大器的第一输入连接至该第一二极管组件，并于该第二放大器的第二输入反应一信号，该第二放大器的第二输入连接至该第二电流源的该第四输出；一第二放大电路，连接至该参考电路，以产生对该第二参考电压成正比且与一第四电阻器成倒数的一电流，该第二放大电路另包含一第三电流源包含有一第六与一第七输出；该第四电阻器，连接于该第三电流源的该第六输出与该共同节点之间；一第三放大器，包含有一个输出，连接以控制该第三电流源，于该第三放大器的第一输入反应一信号，该第三放大器的第一输入连接至该第二二极管组件，并于该第三放大器的第二输入反应一信号，该第三放大器的第二输入连接至该第三电流源的该第六输出；一加总电路，分别连接至该第二与第三电流源的该第五与该第七输出，该加总电路计算该第一与该第二放大电路的电流的总合，藉此以产生与该总合电路的阻抗成比例的一温度独立的输出参考电压。
依据本发明的一种产生低电压能隙参考电路的方法，其特征在于，其步聚包含有a)分别提供具有正与负温度系数的第一与第二参考电压；b)提供具有一第一电阻器与一第一电流源的一第一放大电路，以产生对该第一参考电压成正比且与该第一电阻器成倒数的一第一电流；c)提供具有一第二电阻器与一第二电流源的一第二放大电路，以产生对该第二参考电压成正比且与该第二电阻器成倒数的一第二电流；d)藉由选取该第二与第一电阻器的适当值，以建立一个温度独立的能隙参考电压；e)藉由计算该第三电阻器中的第一与第二电流的总和，以产生该温度独立的能隙参考电压；f)藉由选择一特定值的第三电阻器，以选择一个部分且温度独立的能隙参考电压。
本发明的这些与其它目标的优点，对熟知本领域的普通一般技术人员于细读本发明附属的权利要求、附图、及下列较佳实施例的详细说明后容易明显可得。
图1a为习用技术的能隙参考电路示意图。
图1b为习用技术的能隙参考电路中温度相对于参考电压的曲线图。
图1c为习知技术的BGR电路中供应电压相对于参考电压的曲线图。
图2a为本发明一较佳实施例的能隙参考电路示意图。
图2b为图2a的能隙参考电路中的电压节点，其温度相对于电压的曲线图。
图2c为图2a的能隙参考电路中的输出参考电压，其供应电压相对于电压的曲线图。
图3为本发明另一较佳实施例的能隙参考电路示意图。
图4为本发明又一较佳实施例的能隙参考电路示意图。
图5为本发明一较佳实施例方法的示意方块图。
在不同图式中使用相同参考数字表明为相似或同样的组件。
附图标号说明1曲线；2曲线；200电路；300电路；400电路。
具体实施例方式
下方将详述说明提议的新低电压能隙参考电路(能隙参考)。该电路使用电流加总技术，以实施该温度补偿，并且能够使用标准CMOS制造过程操作于1V以下。
图2a的电路200例示本发明的第一较佳实施例。图2a包含一个CMOS运算放大器OA1、PMOS晶体管MP1、MP2、MP3的电流镜、双载子晶体管Q1、Q2、及电阻器R1、R2，皆实施于该标准CMOS制造过程中。VDD与VSS分别是正与负电源供应轨迹。节点BE1与N1分别连接至OA1的负与正的输入端。节点BE1(或为节点BE2)与POS分别连接至运算放大器OA2、OA3的输入端。电阻器R1连接于节点N1与Q2之间，而电阻器R2连接于节点POS与VSS之间。Q1与Q2的面积比是Q1∶Q2＝1∶M。电流源晶体管MP1、MP2、MP3分别具有相同(W/L)比例与供应电流I1、I2、I3。这电压VBE1见于节点BE1，电压VN1见于节点N1，电压VBE2见于节点BE2，电压VPOS见于节点POS，电压Vp见于节点P，电压VN见于节点N，而电压VREF见于输出节点REF。
PMOS晶体管MP4与电阻器Rn是串联连接于VDD与VSS之间。MP4与Rn的接点是节点N。输入BE1(或为BE2)与节点N分别连接至OA2的负与正输入端。OA2的输出连接至电流源晶体管MP4与MP5的栅极。PMOS晶体管MP5与加总电阻器Rc是串联连接于VDD与VSS之间。MP5与Rc的接点系输出VREF。PMOS晶体管MP6与电阻器Rp是串联连接于VDD与VSS之间。MP6与Rp的接点是节点P。输入POS与节点P分别连接至OA3的负与正输入端。这OA3的输出是连接至电流源晶体管MP6与MP7的栅极。对MP5并联连接是PMOS晶体管MP7。晶体管MP4、MP5、MP6、MP7分别供应电流I4、I5、I6、I7。
