一种晶体管控制型电子负载控制电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及负载控制领域，特别涉及一种晶体管控制型电子负载控制电路。
【背景技术】
[0002]目前，直流电子负载CC(恒流)和CV(恒压)两种模式之间的转换是采用继电器或电子开关在误差比较运算放大器的输入端进行信号切换，电流或电压控制基准信号(以下简称“DA”)与电流或电压采集信号通过继电器或电子开关切换后到误差比较运算放大器的输入端。采用继电器实现CC模式和CV模式的切换存在成本高，无法小型化，在继电器动作瞬间有一定的电磁干扰问题；采用电子开关实现CC模式和CV模式的切换存在成本高，需要电平转换电路，线路复杂的问题；误差比较运算放大器的输入端阻抗很高，CC模式和CV模式的切换电路容易引入干扰，其抗干扰能力较弱。
[0003]通常电子负载的ON/OFF控制是在误差比较运算放大器之前，向误差比较运算放大器其中一个输入端加固定电平电压，强制误差比较运算放大器的输出电压归零，以实现ON/OFF功能。当电子负载从OFF状态转换到ON状态时，该控制方式会导致误差比较运算放大器的输出从OV上升到额定驱动电压，该过程需要较长的时间，使电子负载拉载速度变慢。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述存在干扰、抗干扰能力较弱、电子负载的拉载速度较慢缺陷，提供一种能消除干扰、抗干扰能力较强、电子负载的拉载速度较快的晶体管控制型电子负载控制电路。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种晶体管控制型电子负载控制电路，包括微处理器、DA控制单元、误差运算放大电路、恒流恒压模式转换电路和负载状态控制电路，所述DA控制单元与所述微处理器连接、用于输出电流控制电压，所述误差运算放大电路的输入端与所述DA控制单元连接，所述恒流恒压模式转换电路的一端与所述误差运算放大电路的输出端连接、用于在恒流模式和恒压模式之间进行切换，所述负载状态控制电路的一端与所述恒流恒压模式转换电路的另一端连接、用于对电子负载的开关状态进行控制，所述负载状态控制电路的另一端接地。
[0006]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述误差运算放大电路包括电流误差放大电路和电压误差放大电路，所述恒流恒压模式转换电路包括恒流控制单元和恒压控制单元，所述电压误差放大电路的一输入端和所述电流误差放大电路的一输入端均与所述DA控制单元连接，所述恒压控制单元的一端与所述电压误差放大电路的输入端连接，所述恒流控制单元的一端与所述电流误差放大电路的输出端连接，所述恒压控制单元的另一端与所述恒流控制单元的另一端均与所述负载状态控制电路的一端连接。
[0007]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，还包括MOS管、电压采集电路、电流采样放大电路和采样电阻，所述MOS管的栅极与所述负载状态控制电路的一端连接，所述MOS管的漏极与所述电压采集电路的输入端连接，所述MOS管的源极分别与所述电流采样放大电路的输入端和所述采样电阻的一端连接，所述采样电阻的另一端接地，所述电压采集电路的输出端与所述电压误差放大电路的另一输入端连接，所述电流采样放大电路的输出端与所述电流误差放大电路的另一输入端连接。
[0008]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述电流误差放大电路包括电流误差放大器和第一电容，所述恒流控制单元包括第四三极管和第六三极管；所述电流误差放大器的同相输入端与所述DA控制单元连接，所述电流误差放大器的反相输入端分别与所述第一电容的一端和电流米样放大电路连接，所述电流误差放大器的输出端分别与所述第一电容的另一端和所述第六三极管的发射极连接，所述第六三极管的基极与所述第四三极管的集电极连接，所述第六三极管的集电极通过第五电阻与所述MOS管的栅极连接，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的基极与所述微处理器连接。
[0009]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述电压误差放大电路包括电压误差放大器、第二电容和第七电阻，所述恒压控制单元包括第三三极管和第五三极管，所述电压误差放大器的同相输入端与所述电压采集电路的输出端连接，所述电压误差放大器的反相输入端分别与所述第二电容的一端和第七电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端与所述DA控制单元连接，所述电压误差放大器的输出端分别与所述第二电容的另一端和第五三极管的发射极连接，所述第五三极管的集电极通过所述第五电阻与所述MOS管的栅极连接，所述第五三极管的基极与所述第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的发射极与所述负载状态控制电路连接，所述第三三极管的基极与所述微处理器连接。
[0010]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述负载状态控制电路包括第二三极管，所述第二三极管的发射极与所述第三三极管的发射极连接，所述第二三极管的基极与所述微处理器连接，所述第二三极管的集电极与所述MOS管的栅极连接。
[0011]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述电流采样放大电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、电流放大器和第六电阻，所述电流放大器的同相输入端与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第一电阻的一端连接，所述电流放大器的反相输入端分别与所述第三电阻的一端和第四电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端接地，所述电流放大器的输出端分别与所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述电流误差放大器的反相输入端连接。
[0012]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述电压采集电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻和第十一电阻，所述第八电阻的一端与所述MOS管的漏极连接，所述第八电阻的另一端与所述第九电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十电阻的另一端分别与所述第十一电阻的一端和电压误差放大器的同相输入端连接，所述第十一电阻的另一端接地。
[0013]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述第二三极管、第三三极管和第四三极管均为NPN三极管，所述第五三极管和第六三极管均为PNP三极管。
[0014]在本实用新型所述的晶体管控制型电子负载控制电路中，所述MOS管的漏极还与被测试电源连接。
[0015]实施本实用新型的晶体管控制型电子负载控制电路，具有以下有益效果:由于恒流恒压模式转换电路的一端与误差运算放大电路的输出端连接、用于在恒流模式和恒压模式之间进行切换，负载状态控制电路的一端与恒流恒压模式转换电路的另一端连接、用于对电子负载的开关状态进行控制，恒流恒压模式转换电路设置在误差运算放大电路的输出端，其输出阻抗远远低于输入阻抗，提高系统抗干扰能力，负载状态控制电路设置在误差运算放大电路的输出端，提高了拉载速度，所以其能消除干扰、抗干扰能力较强、电子负载的拉载速度较快。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本实用新型晶体管控制型电子负载控制电路一个实施例中的结构示意图；
[0018]图2为所述实施例中晶体管控制型电子负载控制电路的电路原理图。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0020]在本实用新型晶体管控制型电子负载控制电路实施例中，其晶体管控制型电子负载控制电路的结构示意图如图1所示。图1中，该晶体管控制型电子负载控制电路包括微处理器1、DA控制单元2、误差运算