一种恒流电路和富氢足浴盆的制作方法

文档序号:13450792阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种恒流电路,其特征在于,包括:第一电感、第一电容、第二电感、第一处理器、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二电容、第三电容、第三电阻、第二处理器、第二二极管、第四电容、第三电感、第四电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、变频器;其中;

所述第一电感的一端连接所述第一电容的一端以及所述第二电感的一端,所述第一电容的另一端接地;所述第二电感的另一端连接所述第一二极管的正极;

所述第一处理器包括有5个端口,分别为端口1,端口2,端口3、端口4、端口5;所述第二处理器包括有8个端口,分别为端口1,端口2,端口3、端口4、端口5、端口6、端口7、端口8;

其中,所述第一处理器的端口2接地,所述第一处理器的端口4连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端;所述第一处理器的端口5连接所述第一电感的一端与所述第二电感的一端;

所述第一处理器的端口1连接所述第二电感的另一端与所述第一二极管的正极;

所述第一处理器的端口3连接第一电阻的一端与所述第二电阻的一端;所述第一电阻的一端连接所述第二电阻的一端;所述第一电阻的另一端连接所述第一二极管的负极;所述第二电阻的另一端接地;

所述第一二极管的负极分别连接所述第二电容的一端、所述第三电容的一端、以及所述第二处理器的端口4;所述第二电容的另一端接地;所述第三电容的另一端接地;

所述第二处理器的端口2连接所述第三电阻的一端;

所述第二处理器的端口3连接所述第四电容的一端,所述第四电容的另一端接地;

所述第二处理器的端口1连接所述第四电阻的一端以及所述第八电容的一端和所述变频器;所述第四电阻的另一端接地;

所述第二处理器的端口5和端口6连接所述第二二极管的负极和所述第三电感的一端;所述第二二极管的正极接地;

所述第二处理器的端口7和端口8接地;

所述第三电感的另一端连接所述第五电容的一端,所述第六电容的一端、所述第七电容的一端以及所述第八电容的另一端以及所述变频器;所述第五电容的另一端接地,所述第六电容的另一端接地,所述第七电容的另一端接地。

2.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第一处理器具体为单片机。

3.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第二处理器具体为单片机。

4.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第二电容与所述第三电容相同。

5.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第一电阻和所述第二电阻相同。

6.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第五电容与所述第六电容以及所述第七电容相同。

7.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第一二极管与所述第二二极管具体为硅二极管。

8.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻具体为可变电阻。

9.如权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,所述第八电容具体为钽电容。

10.一种富氢足浴盆,其特征在于,包括如权利要求1-9中任意一项所述的恒流电路。

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