温度控制装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及温度控制装置，特别是，涉及用于等离子体蚀刻装置的温度控制装置。
【背景技术】
[0002]以往，在等离子体蚀刻装置等半导体处理装置设有控制腔室的温度的温度控制装置。温度控制装置将调节到规定温度的循环流体向腔室循环供给，以腔室的温度达到目标温度的方式进行控制。作为这样的温度控制装置，例如在专利文献I中提出有，将主框架上下分隔，在其上部侧配置电源和控制部，在下部侧配置有具有循环流体用的热交换器及泵等的热交换部的构成。
[0003]专利文献1:(日本)特开2006 - 185258号公报
[0004]但是，在专利文献I记载的温度控制装置中，由于在热交换部的上方配置有电源和控制部，故而在热交换部的进深部分不能从侧方或上方进行维修。因此，在进行这样的部分的维修时，不仅需要将构成框架的一部分的支柱拆下并将热交换部向跟前拉出，而且，在维修后，相反地必须将热交换部压入后组装支柱，具有作业耗费时间的问题。
[0005]另外，这样的温度控制装置虽然配置在半导体处理装置的附近，但考虑热交换部的拉出量而需要确保温度控制装置的配置空间，也具有占据场地的问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种温度控制装置，能够容易地进行维修，且可削减配置空间。
[0007]本发明第一方面的温度控制装置通过将被调温后的循环流体向等离子体蚀刻装置的腔室供给并使其循环，将所述腔室控制到目标温度，其中，具有:循环冷却加热部，其将循环流体冷却、加热，并且在其与所述腔室之间使循环流体循环；控制部，其调节循环流体的温度而将所述腔室的温度控制到目标温度；框体，其收纳循环冷却加热部及控制部，在所述框体内，将配置所述循环冷却加热部的循环室和配置所述控制部的控制室设置在同一平面上，在所述循环室至少配置有分别构成所述循环冷却加热部的、贮存循环流体的罐、使循环流体循环的泵、将循环流体冷却的热交换器以及将循环流体加热的加热装置，在所述控制室至少配置有分别构成所述控制部的、控制所述泵的驱动的变换器及对所述加热装置的接通断开进行切换的切换装置。
[0008]本发明第二方面的温度控制装置，所述框体具有将内部分隔成所述循环室和所述控制室的分隔面板，所述泵在所述循环室与所述分隔面板接近配置，所述变换器在所述控制室安装于所述分隔面板上，在所述循环室内，使从所述框体的外部吸入冷却空气的吸入风扇位于俯视观察下的所述分隔面板的一端侧而设置，并且使将被吸入的冷却空气向所述框体的外部排出的排出风扇位于所述分隔面板的一端侧而设置。
[0009]本发明第三方面的温度控制装置，所述循环室位于接近所述等离子体蚀刻装置的一侧，所述控制部位于从所述等离子体蚀刻装置离开的一侧。
[0010]本发明第四方面的温度控制装置，所述框体具有设有与所述循环室对应的底座的底部面板。
[0011]本发明第五方面的温度控制装置，在所述框体上面部的与所述控制室对应的位置设有操作面板。
[0012]根据本发明第一方面的温度控制装置，由于在框体内将循环室和控制室在同一平面上并列设置，故而通过拆下框体等，能够使在各室配置的循环冷却加热部及控制部的构成部件等在上方露出，在该状态下能够从上方对各部件进行维修，可容易地进行作业。另夕卜，由于与以往不同，无需将温度控制装置向其他区域拉出，故而无需确保考虑了这样的区域的配置空间，能够削减配置空间。
[0013]根据本发明第二方面的温度控制装置，来自发热量大的变换器的热量经由分隔面板向循环室内散热，但由吸入风扇吸入的冷却空气沿着分隔面板流动，故而能够将散热的热量立即向框体外释放，能够将变换器有效地冷却，并且能够抑制热量蓄积在循环室中的情况。另外，通过使这样的冷却空气在泵附近流动，能够也将作为泵的驱动装置的电动机等良好地冷却。
