1.一种具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于：包括基极电压产生电路、温度检测电路和输出级电路，
所述基极电压产生电路，采用电阻分压方式产生固定的电压，用于给所述温度检测电路中的晶体管提供基极电压；
所述温度检测电路，通过晶体管产生与温度有关的PTAT电流，根据温度变化使得PTAT电流的状态发生变化，PTAT电流的变化使得温度检测电路的输出电压的状态发生变化，从而实现根据温度是否超过温度阈值，得到不同的过温保护的输出；
所述输出级电路，用于增大过温保护的驱动能力，且隔离外部电路对所述温度检测电路的影响。
2.根据权利要求1所述的一种具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于：所述基极电压产生电路，包括PMOS管M9、电阻R3和电阻R4，所述PMOS管M9的源极接直流电源VDD，所述PMOS管M9的栅极接地，所述PMOS管M9的漏极连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端接地，所述电阻R3、电阻R4的连接处作为基极电压产生电路的输出，给所述温度检测电路中的晶体管提供基极电压。
3.根据权利要求1所述的一种具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于：所述温度检测电路，包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2、电阻R1和电阻R2，
所述PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6的源极接直流电源VDD，所述PMOS管M1的栅极和漏极相连并且与所述PMOS管M2的栅极、PMOS管M5的栅极、PMOS管M3的漏极、晶体管Q1的集电极相连接于节点D1；所述PMOS管M4的栅极和漏极相连并且与所述PMOS管M3的栅极、PMOS管M6的栅极、PMOS管M2的漏极、晶体管Q2的集电极相连接于节点D2；所述NMOS管M7的栅极和漏极相连并且与所述PMOS管M5的漏极相连接于节点D5；所述NMOS管M7的源极接地；所述NMOS管M8的栅极与节点D5相连接，所述NMOS管M8的漏极与PMOS管M6的漏极连接；所述晶体管Q1的基极与晶体管Q2的基极相连并且与为基极电压产生电路的输出相连接于节点D3；所述晶体管Q1的发射极与电阻R1的一端相连接于节点D4；所述电阻R1的另一端连接到地；所述晶体管Q2的发射极与电阻R2的一端相连接；所述电阻R2的另一端与电阻R1的一端相连接于节点D4；所述PMOS管M6的漏极与NMOS管M8的漏极相连接的节点，作为温度检测电路的输出端连接到输出级电路。
4.根据权利要求3所述的一种具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于：所述晶体管Q1、晶体管Q2均采用NPN型晶体管。
5.根据权利要求1所述的一种具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于：所述输出级电路，包括反相器INV1和二输入与非门NAND2，所述反相器INV1的输入端与温度检测电路的输出端相连接，所述反相器INV1的输出端接所述二输入与非门NAND2的一个输入端，所述二输入与非门NAND2的另一输入端接直流电源VDD，所述二输入与非门NAND2的输出端作为输出级电路的输出端，所述输出级电路的输出端为过温保护电路的输出端OTP。
6.根据权利要求2、3或5所述的一种具有热滞回功能的过温保护电路，其特征在于：所述直流电源VDD的电压为3.3V～5V。