电子隐身方法及装置与流程

本发明涉及隐身技术领域，具体涉及电子隐身方法及装置。

背景技术：

在隐身技术领域，目前已有的隐身技术都是采用光学处理的方法进行，例如对光线进行反射、折射、或是吸收特定波长的光来达到减弱人眼或机器可观察的程度，从而达到一定程度上的隐身，减少反射和吸收特定波长的光原理类似，通过吸收特定波长的光反射不容易引起人眼视觉的光来达到隐身的目的。

在这种光线处理的技术下，隐身的效果并不理想，具体表现为阴影仍旧可以察觉，只是一定程度的变暗了，在可见光范围内要找到吸收各种波长光的材料目前还比较困难；折射技术，是通过折射物体周围的光线来达到隐身物体的目的的，据媒体报道已有相关公司开发出‘量子隐形’材料达到了隐身的效果，但是隐身材料的边缘依旧清晰可见，加之折射原理的自身因素导致被隐身物体与周围环境对比下发生一定程度的扭曲。

因此采用光学处理的方法进行隐身具有一定的局限性，无法避免阴影问题、且隐身材料边缘可见，因此无法实现理想的隐身效果。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供电子隐身方法和装置，用以解决现有光学隐身存在的阴影、边缘可见的问题，能够对隐身材料实现完全隐身。

为实现上述目的，本发明方法包括如下步骤：

一种电子隐身方法，包括：

待隐身材料表层上的感光位点接收并检测入射光线。

在待隐身材料的可视一侧设置发光材料。

计算入射光线延长线与发光材料表层的交点，作为发光位点。

发光位点发射与入射光线同方向、同频率、同波长的光。

进一步地，发光位点用于发出开度为180度的半球形任意方向的光线。

本发明针对上述电子隐身方法提出了一种电子隐身装置，包括：

感光位点，为组成待隐身材料表层的最小结构单元，用于吸收来自各方向的入射光线。

传感器，设置于感光位点上，用于检测感光位点吸收的入射光线的方向、频率以及波长信息。

处理器，从传感器处获取入射光线的方向、频率和波长信息；处理器依据入射光线的方向计算对应的发光位点，并控制对应的发光位点发射与入射光线同方向、同频率、同波长的光。

发光位点，为组成发光材料表层的最小结构单元，用于在处理器的控制下发射与入射光线同方向、同频率、同波长的光。

进一步地，待隐身材料和发光材料涂覆在同一个平面的两侧，即感光位点与发光位点位于同一个平面的两侧，感光位点与发光位点间隔排列，细度小于或者等于视杆细胞的细度。

进一步地，待隐身材料和发光材料组成双层结构，待隐身材料作为外层、发光材料作为内层，即感光位点位于外层，发光位点位于内层。

进一步地，感光位点和发光位点主动向处理器发送自身坐标。

进一步地，微处理器发出球形波，将球形波与感光位点的交点作为感光位点的坐标，将球形波与发光位点的交点作为发光位点的坐标。

进一步地，发光位点用于发出开度为180度的半球形任意方向的光线。

进一步地，待隐身材料为正方体，具有上下两个表层，上表层上的感光位点a吸收入射光线，下表层的感光位点b将入射光线进行出射。

本发明方法具有如下优点：通过电子隐身的方法，吸收入射在待隐身材料上的光线，经由处理器计算入射点入射光线延长线与对侧发光材料的交点，由该发光位点发射同样频率波长的光，实现光线绕过物体继续传播，从而实现隐身。该方法可实现动态、不同方位的隐身，可消除折射带来的与周围环境对比下的局部扭曲，消除边缘效应，隐藏不规整的物体，不需要寻找可以吸收各种波长的材料，消除反射阴影。

