组件耦合到所述第一组电路组件并且可操作地由所述第一组电路元件内 始发电压偏置并且提供第二偏置电流流入第一组电路组件。
2. 根据权利要求1所述的电路，其中所述第二组电路组件被配置以产生至少一个与基 极-发射极电压差相关的第二电压分量。
3. 根据权利要求2所述的电路，其中至少所述与基极-发射极电压差相关的第二电压 分量是从运行在第一集电极电流密度的第三双极型晶体管和运行在第二低级集电极电流 密度的第四双极型晶体管的发射极比率产生的。
4. 根据权利要求2所述的电路，其中所述电路被配置为结合第一和至少第二电压分量 以提供依赖于运行在不同电流密度的第一组和第二组双极型晶体管之间的基极发射极电 压差的所述电路PTAT电压的输出。
5. 根据权利要求1所述的电路，其中所述第二偏置电流耦合到所述第一组电路组件在 节点处产生所述第一偏置电流。
6. 根据权利要求3所述的电路，还包括： 第三组电路组件被配置以产生与运行在第一集电极电流密度的第五双极型晶体管和 运行在第二低级集电极电流密度的第六双极型晶体管的发射比率而生成的基极-发射极 电压差相关的第三电压分量； 其中，第三组电路组件被耦合到所述第二组电路组件并且可操作地由始发在所述第一 组电路组件内的电压偏置。
7. 根据权利要求6所述的电路，其中所述第三组电路组件被配置以提供流入第一组电 路组件的偏置电流。
8. 根据权利要求4所述的电路，还包括横跨所述PTAT电压被复制以产生PTAT电流的 电阻器。
9. 根据权利要求4所述的电路，还包括运行在横跨所述PTAT电压被复制以产生PTAT 电流的三极管区域的MOS器件。
10. 根据权利要求4所述的电路，还包括被配置以缓冲PTAT电压并提供流入第一组电 路元件的偏置电流的电压缓冲器。
11. 根据权利要求4所述的电路，还包括： 被配置以产生与绝对温度互补（CTAT)的电压分量的电路元件， 其中所述电路被配置为耦合所述CTAT电压分量到PTAT电压以在所述电路输出端提供 第一阶温度不敏感的输出电压。
12. 根据权利要求11所述的电路，其中所述CTAT电压分量包括提供耦合到所述PTAT 电压的基极发射极电压的双极型晶体管。
13. 根据权利要求11所述的电路，其中CTAT电压分量由多个耦合到双极型晶体管的二 极管连接的晶体管提供，所述二极管连接的晶体管实现将从双极型晶体管始发的基极-发 射极电压分成三个电压分量。
14. 根据权利要求13所述的电路，还包括被配置为允许所述输出电压调节的电阻器 串。
15. -种与绝对温度成正比（PTAT)的电路被配置为在依赖于温度的所述电路的输出 节点产生电压，所述电路包括： 耦合到单个偏置电流的多个电路元件， 第一组电路元件被配置运作为偏置电流发生器和运作为所述电路的第一 PTAT电压单 元；和 第二组电路元件从所述第一组电路元件偏置并且被配置为返回至少一个偏置电流到 第一组电路元件的范围内的公共节点。
16. 根据权利要求15所述的电路，其中所述第二组电路元件被配置以提供至少一个单 元来提供所述电路的第二PTAT单元。
17. 根据权利要求16所述的电路，其中所述第二组电路元件被布置在至少两个单独的 单元中，每个单独的单元被配置以产生PTAT电压。
18. 根据权利要求17所述的电路，其中所述电路的输出PTAT电压是由结合从每个单独 单元的单独的PTAT电压产生的复合电压。
19. 根据权利要求18所述的电路，还包括电路元件被配置以产生与绝对温度互补 (CTAT)的电压分量，所述电路被配置为耦合所述CTAT电压分量到输出PTAT电压以提供在 所述电路的输出端的第一阶温度不敏感的输出电压。
20. 根据权利要求19所述的电路，其中所述CTAT电压分量包括提供耦合到所述输出 PTAT电压的基极发射极电压的双极型晶体管。
21. 根据权利要求19所述的电路，其中CTAT电压分量由多个耦合到双极型晶体管的二 极管连接的晶体管提供，所述二极管连接的晶体管实现将从双极型晶体管始发的基极-发 射极电压分成三个电压分量。
22. 根据权利要求21所述的电路，还包括被配置为允许所述输出电压调节的电阻器 串。
23. -种产生与绝对温度成正比（PTAT)电压的方法，所述方法包括： 提供多个耦合到单个偏置电流的电路元件； 配置第一组电路元件运作为偏置电流发生器和运作为所述电路的第一 PTAT电压单 元；和 提供第二组电路元件从所述第一组电路元件偏置并且被配置为返回至少一个偏置电 流到第一组电路元件的范围内的公共节点。
24. 根据权利要求23所述的方法，还包括： 配置所述第二组电路元件以提供至少一个单元来提供所述电路的第二PTAT单元；和 组合来自所述电路在所述电路输出端的第一和第二的PTAT单元的PTAT电压以产生 PTAT电压。
25. 根据权利要求24所述的方法，还包括耦合所述PTAT电压到具有与绝对温度互补 (CTAT)形式的电压以产生在所述电路输出端的第一阶温度不敏感的电压。
26. 根据权利要求24所述的方法，还包括通过复制电阻负载两端的PTAT电压以产生 PTAT电流。
27. 根据权利要求24所述的方法，还包括在所述电路的输出端提供电压缓冲器以缓冲 PTAT电压。
28. 根据权利要求25所述的方法，还包括提供电压分压器被配置为向下划分具有与绝 对温度互补（CTAT)形式的电压。
【专利摘要】本发明涉及低功耗与绝对温度成正比电流和电压发生器。一种与绝对温度成正比(PTAT)电路被提供。通过明智地组合电路元件到两个或更多的单元能够有效地从电路的其他单元倾倒偏置电流到第一单元的阻抗元件。其结果是带有较小阻抗元件的电路作为整体运行因此在硅片中实现时占用更少的区域。减少所需用于提供特定的输出电流或电压的电源电流也是可能的。
【IPC分类】G05F3-26
【公开号】CN104850167
【申请号】CN201510078549
【发明人】S·玛林卡
【申请人】亚德诺半导体集团
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年2月13日
【公告号】DE102015101319A1, US20150234414