如上方已陈述者(WL)MP1=(WL)MP2=(WL)MP3]]>因此I1＝I2＝I3＝I使用方程式(9)VPos=I·R2=VTR1·ln·M·R2=R2R1·VT·ln·M---(10b)]]>(WL)MP4=(WL)MP5⇒I4=I5---(11)]]>(WL)MP6=(WL)MP7⇒I6=I7---(12)]]>由于VBE1与VN是该运算放大器的一对输入电压，将它们控制为相同电压
VBEI＝VN......................................................(13)I4=VNRn=VBE1Rn---(14)]]>由于VPOS与VP是该操作放大器的一对输入电压，将它们控制为相同电压。
VPOS＝VP......................................................(15)I6=VPRp=VPOSRp---(16)]]>自(11)与(13)I5=VBE1Rn---(17)]]>自(12)与(14)I7=VPOSRp---(18)]]>VREF＝Rc(15+17) ...............................................(19)使用(17)、(18)、及(19)VREF=VBE1·(RcRn)+VPOS·(RcRp)---(20)]]>自(10b)，我们了解VPOS=R2R1·VT·ln·M,]]>其正温度系数大约(+0.087·mV/KxR2R1xln·M).]]>于R1、R2、及M决定之后，我们能选取Rn与Rp的比率，以获得一个VREF，其温度相依性变得小的微不足道，如图2b的曲线图中所示。因此能够选择不同容量的Rc值来获得不同的VREF电压。图2b为曲线VBE1、VPOS、及该输出电压VREF关联于水平轴上℃温度相对于垂直轴上毫伏特电压的能隙电路仿真结果图。曲线VBE1具有负斜率，曲线VPOS具有正斜率，导致曲线VREF在-40到+125℃的温度范围之中的斜率基本上是零。一旦我们藉由选取一个适当 (可能要调一下，印的时后显示不出来)比例将得到一个温度独立性的VREF，选择不同容量的Rc不会破坏VREF温度独立的特征，仅改变VREF的绝对值。因此，我们能选取一个适当的Rc值，使得VREF的电压小于该外部供应电压。一个范例显示于图2c中，图中曲线2与水平轴上伏特的供应电压VDD相对于在垂直轴上毫伏特的BGR电路输出电压VREF有关联性。曲线2显示VREF＝0.6V，且当VDD＞1.0V时它的值几乎为常数。从第2b与2c图的模拟结果，我们发现提议的能隙参考电路的第一较佳实施例可应用至小于1V的外部电压系统。
参照图3的电路300，现在讨论本发明的第二较佳实施例。在图3对上图2a是只变更系(a)电阻器Rn与Rp由电阻器Rc取代，使得具有相同容量的三个电阻器Rc，及(b)Mp4与Up5及Mp6与Up7的W/L比例不同。上方讨论的组件以类似符号指示，且不需要另加说明。
注MP4∶MP5＝N∶1MP6∶MP7＝P∶1(WL)MP4=N·(WL)MP5⇒I4=N·I5---(21)]]>(WL)MP6=P·(WL)MP7⇒I6=P·I7---(22)]]>因此VREF=(I5+I7)·Rc=[(I4N)+(I6P)]·Rc]]>VREF=(1N·VNRc+1P·VPRc)·Rc=VNN+VPP]]>
VREF=1NVBE1+1PVPOS---(23)]]>在决定R1、R2、及M之后，可选取N与P的比率，以获得其温度相依性将变的很小微不足道的VREF。
参照图4的电路400，现在讨论本发明的第三较佳实施例。图4中唯一变更是(a)电阻器Rn由电阻器Rc取代，使得具有相同容量的二个电阻器Rc，及(b)MP4与MP5的W/L比例不同。先前所讨论的组件以类似符号指示，且不需要另加说明。
注MP4∶MP5＝N∶1(WL)MP4=N·(WL)MP5⇒I4=N·I5---(24)]]>(WL)MP6=(WL)MP7⇒I6=I7---(25)]]>因此VREF=(I5+I7)Rc=(I4N+I6)·Rc]]>VREF=(1N·VNRc+VPRp)·Rc]]>VREF=1NVBE1+(RcRp)·VPOS---(26)]]>在决定R1、R2、及M之后，可选取 与 的比例，以获得其温度相依性将变的很小微不足道的VREF。
