专利名称：一种双向可调基准电流产生装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及模拟电路领域，尤其涉及一种双向可调基准电流产生装置。
背景技术：
基准电流在模拟集成电路中具有广泛应用，因为电流在长金属线上没有损失，而电压却有损失，所以在布线比较复杂的模拟电路中，电流基准更受欢迎。
图1为现有技术中一种常见的基准电流产生装置的电路图。如图1所示，该现有的基准电流产生装置由串联的电压转电流装置和电流镜构成。其中，电压转电流装置由差分运算放大器AO，NMOS管M20和电阻RO组成，差分运算放大器AO的同相输入端接一个具有低温度系数的基准电压V,ef，反相输入端接至NMOS管M20的源极，输出端接至匪OS管M20的栅极；电阻RO —端接至NMOS管M20的源极，另一端接地GND ；电流镜由PMOS管MlO和PMOS 管M30组成，PMOS管MlO和PMOS管M30的源极都连接至电源VDD，PMOS管MlO和PMOS管 M30的栅极短接并与PMOS管MlO的漏极相连，PMOS管MlO的漏极连接至NMOS管M20管的漏极，PMOS管M30的漏极为基准电流输出。可见，传统的基准电流产生装置一般是通过差分运算放大器和电阻将一个具有低温度系数的基准电压转换为电流，然后通过电流镜装置复制这个电流得到一个或多个基准电流。复制的基本原理是，工作在饱和区且具有相同尺寸及栅源电压的两个晶体管传输相同的电流。在不考虑二级效应的情况下，饱和区电流为
权利要求
1.一种双向可调基准电流产生装置，其特征在于，由串联连接的电压转电流装置和电流镜、与所述电压转电流装置和所述电流镜组成的串联电路并联的电流源开关调整阵列， 以及控制所述电流源开关调整阵列中开关的开关控制信号译码电路组成。
2.根据权利要求1所述的双向可调基准电流产生装置，其特征在于，所述电压转电流装置由差分运算放大器(A)、NMOS管(IC)和电阻(R)组成，差分运算放大器(A)的同相输入端接具有低温度系数的基准电压V&，反相输入端接至NMOS管(IC)的源极，输出端接至 NMOS管(M2)的栅极，NMOS管(M2)的漏极接至所述电流镜的输入端，电阻(R) —端接至NMOS 管(M2)的源极，另一端接地GND。
3.根据权利要求2所述的双向可调基准电流产生装置，其特征在于，所述电流镜由 PMOS管(Ml)和PMOS管(M3)组成，PMOS管(Ml)和PMOS管(M3)的源极都连接至电源VDD， PMOS管(Ml)和PMOS管(M3)的栅极短接并与PMOS管(Ml)的漏极相连，PMOS管(Ml)漏极为所述电流镜的输入端，PMOS管(M3)的漏极为基准电流输出端。
4.根据权利要求3所述的双向可调基准电流产生装置，其特征在于，所述电流源开关调整阵列包含n+1个单元，每个单元由电流源(II)、开关(S)、电流源(12)和开关(Q)组成， 电流源(Il)和电流源(12)中的电流相等，电流源(Il)的一端接至电源VDD，另一端接至开关⑶的一端，开关⑶的另一端接所述电流镜的输入端，电流源(12)的一端接地GND，另一端接开关⑴)的一端，开关⑴)的另一端接所述电流镜的输入端。
5.根据权利要求1所述的双向可调基准电流产生装置，其特征在于，所述电压转电流装置由差分运算放大器(A4)、PM0S管(M42)和电阻(R4)组成，差分运算放大器(A4)的同相输入端接具有低温度系数的基准电压Vref，反相输入端接至PMOS管(M4》的源极，输出端接至PMOS管(M4》的栅极，PMOS管(M4》的漏极接至所述电流镜的输入端，电阻(R4)的一端接至PMOS管(M4》的源极，另一端接电源VDD。
6.根据权利要求5所述的双向可调基准电流产生装置，其特征在于，所述电流镜由 NMOS管(M41)和NMOS管(M4!3)组成，NMOS管(M41)和NMOS管(M4!3)的源极都连接至地 GND,匪OS管(M41)和匪OS管(M43)的栅极短接并与匪OS管(M41)的漏极相连，匪OS管 (M41)的漏极为所述电流镜的输入端，NMOS管(M43)的漏极为基准电流Iref输出端。
7.根据权利要求6所述的双向可调基准电流产生装置，其特征在于，所述电流源开关调整阵列包含n+1个单元，每个单元由电流源(141)、开关(S4)、电流源(142)和开关0H) 组成，电流源(141)和电流源(142)中的电流相等，电流源(141)的一端接至电源VDD，另一端接至开关(S4)的一端，开关(S4)的另一端接电流镜的输入端，电流源(142)的一端接地 GND，另一端接开关0H)的一端，开关0H)的另一端接电流镜的输入端。
全文摘要
本发明涉及一种双向可调基准电流产生装置，由串联连接的电压转电流装置和电流镜、与所述电压转电流装置和所述电流镜组成的串联电路并联的电流源开关调整阵列，以及控制所述电流源开关调整阵列中开关的开关控制信号译码电路组成。本发明所提供的双向可调基准电流产生装置，能够对由制造工艺引起的基准电流偏差进行校正，从而能够提高基准电流的精度，进而提升使用该基准电流的电路芯片的性能。
文档编号G05F3/30GK102541148SQ201010618590
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者庄奕琪, 李勇强, 汤华莲, 赵辉, 雷吉成 申请人:国民技术股份有限公司