附图说明

图1为本发明实施例1中提出的方法的流程图；

图2为本发明实施例2中提出的隐身装置的结构图；

图3为本发明实施例2中提出的隐身装置的光路原理图；

图4为本发明实施例3中感光位点和发光位点的第一种位置关系示意图；

图5为本发明实施例3中感光位点和发光位点的第二种位置关系示意图；

图6为本发明实施例4中正方体形待隐身材料结构图；

图7为本发明实施例4中两个观察位点观察同一个透过不规则隐身材料的物体的情况。

具体实施方式

以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例1

一种电子隐身方法，具体流程如图1所示，包括如下步骤：

s101、待隐身材料表层上的感光位点接收并检测入射光线。

s102、在待隐身材料的可视一侧设置发光材料。

s103、计算入射光线延长线与发光材料表层的交点，作为发光位点。

s104、发光位点发射与入射光线同方向、同频率、同波长的光。

本实施例中发光位点用于发出开度为180度的半球形任意方向的光线。

本实施例1通过电子隐身的方法，吸收入射在待隐身材料上的光线，经由处理器计算入射点入射光线延长线与对侧发光材料的交点，由该发光位点发射同样频率波长的光，实现光线绕过物体继续传播，从而实现隐身。

实施例2

本实施例针对上述实施例1给出的电子隐身方法提出了一种电子隐身装置，结构如图2所示，包括：

感光位点，为组成待隐身材料表层的最小结构单元，用于吸收来自各方向的入射光线。

传感器，设置于感光位点上，用于检测感光位点吸收的入射光线的方向、频率以及波长信息。

处理器，从传感器处获取入射光线的方向、频率和波长信息；处理器依据入射光线的方向计算对应的发光位点，并控制对应的发光位点发射与入射光线同方向、同频率、同波长的光。

发光位点，为组成发光材料表层的最小结构单元，用于在处理器的控制下发射与入射光线同方向、同频率、同波长的光。

该装置的具体光路图如图3所示。

本实施例中，感光位点和发光位点主动向处理器发送自身坐标。

本实施例中，微处理器发出球形波，将球形波与感光位点的交点作为感光位点的坐标，将球形波与发光位点的交点作为发光位点的坐标。

本实施例中，发光位点用于发出开度为180度的半球形任意方向的光线。

实施例3

针对上述实施例2给出的装置，本实施例进一步对其中感光位点和发光位点的位置关系进行详细描述。

感光位点和发光位点的位置关系可以如图4所示：待隐身材料和发光材料涂覆在同一个平面的两侧，即感光位点与发光位点位于同一个平面的两侧，感光位点与发光位点间隔排列，细度小于或者等于视杆细胞的细度。

感光位点和发光位点的位置关系也可以如图5所示：待隐身材料和发光材料组成双层结构，待隐身材料作为外层、发光材料作为内层，即感光位点位于外层，发光位点位于内层。该结构具有从外到内不透光，从内到外透光的属性，这样可适当扩大感光、发光位点的大小。

实施例4

针对上述实施例1给出的装置，本实施例给出另外一种可能：待隐身材料为正方体，具有上下两个表层，上表层上的感光位点a吸收入射光线，下表层的感光位点b将入射光线进行出射。

这里用正方体来代替感光层，这里的实现是，感光层分上下两层，上层记录一次入射光线，且为了第二次分辨容易，需要在此处加入噪声，b点作为第二次入射点被记录，接下来通过已经建立的空间直角坐标和材料厚度等数量关系，建立ab空间直线方程，并筛选出合适的出射位点。

如图6所示，一束任意方向的光线入射到感光位点a，通过传感器测量记录一次光线，为了更好准确的区分光线，需要适当的为光线增加噪音，方便第二层感光位点b精确的区分入射光线，a，b都在微处理器建立的空间坐标系中，所以它们的坐标是实时和已知的，感光层厚度h为已知，所以很容易得出θ角tanθ＝h/(xa-xb)，也很容易得出ab的空间直线公式(x-xa)(x-xb)＝(y-ya)(y-yb)＝(z-za)/(z-zb)，出射位点的坐标集合已知，进而通过处理器的遍历可以很容易选出出射位点的具体坐标。

基于这种可能图7给出了通过两个观察位点观察同一个透过不规则隐身材料的物体的情况：虚线为模拟光通路，上侧横向箭头为物体。从图中可知，c、d两个位点都可以看见被隐藏的物体，实际生活中隐身材料的物体形状基本都是不规整的，通过电子隐身这种方式可以很轻松的隐藏不规整的物体。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。