现在描述本发明的方法参照图5方块1分别提供具有正与负温度系数的第一与第二参考电压。
方块2提供具有第一电阻器与第一电流源的第一放大电路，以产生与第一参考电压成正比及第一电阻器成倒数的第一电流。
方块3提供具有第二电阻器与第二电流源的第二放大电路，以产生与第二参考电压成正比及第二电阻器成倒数的第二电流。
方块4藉由选取该第二与第一电阻器的适当值，以建立一个温度独立的能隙参考电压。
方块5藉由计算第三电阻器中的第一与第二电流的总合，以产生一个温度独立的能隙参考电压。
方块6藉由选择一个特定值的第三电阻器，以选择一个部分大小的温度独立的能隙参考电压。
虽然本发明已特别参照其较佳实施例显示与描述，熟知该项技术的普通一般技术人员应懂得可于不超出本发明精神与范畴之外做出形式与细节的各种变更。
权利要求
1.一种低电压能隙参考电路，其特征在于，包含一参考电路，于一第一输出产生具有负温度系数的第一参考电压，于一第二输出产生具有正温度系数的第二参考电压；一第一放大电路，连接至该参考电路的第一输出，以产生对该第一参考电压成正比且与一第一电阻器成倒数的电流；一第二放大电路，连接至该参考电路的第二输出，以产生对该第二参考电压成正比且与一第二电阻器成倒数的电流；及一加总电路，连接至该第一与第二放大电路，该加总电路是透过一第三电阻器计算该第一与第二放大电路中的电流总和，以产生一温度独立的输出参考电压，其对该第三电阻器的大小成比例。
2.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该参考电路的电流源开关机制，具有相同的长宽比。
3.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该参考电路的第一与第二二极管组件，具有1∶M的面积比，其中该M值大于1。
4.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该具有一负温度系数的第一参考电压，可由类二极管(diode-like)机制的电压降所求得。
5.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该具有一正温度系数的第二参考电压，可由具有不同面积比的类二极管(diode-like)机制的电压降差所求得。
6.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第一放大电路中的开关机制，具有相同的长宽比。
7.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第二放大电路中的开关机制，具有相同的长宽比。
8.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第一放大电路中的开关机制，具有N∶1的长宽比，其中N值大于或等于1。
9.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第二放大电路中的开关机制具有P∶1的长宽比，其中P值大于或等于1。
10.如权利要求1所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该输出参考电压的温度系数，是由该第一电阻器对上该第二电阻器的比率决定。
11.一种低电压能隙参考电路，其特征在于，包含一参考电路，分别产生一第一与一第二参考电压，该参考电路更包含有一第一电流源，具有第一、第二、及第三输出；一第一二极管组件，连接于该第一电流源的该第一输出与一共同节点之间，该第一二极管组件定义该第一参考电压的一第一二极管电压，该第一参考电压具有一负温度系数；一第二二极管组件，与一第一电阻装置串联且连接于该第一电流源的该第二输出与一共同节点之间，该第二二极管组件定义一第二二极管电压；一第二电阻器，连接于该第一电流源的该第三输出与该共同节点之间，该第二电阻器定义该第二参考电压的电压降，该第二参考电压具有一正温度系数；及一放大器，包含有一输出，连接以控制该第一电流源，于第一输出反应一讯号，该第一输出连接至该第一二极管组件，并于第二输出反应一讯号，该第二输出连接至该第一电流源的该第三输出；一第一