[0014]根据本发明第三方面的温度控制装置，由于循环室位于等离子体蚀刻装置侧，故而不仅能够缩短将循环室和腔室连接的配管，而且能够使配管的取绕变得容易，削减配管的配置空间。另外，将控制部和等离子体蚀刻装置连接的电缆等在循环室的相反侧与设于控制部的连接器连接。
[0015]根据本发明第四方面的温度控制装置，由于在循环室的下方设置底座，故而即使在循环室内万一在循环流体等发生了泄漏的情况下，也能够由底座接受漏出的循环流体，能够防止向控制室的控制部的影响。
[0016]根据本发明第五方面的温度控制装置，由于将操作面板设置在框体的上面部，故而将温度控制装置平置于地面等而配置的情况下，能够使操作性良好。
【附图说明】
[0017]图1是表示采用本发明一实施方式的温度控制装置的等离子体蚀刻装置的立体图；
[0018]图2是表示设于等离子体蚀刻装置的腔室及温度控制装置的示意图；
[0019]图3是表示温度控制装置的整体立体图；
[0020]图4是表示设于温度控制装置的循环冷却加热装置的概略构成及流体回路的图；
[0021]图5是表示温度控制装置的内部的平面图；
[0022]图6是表示循环冷却加热装置的液体罐的分解立体图。
[0023]标记说明
[0024]1:等离子体蚀刻装置
[0025]2:腔室
[0026]3:温度控制装置
[0027]5:循环冷却加热部
[0028]6:控制部
[0029]7:框体
[0030]10:罐
[0031]14:热交换器
[0032]17:加热装置
[0033]20:泵
[0034]30:作为切换装置的SSR
[0035]31:变换器
[0036]37:操作面板
[0037]45:分隔面板
[0038]46:循环室
[0039]47:控制室
[0040]48:底座
[0041]51:上面部
[0042]55:吸入风扇
[0043]56:排出风扇
【具体实施方式】
[0044]以下，基于附图对本发明的一实施方式进行说明。
[0045]图1是表示本实施方式的等离子体蚀刻装置I的立体图。图2是表示设于等离子体蚀刻装置I的腔室2及温度控制装置3的示意图。
[0046][等离子体蚀刻装置整体的概略说明]
[0047]在图1、图2中，等离子体蚀刻装置I为通过使用了等离子体的干式工艺对半导体晶片W进行蚀刻处理的装置，在内部具有多个腔室2 (在图2中仅表示一个)。这些腔室2通过从温度控制装置3供给的被调温的循环流体被控制成规定的目标温度。本实施方式的温度控制装置3对多个腔室2的每一个设置，被收纳在设于等离子体蚀刻装置I的侧方的操作用的台阶4内。
[0048]在蚀刻处理时，腔室2内被吸真空，维持在规定的低压。在该状态下，向腔室2内导入蚀刻气体(工艺气体)。将导入的蚀刻气体等离子体化，并对半导体晶片W进行蚀刻处理。在进行这样的处理时，通过来自温度控制装置3的循环流体将腔室2的温度控制成目标温度。
[0049]在此，作为本实施方式的腔室2，具有载置半导体晶片W的下部电极2A和在其上方配置的上部电极2B，并且使循环流体在这些电极2A、2B的内部流路流通，进行温度控制。在这样的腔室2中，使用施加在电极2A、2B之间的RF(Rad1 Frequency)电场生成容量耦合型等离子体。其中，作为腔室的构造，除了生成容量耦合型等离子体之外，也可以生成电子循环加速共鸣等离子体、螺旋波激励等离子体、感应耦合型等离子体、或者微波激励表面波等离子体等。
[0050][温度控制装置的说明]
[0051]在图3中表示有从后方侧看到的温度控制装置3整体的内部的立体图。在图4中表示有设于温度控制装置3的循环冷却加热部5的概略构成及流体回路。
[0052]在图3、图4中，温度控制装置3具有将循环流体冷却、加热，并且使循环流体在与腔室2之间循环的作为循环冷却加热装置的循环冷却加热部5、基于从循环冷却加热部5输出的各种参数调节循环流体的温度，从而将腔室2的温度控制成目标温度的控