AMR磁开关电路的温度补偿电路及补偿方法与流程

技术特征：
1.一种AMR磁开关电路的温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路包括：第一电压生成模块、第二电压生成模块；所述第一电压生成模块用以生成决定AMR偏置电压的第一电压Vbg；第一电压Vbg由带隙基准电路产生的参考电压，其不随电源电压或温度的变化而变化；所述第二电压生成模块用以生成决定比较器阈值电压的第二电压Vpt；第二电压Vpt是一个具有负温度系数的参考电压，即当温度上升时，第二电压Vpt会下降；当第二电压Vpt的温度系数和AMR的温度系数相等时，由于AMR的输出和比较器阈值电压同时随温度变化，磁开关的翻转点将不随温度而变化，从而进行温度补偿；所述温度补偿电路具体包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻Rbg；电源电压VDD分别连接所述第七PMOS管M7的源极、第五PMOS管M5的源极、第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极、第八PMOS管M8的源极；所述第七PMOS管M7的漏极连接第五电阻R5的第一端，第五电阻R5的第二端连接第六电阻R6的第一端，第六电阻R6的第二端接地；第五电阻R5、第六电阻R6之间形成第二电压Vpt；所述第七PMOS管M7的栅极连接第五PMOS管M5的栅极、第五PMOS管M5的漏极、第六NMOS管M6的漏极，第六NMOS管M6的源极通过第四电阻R4接地；第六NMOS管M6的栅极连接第一NMOS管M1；所述第三PMOS管M3的栅极连接第四PMOS管M4的栅极、第三PMOS管M3的漏极；第三PMOS管M3的漏极连接第一NMOS管M1的漏极；第一NMOS管M1的源极连接第二电阻R2的第一端、第一三极管Q1的集电极；第一三极管Q1的基极连接第一三极管Q1的集电极，第一三极管Q1的发射极接地；所述第四PMOS管M4的漏极连接第二NMOS管M2的漏极、第二NMOS管M2的栅极、第一NMOS管M1的栅极；第二NMOS管M2的源极连接第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端；第三电阻R3的第二端接地，第一电阻R1的第二端连接第二三极管Q2的集电极、第二三极管Q2的基极，第二三极管Q2的发射极接地；所述第八PMOS管M8的栅极连接第四PMOS管M4的栅极，第八PMOS管M8的漏极连接第七电阻Rbg的第一端，第七电阻Rbg的第二端接地；第八PMOS管M8的漏极、第七电阻Rbg之间形成第一电压Vbg；通过第二电阻R2的电流具有负温度系数，通过第一三极管Q1的电流具有正温度系数，当二者互相抵消时，它们的和电流具有零温度系数，它们的和电流通过第一电流镜成为输出参考电流Ibg，第一电流镜包括第三PMOS管M3和第八PMOS管M8；通过选择合适的第四电阻R4阻值让流过第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的电流相等，则第六NMOS管M6的源极电压等于第一三极管Q1的第一电压Vbg，由于第一电压Vbg具有负温度系数，此时通过第四电阻R4的电流也具有了负温度系数；然后再通过第二电流镜得到输出参考电流Ipt，第二电流镜包括M5和M7，第二电流镜也同样具有负温度系数；为使参考电流Ipt的温度系数与AMR的温度系数达到一致，对第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的长宽比例和第四电阻R4和第一电阻R1的阻值比例做微调。2.一种AMR磁开关电路的温度补偿电路，其特征在于，所述温度补偿电路包括：第一电压生成模块、第二电压生成模块；所述第一电压生成模块用以生成决定AMR偏置电压的第一电压Vbg；第一电压Vbg由带隙基准电路产生的参考电压；所述第二电压生成模块用以生成决定比较器阈值电压的第二电压Vpt；第二电压Vpt是一个具有负温度系数的参考电压，即当温度上升时，第二电压Vpt下降；所述温度补偿电路具体包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻Rbg；电源电压VDD分别连接所述第七PMOS管M7的源极、第五PMOS管M5的源极、第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极、第八PMOS管M8的源极；所述第七PMOS管M7的漏极连接第五电阻R5的第一端，第五电阻R5的第二端连接第六电阻R6的第一端，第六电阻R6的第二端接地；第五电阻R5、第六电阻R6之间形成第二电压Vpt；所述第七PMOS管M7的栅极连接第五PMOS管M5的栅极、第五PMOS管M5的漏极、第六NMOS管M6的漏极，第六NMOS管M6的源极通过第四电阻R4接地；第六NMOS管M6的栅极连接第一NMOS管M1；所述第三PMOS管M3的栅极连接第四