放大电路，连接至该参考电路，以产生对该第一参考电压成正比且与一第三电阻器成倒数的一电流，该第一放大电路另包含一第二电流源包含有一第四与一第五输出；该第三电阻器，连接该第二电流源的该第四输出与该共同节点之间；及一第二放大器，包含有一个输出，连接以控制该第二电流源，于该第二放大器的第一输入反应一信号，该第二放大器的第一输入连接至该第一二极管组件，并于该第二放大器的第二输入反应一信号，该第二放大器的第二输入连接至该第二电流源的该第四输出；一第二放大电路，连接至该参考电路，以产生对该第二参考电压成正比且与一第四电阻器成倒数的一电流，该第二放大电路另包含一第三电流源包含有一第六与一第七输出；该第四电阻器，连接于该第三电流源的该第六输出与该共同节点之间；及一第三放大器，包含有一个输出，连接以控制该第三电流源，于该第三放大器的第一输入反应一信号，该第三放大器的第一输入连接至该第二二极管组件，并于该第三放大器的第二输入反应一信号，该第三放大器的第二输入连接至该第三电流源的该第六输出；一加总电路，分别连接至该第二与第三电流源的该第五与该第七输出，该加总电路计算该第一与该第二放大电路的电流的总合，藉此以产生与该总合电路的阻抗成比例的一温度独立的输出参考电压。
12.如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第一电流源中的电流源晶体管，具有相同的长宽比。
13.如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第一与第二二极管组件，具有1∶M的一面积比，其中M值大于1。
14.如如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该具有一正温度系数的第二参考电压是由该第二与该第一电阻器的比率及该第一与第二二极管组件的面积比所求得。
15.如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第二电流源中的电流源晶体管，具有相同的长宽比。
16.如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第三电流源中的电流源晶体管，具有相同的长宽比。
17.如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第二电流源中的电流源晶体管，具有N∶1的一长宽比，其中N值大于或等于1。
18.如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该第三电流源中的电流源晶体管，具有P∶1的一长宽比，其中P值大于或等于1。
19.如权利要求11所述的低电压能隙参考电路，其特征在于，该输出参考电压的温度系数，是由该第三电阻器上的阻抗对该第四电阻器上的阻抗的比率来决定。
20.一种产生低电压能隙参考电路的方法，其特征在于，其步骤包含有a)分别提供具有正与负温度系数的第一与第二参考电压；b)提供具有一第一电阻器与一第一电流源的一第一放大电路，以产生对该第一参考电压成正比且与该第一电阻器成倒数的一第一电流；c)提供具有一第二电阻器与一第二电流源的一第二放大电路，以产生对该第二参考电压成正比且与该第二电阻器成倒数的一第二电流；d)藉由选取该第二与第一电阻器的适当值，以建立一个温度独立的能隙参考电压；e)藉由计算该第三电阻器中的第一与第二电流的总和，以产生该温度独立的能隙参考电压；及f)藉由选择一特定值的第三电阻器，以选择一个部分且温度独立的能隙参考电压。
全文摘要
本发明涉及一种低电压能隙参考电路，其主要是以电流加总技术为基础，且由一电路产生具有正与负温度系数参考电压的低电压能隙参考电路；其中这些参考电压是连接至放大电路，并根据那些放大电路中的电阻器的比率产生具有大小相等、方向相反的温度系数的参考电压，以藉此制造一个温度独立的参考电压，来自这些放大电路中的每一电流是合并在一个总和电阻器之中合计，这电阻器的大小决定此温度独立的参考电压大小。
文档编号G05F3/20GK1758176SQ200510109278
公开日2006年4月12日 申请日期2005年10月20日 优先权日2005年2月11日
发明者许人寿 申请人:钰创科技股份有限公司