基于传感器优化主控芯片的方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及主控芯片的技术领域，尤其涉及一种基于传感器的优化主控芯片的方法和装置。
【背景技术】
[0002]随着芯片设计的集成程度越来越高，线程越来越小，温度对芯片的性能的影响越来越凸显。而且芯片工作时间越久，工作频率越高，其温度也就越高。传统的解决方法是在芯片的外部方案上采取一系列散热措施，使芯片的温度维持在一个相对稳定的状态。但是采用外部散热机制进行温度控制并不适合所有芯片，如Nand Flash主控芯片就不适合采用外部散热机制进行温度控制。
[0003]针对此类芯片，目前主要有两种处理方式，都是在芯片设计阶段进行干预，力争在芯片内部去处理散热的问题。对于芯片系统中受温度影响较大的模拟IP的信号进行差分处理，增加对应的差分电路去补偿温度带来的漂移。使用该种方法增大了芯片的面积，而且对芯片中的数字电路部分无法做出处理，一旦芯片的工作温度迅速超过一定的阈值，该方法也无法生效。
[0004]上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
【发明内容】
[0005]本发明的主要目的在于提供一种基于传感器优化主控芯片的方法和装置，旨在解决当前主控芯片性能低下，使用寿命短的问题。
[0006]为实现上述目的，本发明提供的一种基于传感器优化主控芯片的方法，包括步骤:
[0007]基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；
[0008]将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；
[0009]当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
[0010]优选地，所述当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内的步骤包括:
[0011]当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内；
[0012]当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
[0013]优选地，所述将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围的步骤包括:
[0014]将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；
[0015]将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；
[0016]当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；
[0017]当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。
[0018]优选地，所述基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码的步骤之前，还包括:
[0019]载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。
[0020]优选地，所述载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上的步骤之前，还包括:
[0021]预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。
[0022]此外，为实现上述目的，本发明还提供一种基于传感器优化主控芯片的装置，该装置包括:
[0023]转换模块，用于基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；
[0024]判断模块，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；
[0025]更新模块，用于当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
[0026]优选地，所述更新模块包括降低单元和升高单元，
[0027]所述降低单元，用于当所述芯片内部的温度大于预设的温度范围的上限时，降低对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内；
[0028]所述升高单元，用于当所述芯片内部的温度小于预设的温度范围的下限时，升高对应第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。
[0029]优选地，所述判断模块包括读取单元、对比单元和判断单元，
[0030]所述读取单元，用于将所述二进制码传递到第一寄存器中，访问所述第一寄存器，读取所述第一寄存器中的二进制码；
[0031]所述对比单元，用于将所读取的二进制码与第二寄存器中预存的二进制码进行对比；
[0032]所述判断单元，用于当所读取的二进制码未在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围；
[0033]所述判断单元，还用于当所读取的二进制码在预设的温度范围所对应的预存的二进制码区间内时，判断所述芯片内部的温度未偏离预设的温度范围。
[0034]优选地，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括连接模块，用于载入温度传感器，将所述温度传感器的输出端连接到第一寄存器上。
[0035]优选地，所述基于传感器优化主控芯片的装置还包括设置模块，用于预先设置预设的温度范围和第二寄存器中每个温度范围对应的二进制码。
[0036]本发明通过温度传感器采集芯片内部的温度，当所采集到的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，由此优化了主控芯片的性能，延长了芯片的使用寿命。
【附图说明】
[0037]图1为本发明基于传感器优化主控芯片的方法的第一实施例的流程示意图；
[0038]图2为图1中步骤S20 —实施例的细化流程示意图；
[0039]图3为图1中步骤S30 —实施例的细化流程示意图；
[0040]图4为本发明基于传感器优化主控芯片的方法的第二实施例的流程示意图；
[0041]图5为本发明基于传感器优化主控芯片的装置的第一实施例的功能模块示意图；
[0042]图6为图5中判断模块一实施例的细化功能模块示意图；
[0043]图7为图5中更新模块一实施例的细化功能模块示意图；
[0044]图8为本发明基于传感器优化主控芯片的装置的第二实施例的功能模块示意图；
[0045]图9为没有温度传感器的主控芯片的温度曲线图；
[0046]图10为载入温度传感器的主控芯片的温度曲线图。
[0047]本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
【具体实施方式】
[0048]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0049]本发明实施例的主要解决方案是:基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；将所述二进制码传递到第一寄存器中，与第二寄存器中预存的二进制码进行对比，根据对比结果判断所述芯片内部的温度是否偏离预设的温度范围；当所述芯片内部的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的第三寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内。通过温度传感器采集芯片内部的温度，当所采集到的温度偏离预设的温度范围时，更新对应的寄存器的数值，使所述芯片内部的温度在预设的温度范围内，优化了主控芯片的性能，延长了芯片的使用寿命。
[0050]由于现有的对于Nand Flash主控芯片散热方法都是在芯片的设计阶段进行干预，力争在芯片内部去处理散热问题，使得芯片的面积过大，或牺牲了芯片的工作效能，不能保证各个模拟IP的相关参数保持稳定。
[0051]基于上述问题，本发明提供一种基于传感器优化主控芯片的方法。
[0052]参照图1，图1为本发明基于传感器优化主控芯片的方法的第一实施例的流程示意图。
[0053]在一实施例中，所述基于传感器优化主控芯片的方法包括:
[0054]步骤S10，基于温度传感器采集芯片内部的温度，将所述温度转换为二进制码；
[0055]在本实施例中，执行该方法的主体优选为Nand Flash主控芯片。当Nand Flash主控芯片工作在高速的数据交互阶段时，在一定的范围内，所述芯片的工作温度会随着时间的推移呈现一个正相关的函数，之后稳定在一个较高的温度值附近。在本实施例中，定义Nand Flash主控芯片的工作电压、工作电流和工作频率处于正常值的时候的温度区域为理想温度工作区，当所述芯片的工作电压、工作电流和工作频率处于非正常值的时候的温度区域为非理想温度工作区。Nand Flash主控芯片内部一般有两个工作电压供芯片正常工作，即VCC和VCCQ，它们用内部不同的模块供电。所述VCC的正常值包括但不限于3.3v (± 5 % )，所述VCCQ的正常值包括但不限于为1.8v (± 5 % )，如当所述VCC的正常值为3.3v(±5%)时，所述VCCQ的正常值还可以为3.3v(±5%)等；所述工作电流的正常值即工作时的工作电流小于10mA。
[0056]具体地，参考图9，图9为没有温度传感器的Nand Flash主控芯片的温度曲线图。
[0057]Nand Flash主控芯片中一般都包含数字电路和模拟电路，所述模拟电路又包含有几种