PMOS管M4的栅极、第三PMOS管M3的漏极；第三PMOS管M3的漏极连接第一NMOS管M1的漏极；第一NMOS管M1的源极连接第二电阻R2的第一端、第一三极管Q1的集电极；第一三极管Q1的基极连接第一三极管Q1的集电极，第一三极管Q1的发射极接地；所述第四PMOS管M4的漏极连接第二NMOS管M2的漏极、第二NMOS管M2的栅极、第一NMOS管M1的栅极；第二NMOS管M2的源极连接第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端；第三电阻R3的第二端接地，第一电阻R1的第二端连接第二三极管Q2的集电极、第二三极管Q2的基极，第二三极管Q2的发射极接地；所述第八PMOS管M8的栅极连接第四PMOS管M4的栅极，第八PMOS管M8的漏极连接第七电阻Rbg的第一端，第七电阻Rbg的第二端接地；第八PMOS管M8的漏极、第七电阻Rbg之间形成第一电压Vbg。3.根据权利要求2所述的AMR磁开关电路的温度补偿电路，其特征在于：所述第一电压生成模块生成的第一电压Vbg不随电源电压或温度的变化而变化。4.根据权利要求2所述的AMR磁开关电路的温度补偿电路，其特征在于：当第二电压Vpt的温度系数和AMR的温度系数相等时，由于AMR的输出和比较器阈值电压同时随温度变化，磁开关的翻转点将不随温度而变化，从而进行温度补偿。5.一种AMR磁开关电路的温度补偿方法，其特征在于，所述温度补偿方法包括：第一电压生成模块生成决定AMR偏置电压的第一电压Vbg；第一电压Vbg由带隙基准电路产生的参考电压；第二电压生成模块生成决定比较器阈值电压的第二电压Vpt；第二电压Vpt是一个具有负温度系数的参考电压，即当温度上升时，第二电压Vpt下降；所述温度补偿方法通过温度补偿电路实现；温度补偿电路具体包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻Rbg；电源电压VDD分别连接所述第七PMOS管M7的源极、第五PMOS管M5的源极、第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极、第八PMOS管M8的源极；所述第七PMOS管M7的漏极连接第五电阻R5的第一端，第五电阻R5的第二端连接第六电阻R6的第一端，第六电阻R6的第二端接地；第五电阻R5、第六电阻R6之间形成第二电压Vpt；所述第七PMOS管M7的栅极连接第五PMOS管M5的栅极、第五PMOS管M5的漏极、第六NMOS管M6的漏极，第六NMOS管M6的源极通过第四电阻R4接地；第六NMOS管M6的栅极连接第一NMOS管M1；所述第三PMOS管M3的栅极连接第四PMOS管M4的栅极、第三PMOS管M3的漏极；第三PMOS管M3的漏极连接第一NMOS管M1的漏极；第一NMOS管M1的源极连接第二电阻R2的第一端、第一三极管Q1的集电极；第一三极管Q1的基极连接第一三极管Q1的集电极，第一三极管Q1的发射极接地；所述第四PMOS管M4的漏极连接第二NMOS管M2的漏极、第二NMOS管M2的栅极、第一NMOS管M1的栅极；第二NMOS管M2的源极连接第一电阻R1的第一端、第三电阻R3的第一端；第三电阻R3的第二端接地，第一电阻R1的第二端连接第二三极管Q2的集电极、第二三极管Q2的基极，第二三极管Q2的发射极接地；所述第八PMOS管M8的栅极连接第四PMOS管M4，第八PMOS管M8的漏极连接第七电阻Rbg的第一端，第七电阻Rbg的第二端接地；第八PMOS管M8的漏极、第七电阻Rbg之间形成第一电压Vbg。6.根据权利要求5所述的AMR磁开关电路的温度补偿方法，其特征在于：所述第一电压生成模块生成的第一电压Vbg不随电源电压或温度的变化而变化。7.根据权利要求5所述的AMR磁开关电路的温度补偿方法，其特征在于：当第二电压Vpt的温度系数和AMR的温度系数相等时，由于AMR的输出和比较器阈值电压同时随温度变化，磁开关的翻转点将不随温度而变化，从而进行温度补偿。8.根据权利要求5所述的AMR磁开关电路的温度补偿方法，其特征在于：通过第二电阻R2的电流具有负温度系数，通过第一三极管Q1的电流具有正温度系数，当二者互相抵消时，它们的和电流具有零温度系数，它们的和电流通过第一电流镜成为输出参考电流Ibg，第一电流镜包括第三PMOS管M3和第八PMOS管M8；通过选择合适的第四电阻R4阻值让流过第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的电流相等，则第六NMOS管M6的源极电压等于第一三极管Q1的第一电压Vbg，由于第一电压Vbg具有负温度系数，此时通过第四电阻R4的电流也具有了负温度系数；然后再通过第二电流镜得到输出参考电流Ipt，第二电流镜包括M5和M7，第二电流镜也同样具有负温度系数；为使参考电流Ipt的温度系数与AMR的温度系数达到一致，对第六NMOS管M6和第一NMOS管M1的长宽比例和第四电阻R4和第一电阻R1的阻值比例做微调。