技术特征：
技术总结
本发明提供一种高精度的电流基准电路，包括多个MOS管、多晶硅电阻R1和R0、PNP三极管Q1和Q2等,其中Q2和R0并联，Q1和R1并联，这种三极管与多晶硅电阻并联的形式就是该电路的核心架构，NM2和NM3，NM0和NM1分别构成电流镜，电流镜的偏置电流来自于三极管与多晶硅电阻的叠加电流，最后由PM7和PM8、PM4和PM5分别构成的电流镜输出得到一个正温度系数电流与一个负温度系数的电流，相互叠加后获得一个与温度无关的基准电流Iref。本发明相对于一般的经典电流基准电路结构简单，具有更加良好的温度系数，降低了电路成本以及使用成本。
技术研发人员：段权珍;汪煊;黄胜明;李素文;张国辉;张学涛
受保护的技术使用者：天津三源兴泰微电子技术有限公司;天津理工大学
技术研发日：2018.11.23
技术公布日：2019.02.15