电阻R9、第十电阻RlO和第十一电阻Rll分压后送入到电压误差放大器UlB的同相输入端。该信号与微处理器I输出的DA电压比较，产生的误差电压去控制MOS管Ql的导通程度。当外接电源输入电压VIN偏高时，经过第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻RlO和第十一电阻Rll分压后送入到电压误差放大器UlB的同相输入端的电压也偏高，该电压比DA电压偏高，电压误差放大器UlB的输出端输出的电压就会升高，降低MOS管Ql的导通内阻，从而达到将外接电源输入电压VIN拉低的目的。当外接电源输入电压VIN偏低时，经过第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻RlO和第十一电阻Rll分压后送入到电压误差放大器UlB的同相输入端的电压也偏低，该电压比DA电压偏低，电压误差放大器UlB的输出端输出的电压就会下降，提高MOS管Ql的导通内阻，从而达到将外接电源输入电压VIN升高的目的。
[0032]对于电子负载状态控制，在空载模式时，0N/0FF电压为高电平，第二三极管Q2饱和导通，将MOS管Ql的栅极电压短路到地GND。MOS管Ql的栅极电压过低而关闭拉载。当需要拉载时，0N/0FF电压为低电平，第二三极管Q2退出导通状态进入截止状态，MOS管Ql的栅极驱动电压上升控制MOS管Ql的导通状态。
[0033]总之，在本实施例中，将恒流恒压模式转换电路4从误差运算放大电路3的输入端移至误差运算放大电路3的输出端，其输出阻抗远远低于输入阻抗，提高系统抗干扰能力。恒流恒压模式转换电路4采用三极管(第三三极管Q3和第五三极管Q5实现恒压切换；第四三极管Q4和第六三极管Q6实现恒流切换)替代继电器或电子开关，可以由微处理器I的输出端口直接驱动，由于省去了存在电磁干扰的继电器和需要电平转换的电子开关，其大大缩小了 PCB板的使用面积，降低了成本。负载状态控制电路5也从从误差运算放大电路3的输入端移至误差运算放大电路3的输出端，用一颗第二三极管Q2实现控制，提高了拉载速度。
[0034]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，包括微处理器、DA控制单元、误差运算放大电路、恒流恒压模式转换电路和负载状态控制电路，所述DA控制单元与所述微处理器连接、用于输出电流控制电压，所述误差运算放大电路的输入端与所述DA控制单元连接，所述恒流恒压模式转换电路的一端与所述误差运算放大电路的输出端连接、用于在恒流模式和恒压模式之间进行切换，所述负载状态控制电路的一端与所述恒流恒压模式转换电路的另一端连接、用于对电子负载的开关状态进行控制，所述负载状态控制电路的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述误差运算放大电路包括电流误差放大电路和电压误差放大电路，所述恒流恒压模式转换电路包括恒流控制单元和恒压控制单元，所述电压误差放大电路的一输入端和所述电流误差放大电路的一输入端均与所述DA控制单元连接，所述恒压控制单元的一端与所述电压误差放大电路的输入端连接，所述恒流控制单元的一端与所述电流误差放大电路的输出端连接，所述恒压控制单元的另一端与所述恒流控制单元的另一端均与所述负载状态控制电路的一端连接。
3.根据权利要求2所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，还包括MOS管、电压采集电路、电流采样放大电路和采样电阻，所述MOS管的栅极与所述负载状态控制电路的一端连接，所述MOS管的漏极与所述电压采集电路的输入端连接，所述MOS管的源极分别与所述电流采样放大电路的输入端和所述采样电阻的一端连接，所述采样电阻的另一端接地，所述电压采集电路的输出端与所述电压误差放大电路的另一输入端连接，所述电流采样放大电路的输出端与所述电流误差放大电路的另一输入端连接。
4.根据权利要求3所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电流误差放大电路包括电流误差放大器和第一电容，所述恒流控制单元包括第四三极管和第六三极管；所述电流误差放大器的同相输入端与所述DA控制单元连接，所述电流误差放大器的反相输入端分别与所述第一电容的一端和电流采样放大电路连接，所述电流误差放大器的输出端分别与所述第一电容的另一端和所述第六三极管的发射极连接，所述第六三极管的基极与所述第四三极管的集电极连接，所述第六三极管的集电极通过第五电阻与所述MOS管的栅极连接，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的基极与所述微处理器连接。
5.根据权利要求4所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电压误差放大电路包括电压误差放大器、第二电容和第七电阻，所述恒压控制单元包括第三三极管和第五三极管，所述电压误差放大器的同相输入端与所述电压采集电路的输出端连接，所述电压误差放大器的反相输入端分别与所述第二电容的一端和第七电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端与所述DA控制单元连接，所述电压误差放大器的输出端分别与所述第二电容的另一端和第五三极管的发射极连接，所述第五三极管的集电极通过所述第五电阻与所述MOS管的栅极连接，所述第五三极管的基极与所述第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的发射极与所述负载状态控制电路连接，所述第三三极管的基极与所述微处理器连接。
6.根据权利要求5所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述负载状态控制电路包括第二三极管，所述第二三极管的发射极与所述第三三极管的发射极连接，所述第二三极管的基极与所述微处理器连接，所述第二三极管的集电极与所述MOS管的栅极连接。
7.根据权利要求6所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电流采样放大电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、电流放大器和第六电阻，所述电流放大器的同相输入端与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的一端连接，所述电流放大器的反相输入端分别与所述第三电阻的一端和第四电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端接地，所述电流放大器的输出端分别与所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述电流误差放大器的反相输入端连接。
8.根据权利要求7所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电压采集电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻和第十一电阻，所述第八电阻的一端与所述MOS管的漏极连接，所述第八电阻的另一端与所述第九电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十电阻的另一端分别与所述第十一电阻的一端和电压误差放大器的同相输入端连接，所述第十一电阻的另一端接地。
9.根据权利要求8所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述第二三极管、第三三极管和第四三极管均为NPN三极管，所述第五三极管和第六三极管均为PNP三极管。
10.根据权利要求9所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述MOS管的漏极还与被测试电源连接。
【专利摘要】本实用新型提出了一种晶体管控制型电子负载控制电路，包括微处理器、DA控制单元、误差运算放大电路、恒流恒压模式转换电路和负载状态控制电路，所述DA控制单元与所述微处理器连接、用于输出电流控制电压，所述误差运算放大电路的输入端与所述DA控制单元连接，所述恒流恒压模式转换电路的一端与所述误差运算放大电路的输出端连接、用于在恒流模式和恒压模式之间进行切换，所述负载状态控制电路的一端与所述恒流恒压模式转换电路的另一端连接、用于对电子负载的开关状态进行控制，所述负载状态控制电路的另一端接地。实施本实用新型的晶体管控制型电子负载控制电路，具有以下有益效果：能消除干扰、抗干扰能力较强、电子负载的拉载速度较快。
【IPC分类】G05B19-042
【公开号】CN204406108
【申请号】CN201520036507
【发明人】张军, 吴涛, 黄明雄, 石利军, 庞成
【申请人】深圳市中科源电子有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2015年1月19日